本发明提供了一种发光可增强的有机长余辉发光材料及其制备方法和应用，属于有机光电材料技术领域，包括基于咔唑衍生物的给体材料和基于菲类衍生物的受体材料，其中基于菲类衍生物的受体材料设计独特，基于咔唑衍生物的给体材料为PVK、TCP、mCP‑...

本发明涉及地震信号勘测技术领域，具体涉及基于时频分析的地震信号多尺度与OVT去噪处理系统，包括数据采集模块，用于采集地震信号S<subgt;EQ</subgt;；还用于采集潮汐数据和海流数据，以及地震信号采集位置的坐标(x&...

本发明公开了一种钛掺杂镍锰铁基钠离子层状正极材料及制备方法，属于钠离子电池正极材料技术领域。制备方法为：首先，以钛酸丁酯为钛源，加入去离子水，再添HNO<subgt;3</subgt;反应制硝酸钛溶液；将硝酸钠、硝酸镍、硝酸...

本发明提供了一种基于三蝶烯桥接的红光‑近红外有机材料及其制备方法和应用，属于有机电致发光材料与器件技术领域，所得基于三蝶烯桥接的红光‑近红外有机材料在三蝶烯中间体桥接和分子间氢键的协同作用下有序排布，具有良好的载流子传输能力，溶解性、热...

本发明属于通信领域，提供一种基于双向时延校准的动态时钟同步方法，用以解决现有技术中因环境变化和信号传输时延波动导致的基站间时钟同步精度不足的问题。本发明中，由主基站发送本地同步信号至从基站，从基站接收同步信号后进行同步状态检测，检测失败...

金属基带CVD多段式窄流腔镀膜系统，涉及薄膜制备技术领域。本发明包括两个卷绕盘和设置于两个卷绕盘之间的沉积结构，沉积结构由串联设置的至少两个窄流道腔体构成，任意相邻两个窄流道腔体通过一个气体阻断腔体连接，沉积结构的两端各设置有一个气体阻...

本发明公开了一种主动式双自由度髋关节行走辅助外骨骼装置，属于人体助力技术领域，本发明能够根据不同身高、体型的人群改变调节机构的尺寸；髋关节具有两个自由度，能够实现外骨骼髋关节与人体髋关节的多旋转中心对齐，且髋关节的链式串联机构能根据人体...

本发明属于柔性电子材料与传感技术领域，具体涉及一种掺杂表面改性氮化硼纳米材料的PVDF(聚偏二氟乙烯)纤维膜及其制备方法。PVDF纤维膜采用静电纺丝法进行制备，并在纺丝时掺入表面改性的氮化硼(BN)纳米材料，制备得到电纺PVDF/BN复...

本发明涉及计算图形学、计算机视觉技术领域，公开了一种基于先验知识的图片重矩形化方法及系统，方法包括：将稳定扩散模型的主干结构中的变分自编码器中的输入层和输出层上进行层数调整，重新构建图片重矩形化扩散模型；对图片重矩形化扩散模型进行两阶段...

本发明提供了一种平面型碳化硅MOSFET器件及其制造方法，器件结构包括：N+衬底、N‑漂移区、带埋层的P‑阱区、N+源区、P+源区、电流扩展层、P型多晶硅、栅介质、绝缘介质、N型多晶硅、栅极、源极、漏极。在传统平面型MOSFET的基础上...

本发明提供了一种低损耗的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及制造方法，器件结构包括：N+衬底、N‑外延层、N+缓冲层、P型阱区、N+源区、P+屏蔽区、多晶硅栅极、源极金属和漏极金属。本发明基于非对称沟槽栅碳化硅MOSFET器件，其在碳化硅沟槽...

本发明公开了一种基于GPT的渐进迁移训练解码方法，属于视觉神经解码领域。本发明基于被试观看大量视觉感知图像时记录下的功能磁共振信号数据构建了基于GPT的类别和文本解码模型，其包括：图像编码器，用于将采用预训练模型提取的图像特征向量嵌入到...

本发明提供了一种集成FinFET结构的沟槽栅碳化硅MOSFET器件及制造方法，器件结构包括：N+衬底、N‑外延层、N+缓冲层、P型阱区、载流子扩展层(CSL层)、N+源区、P+屏蔽区、多晶硅栅极、源极沟槽、源极金属和漏极金属。本发明将f...

本发明属于钠离子电池正极材料制造技术领域，具体提供一种空气稳定的钠离子电池用含铜正极材料及其制备方法，用以解决现有技术中钠离子电池正极材料暴露在空气中迅速吸湿从而导致结构崩塌的问题。本发明提供一种空气稳定的钠离子电池用含铜正极材料，具体...

本发明属于等离子体诊断领域，具体提供一种基于微波反射法的深度神经网络瞬态等离子体特征参数反演方法，用以解决现有技术反演速度慢的问题。本发明将深度学习神经网络运用于激波管时变等离子体特征参数反演问题中；首先，使用MATLAB构建了设定范围...

本发明公开了一种核酸传感器件及其制备方法，在电化学晶体管的栅极通过特别设计的核酸修饰，通过OECT优秀的固有放大能力，可以实现其对特定核酸片段0.1nM级别的特异性识别；由于OECT同时具有低成本，易于制造的优势，且其仅需要对栅极进行修...

本发明公开了一种基于溴化氨盐的蓝色钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于钙钛矿发光材料与器件领域，蓝色钙钛矿发光二极管包括电极、载流子传输层和发光层，发光层为本发明创造性添加一种新型添加剂得到的准二维A<subgt;6</sub...

本发明属于真空微电子领域，具体涉及场发射器件中钼场发射阵列与钼基底的焊接方法，先在覆有二氧化硅掩膜的硅片上刻蚀出倒金字塔凹坑阵列；接着对刻蚀有倒金字塔凹坑阵列的硅片进行热氧化处理，形成二氧化硅层；然后在二氧化硅层上蒸镀钼发射体层得到钼场...

本发明的目的在于提供一种PET纤维化学镀铜前的一步预处理活化液、预处理方法，属于化学镀技术领域。本发明创新地提出基于二甲基亚砜(DMSO)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)和银盐组成的活化溶液，当PET纤维浸入活化溶液中时，DMSO让PET纤维...

本发明公开了一种基于时空知识图注意力网络的兴趣点推荐方法，属于兴趣点推荐领域，包括以下步骤：S1、建立用户‑兴趣点时空关系图；S2、对用户‑兴趣点时空关系图进行时空知识图嵌入；S3、信息编码；S4、构建时空知识图注意力网络；S5、任务预...