电子科技大学专利技术

电子科技大学共有35043项专利

  • 本发明公开了一种集成部分反射式透射超表面的太赫兹共振隧穿二极管辐射源,属于太赫兹无线收发技术领域,包括衬底,以及依次叠置在衬底上方的共振隧穿二极管辐射源、部分反射超表面和透射式超表面;共振隧穿二极管辐射源的顶部具有大面积的共面地层;部分...
  • 本发明公开了一种基于差分进化优化SPWVD的无人机ISAR瞬时成像方法,其包括以下步骤:将接收到的回波信号进行距离压缩、包络对齐和相位补偿得到处理后的数据;将处理后的数据通过平滑伪维纳分布(SPWVD)这种时频分析方法代替距离多普勒算法...
  • 本发明公开了一种同步理论下视觉任务大脑功能网络构建方法,本发明属于神经科学与脑功能成像技术领域。本发明采用的技术方案,有效解决了现有技术在大脑功能网络研究中信号采集和分析的难题。通过对高分辨率EEG时间序列的处理,成功揭示了视觉任务中大...
  • 本发明文公开了一种基于改进PGCPF参数估计的无人机ISAR成像方法,涉及逆合成孔径雷达成像技术领域。该方法包括将接收到的回波信号进行距离压缩、去斜补偿和平动补偿,得到处理后的数据;将处理后的数据通过基于差分进化的加权PGCPF优化算法...
  • 本发明公开一种基于生物‑信息协同脉冲神经网络的训练方法及基于其的神经形态光流预测方法,应用于计算机视觉技术领域,针对现有技术难以实现高效精准的光流预测的问题;本发明直接将ANN训练好的模型参数跨模型迁移到SNN模型上,并使用SNN模型的...
  • 本发明提供一种水性溶液中电合成噻吩基导电聚合物薄膜的方法及该薄膜的应用,包括在水性溶液中采用电化学合成导电聚合物薄膜和该薄膜金属化。传统的噻吩基导电聚合物薄膜制备方法由于聚合物单体的溶解性差,通常需对单体进行改性或者溶于特殊的有机溶剂。...
  • 本发明公开了一种基于多模态大模型灵活关联控制的图像问答方法,首先生成图像和对应文字描述的非关联性特征表示,然后生成图像和定制提示的关联性特征表示,计算每层非关联性特征表示和关联性特征表示的余弦距离,并根据余弦距离筛选得到关键层,对于每个...
  • 本发明公开了一种基于价值分解差异的多智能体对比探索方法,该方法利用价值分解的差异和对比原则,根据不同的价值分解估计之间的差异确定更新权重,设置更新权重并将这种差异作为更新过程中的内在目标。MACE架构包含两个值函数估计器,每个值函数估计...
  • 本发明公开了一种智能示波器中基于时频域的实时异常检测方法,先通过采集系统对输入信号进行采样,得到数字采样信号并送入FPGA中的时频域异常检测模块;在时频域异常检测模块中,基于频谱分布的异常检测、数据在数字域的信道划分、自适应降采样、可变...
  • 本发明属于工业控制技术领域,涉及电机运动控制应用场景,具体提供一种提高功率开关器件输出电流的方法,用以提升功率开关器件的电流输出能力,实现工作潜能最大化,从而降低系统成本以及系统散热设计要求;本发明对功率开关器件的工作特性进行详细研究,...
  • 本发明公开了一种基于无监督领域自适应模型的睡眠分期方法,属于睡眠分期技术领域,包括S1、采集单通道EEG数据,并构建源域和目标域数据集;S2、构建无监督领域自适应模型,并利用源域和目标域数据集对其训练,得到无监督领域适应模型;S3、利用...
  • 本发明属于集成电路制造和先进封装领域,具体提供一种具有小线宽间距的厚金属布线制备方法,用以解决现有厚金属布线制备方法存在的耗时长、成本高的问题。本发明中,首先在硅衬底表面刻蚀形成至少一个沟槽组与至少一个硅鳍片,所述沟槽组包括至少两个线条...
  • 本发明属于集成电路的静电放电(ESD)和电过应力(EOS)脉冲防护领域,具体提供一种高可靠高压驱动芯片的静电浪涌一体化防护电路,用以解决传统高压ESD/EOS防护方案中易闩锁、触发电压高、鲁棒性差以及开启速度慢等问题。本发明通过技术性嵌...
  • 本发明属于电池材料回收及再利用技术领域,具体为基于废旧磷酸铁锂正极材料制备钴铁复合隔膜的方法及应用,采用柠檬酸溶液和抗坏血酸溶液对磷酸铁锂正极片经浸出、过滤、洗涤得到FePO<subgt;4</subgt;,随后分别利用2‑...
  • 本发明属于无机材料制备技术领域,具体涉及一种氮掺杂硼酸钐粉体的制备方法。本发明通过高温烧结的方法在氮气气氛中利用碳黑作为还原剂与硼酸钐中的部分氧反应生成一氧化碳,使氮原子填充氧空位,得到氮掺杂的硼酸钐粉体SmBO<subgt;3‑...
  • 本发明提供了一种基于亲水性氧化铝辅助层的无褶皱二维原子晶体薄膜转移方法,具体步骤为:利用标准半导体工艺中原子层沉积在目标衬底上沉积一层氧化铝薄膜;在生长有二维材料的衬底上旋涂聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA);腐蚀溶液刻蚀基底,使PMMA/二...
  • 本发明属于能源材料技术领域,具体为一种p型PbSe基热电材料及其制备与应用。本发明的多晶p型PbSe基热电材料成本低,为立方相结构,具有高室温热电性能,各向同性,具有良好的机械性,便于加工;制备周期仅需18h,过程简单,重复性好,耗时短...
  • 本发明公开一种低插损太赫兹直接调制器,涉及太赫兹通信技术领域,解决现有技术受限于晶体管本身性能与寄生参数影响,难以在太赫兹直接调制器上同时实现低插损和大调制深度的技术问题;本发明包括传输波导和馈入谐振结构,所述馈入谐振结构以与传输波导两...
  • 该发明提出了一种低轨卫星网络边缘计算卸载与资源分配联合优化方法,属于卫星通信与遥感技术领域。通过二阶锥规划来优化卫星的观测路径和侧摆角度的调整,从而在观测过程中有效地减少遮挡和任务冲突。为了提升计算效率与适应性,该发明采用了拉格朗日松弛...
  • 本发明属于天线工程技术领域,涉及一种基于非规则碎裂化设计的宽带电磁透明基站天线及阵列,它包括具有多重电磁透明效果的低频天线、高频天线和反射地板。具有多重电磁透明效果的低频天线结构包括多组不同大小的碎裂化金属贴片以及与四角贴片连接的细长的...