登钛电子技术上海有限公司专利技术

登钛电子技术上海有限公司共有11项专利

  • 本技术公开了一种模块电源的输出软起动电路,包括D1、D2、C1、R4、Q3、VOUT、TRIM和GND,所述GND与R4串联,所述R4与C1串联,所述C1与D2串联,所述D2与VOUT串联,所述TRIM与D1串联,所述D1与Q3串联。通...
  • 本技术公开了一种低损耗电压电流隔离运放供电系统,包括U1、U2、U3、V1、V2、Z1、Z2,所述U1是用于V1的电压传感隔离运放,U2是用于V1输出电流传感隔离运放,U3是线性稳压器,V1是第一电源,V2是第二电源。在隔离传感电源电压...
  • 本技术公开了一种低成本温度采样电路,包括两个温度检测电阻,两个温度检测电阻均与MCU相连,两个温度检测电阻分别为R1和R4;所述R1与R2串联,所述R4与R3串联。所述R1设置在在分压电路的高侧,所述R4设置在在分压电路的低侧。所述R2...
  • 本技术公开了一种防冲击电流电路,R1,R2为限制冲击电流电阻,Q1为旁路开关器件,MCU检测输入电压通过Q1控制电路控制Q1开关;Q1开关时序通过软件设定,在起机时,Q1在输入电压达到指定值以上一段时间后再导通,BUS电容C1电压已经达...
  • 本技术公开了一种高精度输入电压采样电路,包括X1、X2、VINS‑P、VINS‑N、VINADC‑H、VINADC‑L,所述VINS‑P通过R1与X1串联,所述VINS‑N通过R2与X1串联,所述X1与R4串联,所述VINS‑P通过R9...
  • 本技术公开了一种高效率输入防雷击电路,包括输入EMI滤波防雷MOV、ORING防反电路、R1、D1、C1,所述R1、D1、C1设置在输入EMI滤波防雷MOV和ORING防反电路之间的线路上,所述R1与C1串联,所述D1与R1串联,所述O...
  • 本实用新型公开了一种采用矩阵变压器的多路输出电源,包括变压器输入电路、变压器输出电路、第一磁芯、输入绕组、第二磁芯、第一输出绕组、第二输出绕组和第三输出绕组,变压器输入电路上设有输入绕组,变压器输出电路上设有第一输出绕组、第二输出绕组和...
  • 本实用新型公开了一种大电流高电压输入防反防倒灌的控制电路,该电路由输入电源V1、电源储能电容C1、高压MOSFETQ1、第一低压防反防倒灌控制电路X1、第二低压防反防倒灌控制电路Q2、第一控制电压R1、第二控制电压C2、第三控制电压D2...
  • 本实用新型公开了一种具有二次斩波整流的开关电源,包括电源同步整流开关管A、电源同步整流开关管B、二次斩波开关管A、二次斩波开关管B、二次斩波开关管生二极管A、二次斩波开关管生二极管B、输出滤波电感、输出滤波电容,该开关电源采用可控二次斩...
  • 本实用新型公开了一种光耦隔离输入电压欠压检测电路,包括电阻R4、电阻R5、电压检测芯片X1和光耦U1,其特征在于,所述电阻R4的一端连接电阻R1和电压输入端POWER,电阻R4的另一端连接电阻R5、电容C1、二极管D1和电压检测芯片X1...
  • 本实用新型公开了一种启动冲击电流抑制电路,包括电阻R2、电阻R3、二极管D1和二极管D3,所述电阻R2的一端连接电阻R1、电阻R4、电容C1和电源输入端Vin+,电阻R2的另一端连接电阻R3、电容C2、二极管D1的阴极和二极管D2的阴极...
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