创新电子股份有限公司专利技术

创新电子股份有限公司共有2项专利

  • 一种半导体的光退火方法,包括步骤:提供半导体,其中半导体具有第一表面及第二表面;形成接触金属层于半导体的第二表面;以及以高功率照射光源照射接触金属层,以使接触金属层中的多个扩散离子扩散至半导体,进而使接触金属层一侧的部分半导体形成接触金...
  • 一种无晶圆中介层的制造方法,包括步骤:提供承载晶圆;形成第一重布线层于承载晶圆上,其中至少第一重布线层形成导线图案;形成保护层以保护导线图案;将承载晶圆翻面并贴合至支撑基材,以使保护层与支撑基材接触并贴合;以及移除承载晶圆,以形成贴合于...
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