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重庆中易智芯科技有限责任公司专利技术
重庆中易智芯科技有限责任公司共有17项专利
一种适用于中低精度高速低功耗ADC的三级比较器系统技术方案
本发明请求保护一种适用于中低精度高速低功耗ADC的三级比较器系统,其包括第一级四输入两输出动态小信号前置放大器、第二级两输入两输出动态小信号前置放大器和锁存器,其中动态前置放大器包括输入差分对管、尾电荷源和电荷转向支路;锁存器包括输入级...
一种基于移动最小二乘算法的双能X射线骨密度检测方法技术
本发明请求保护一种基于移动最小二乘算法的双能X射线骨密度检测方法,包括以下步骤:获取模体在光子计数探测器的高能、低能X射线下的探测数据,并进行去噪在内的预处理;以及获取高能、低能X射线的入射能量;计算得到高低能衰减值;按照模体厚度进行网...
一种具有达峰标记输出的峰值保持电路制造技术
本发明请求保护一种具有达峰标记输出的峰值保持电路,包括峰值保持电路,峰值检测电路,峰值标记输出缓冲器。其中,峰值保持电路的输出来自于前一级的输出,可为滤波成型器的输出或者为其他检测电路输出的辐射信号,峰值保持电路的两个输出端分别为峰值输...
一种低共模电压变化的逐次逼近模数转换器电容开关方法技术
本发明请求保护一种低共模电压变化的逐次逼近模数转换器中的电容开关方法,属于模拟集成电路设计领域,用于差分电容阵列的开关逻辑的设计。本发明所设计的低共模电压变化的逐次逼近模数转换器,通过特殊的开关顺序设计,不增加额外的电路与功耗。在获得优...
一种低插损高频声表面波滤波器制造技术
本发明请求保护一种高频低插损声表面波滤波器,属于声表面波滤波器技术领域,其包括滤波器的结构设计和减小带内波动、减小插入损耗,提高带外抑制性能的优化方法。其中滤波器的结构设计包括4个结构参数相同的并联谐振器P1
一种低暗电流的CMOS APD光电器件制造技术
本发明请求保护一种低暗电流的CMOS APD光电器件,属于半导体光电器件领域。器件结构包括P衬底,其还包括在其上离子注入的P阱,所述P阱上离子注入有一个N+层和两个P+层,N+层为阴极,P+层为阳极。将重掺杂的N+层与轻掺杂的P阱层形成...
一种应用于辐射探测器的前端读出电路制造技术
本发明请求保护一种应用于辐射探测器的前端读出电路,属于微电子技术领域,包括预放大器、零极点消除电路及成形器;其中,来自探测器的信号,从输入端口进入预放大器,预放大器的输出端与零极点消除电路的输入端相连,零极点消除电路的输出端与成形器的输...
一种具有漏电流补偿的辐射探测器前端读出电路制造技术
本发明请求保护一种具有漏电流补偿的辐射探测器前端读出电路,属于微电子技术领域,包括预放大器、成形器及漏电流补偿电路;其中,来自探测器的信号,从输入端口进入预放大器,预放大器的输出端与成形器的输入端相连,成形器的输出端输出电压信号,所述漏...
一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制造方法技术
本发明请求保护一种阻态敏感CdZnTe辐射探测器及其制备方法,其特征在于,从上至下依次包括:Au电极阴极电极层、高原子序数CdZnTe晶体辐射作用层、双层氧化钒VOx材料层、Ti/Pt阳极电极层及Ti/Pt电极读出电极层,其中,当高原子...
一种石墨烯半导体辐射探测器件及其制备方法技术
本发明请求保护一种石墨烯半导体辐射探测器件及其制备方法,其采用石墨烯场效应管电阻值作为测量物理量,具体包括:半导体晶体材料层、绝缘隔离层、石墨烯材料层及感应信号电极层,在高原子序数辐射作用晶体表面制备面元阵列结构石墨烯结构层,构建面元阵...
一种逐次逼近模数转换器中的电容阵列逻辑控制方法技术
本发明请求保护一种逐次逼近模数转换器中的电容阵列逻辑控制方法,属于模拟集成电路设计技术领域。是一种差分电容阵列的开关逻辑的设计方法。本方法可以让电容阵列在每次判决中接入使用最少的电容,从而引入最少的失配等非理想因素。相比传统方法以及众多...
一种带复位功能的低功耗全加器电路制造技术
本发明请求保护一种带复位功能的低功耗全加器电路,属于集成电路领域;本申请中仅采用10个晶体管,包含复位电路、2个3管同或电路以及1个选择模块电路,其中复位电路由NMOS管N6、NMOS管N7组成;3管同或电路由PMOS管P1、NMOS管...
一种应用于高效率DC-DC转换器的自适应调制模式切换电路制造技术
本发明请求保护一种应用于高效率DC‑DC转换器的自适应模式切换电路。该电路主要包括一个三角波发生电路,一个屏蔽信号产生电路以及脉宽调制电路。脉宽调制环路和屏蔽信号产生电路实现自适应调制模式切换。三角波发生电路用于产生一个频率固定三角波信号V
一种应用于混合电压输出缓冲器的高速电平转换电路制造技术
本发明请求保护一种应用于混合电压输出缓冲器的高速电平转换电路,该电路包括电平转换电路和VDDIO判断电路,在不同的电压模式下给输出缓冲器输出级驱动PMOS管提供对应正确的偏置信号。其中,VDDIO是输出缓冲器的工作模式电压,可以为VDD...
一种三维电致伸缩收集电极的半导体探测器及其制备方法技术
本发明请求保护一种三维电致伸缩收集电极的半导体探测器及制备方法,其包括:半导体晶体、阴极和阳极;所述半导体晶体包括相对设置于所述半导体晶体两侧的第一面和第二面;所述阴极设于所述半导体晶体的第一面;所述阳极设于所述半导体晶体的第二面,所述...
基于FPGA的主动噪声控制系统模块化设计方法技术方案
本发明请求保护基于现场可编辑门阵列(FPGA)的主动噪声控制系统模块化设计方法。主要包括6个模块:白噪声信号发生器、卷积模块3、权值更新模块2、卷积模块2、权值更新模块1以及卷积模块1。本发明目的在于提高ANC系统的运算速度。创新点在于...
一种应用于PWM DC/DC的浮动栅宽自适应切换逻辑电路制造技术
本发明请求保护一种应用于PWM DC/DC的浮动栅宽自适应切换逻辑电路,该控制逻辑电路主要包括比较器、状态机、分频器和工作监测模块等。加入分频器可避免电路还未进入稳定时又再次改变状态机的状态。经过分频后的时钟信号再用作状态机的时钟,比较...
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