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成都知融科技股份有限公司专利技术
成都知融科技股份有限公司共有10项专利
一种单自由度射频同轴连接器固定结构制造技术
本申请涉及射频连接器领域,特别是涉及一种单自由度射频同轴连接器固定结构,包括中空结构的限位环,腔体和滑块,所述限位环位于腔体的顶部,所述腔体2的侧边设置有多个凹腔,所述凹腔内活动连接有所述滑块,所述滑块在凹腔沿一个方向运动,所述滑块与连...
一种0dB衰减器制造技术
本申请涉及毫米波电路领域,是应用在毫米波电路中的一种0dB衰减器,其包括支撑结构,所述支撑结构上设置有金属再布线层,所述金属再布线层上划分为一个信号传输区域和两个信号回流区域,两个信号回流区域分别设置在信号传输区域的两侧,所述信号传输区...
片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器制造技术
本申请涉及应用于移动设备的射频模块集成技术,公开了一种片上具有温度补偿功能的CMOS功率放大器,包括多路带隙基准电流源、第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路、第一偏置电路、第二偏置电路以及第三偏置电路,多路带隙基准电流源分别为...
片上集成检波功能的CMOS功率放大器芯片制造技术
本发明公开了片上集成检波功能的CMOS功率放大器芯片,属于通信技术领域。包括具有温度补偿功能的功率放大器和用于检测所述功率放大器的输出功率的功率检测器,通过在功率放大器的输出端口RF_out并联一个电阻,通过该电阻把射频信号传输至工作在...
一种双极化射频前端系统技术方案
本申请涉及雷达和通信领域,具体的说是一种具备开关切换和极化切换功能的双极化相控天线阵列射频前端系统,包括至少一组N个通道模块,每个通道模块分别包括ADC、混频器、数控移相衰减单元、波控系统、功分结构、电源控制系统、多个TR芯片和双极化天...
一种超宽带互连结构制造技术
本申请涉及雷达通信领域,具体的说是一种超宽带互连结构,其用于毫米波芯片封装互连及毫米波电路PCB板级互连,超宽带互连结构包括超宽带互连传输线和包括超宽带互连传输线和封装再布线层构成的共面波导结构,在共面波导结构的两端设置有用于互连的引出...
一种双极化射频前端系统技术方案
本申请涉及雷达和通信领域,具体的说是具备开关切换和极化切换功能的一种双极化射频前端系统,其包括至少一组N个通道模块,每个通道模块分别包括ADC、混频器、数控移相衰减单元、波控系统、功分结构、电源控制系统、多个TR芯片和双极化天线辐射单元...
一种超宽带互连结构制造技术
本申请涉及雷达通信领域,具体的说是一种超宽带互连结构,其用于毫米波芯片封装互连及毫米波电路PCB板级互连,超宽带互连结构包括超宽带互连传输线和由封装再布线层构成共面波导结构,在共面波导结构的两端设置有用于互连的引出端,所述引出端外接于P...
一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构制造技术
本实用新型涉及射频前端TR切换和雷达天线极化切换控制电路,具体涉及一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构,包括第一RF端口Tx,第二RF端口Rx,第三RF端口V、第四RF端口H和pHEMT晶体管。所述pHEMT晶体管的开关状态控制四个...
一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构制造技术
本发明涉及射频前端TR切换和雷达天线极化切换控制电路,具体涉及一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构,包括第一RF端口Tx,第二RF端口Rx,第三RF端口V、第四RF端口H和pHEMT晶体管。所述pHEMT晶体管的开关状态控制四个端口...
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