一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构制造技术

本发明专利技术涉及射频前端TR切换和雷达天线极化切换控制电路，具体涉及一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构，包括第一RF端口Tx，第二RF端口Rx，第三RF端口V、第四RF端口H和pHEMT晶体管。所述pHEMT晶体管的开关状态控制四个端口的开关状态；所述第一RF端口Tx分别通过两个开关与第三RF端口V和第四RF端口H连接；所述第二RF端口Rx分别通过两个开关与第三RF端口V和第四RF端口H连接。本申请用一个开关同时实现射频收发切换和天线极化切换两种功能，并能与适用于放大器的半导体工艺集成，提高TR芯片的集成度、减少装配步骤、提升产品一致性。

A kind of switch structure with the function of transmitting and receiving switching and polarization switching

【技术实现步骤摘要】
一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构
本专利技术涉及射频前端TR切换和雷达天线极化切换控制电路，具体涉及一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构。
技术介绍
射频（RF）开关用于选择性的打开或闭合射频信号的电连接。在很多应用中，高电子迁移率场效应晶体管(pHEMT)用作RF开关，有时使用PIN二极管，还可以使用双极结型晶体管(BJT)作为RF开关。现有的开关结构的不足之处主要在于：1.无法用一个开关同时实现射频收发切换和天线极化切换两种功能；2.在TR芯片(系统)的集成度、装配简化以及产品的一致性方面都存在不足。
技术实现思路
为实现上述专利技术目的，本申请通过如下的技术方案来实现：一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构，其特征在于：包括：第一RF端口Tx，第二RF端口Rx，第三RF端口V、第四RF端口H和pHEMT晶体管，所述pHEMT晶体管的开关状态控制四个端口的开关状态；所述第一RF端口Tx分别通过两个开关与第三RF端口V和第四RF端口H连接；所述第二RF端口Rx分别通过两个开关与第三RF端口V和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构，其特征在于：/n包括：第一RF端口Tx，第二RF端口Rx，第三RF端口V、第四RF端口H和pHEMT晶体管，所述pHEMT晶体管的开关状态控制四个端口的开关状态；所述第一RF端口Tx分别通过两个开关与第三RF端口V和第四RF端口H连接；所述第二RF端口Rx分别通过两个开关与第三RF端口V和第四RF端口H连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构，其特征在于：
包括：第一RF端口Tx，第二RF端口Rx，第三RF端口V、第四RF端口H和pHEMT晶体管，所述pHEMT晶体管的开关状态控制四个端口的开关状态；所述第一RF端口Tx分别通过两个开关与第三RF端口V和第四RF端口H连接；所述第二RF端口Rx分别通过两个开关与第三RF端口V和第四RF端口H连接。


2.根据权利要求1所述的一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构，其特征在于：所述pHEMT晶体管包含串联、并联和串并联组合，栅极电压供给电路，被配置为将栅极电压选择性提供至所述pHEMT晶体管的栅极端子。


3.根据权利要求1所述的一种具备收发切换和极化切换功能的开关结构，其特征在于：所述pHEMT晶体管被配置为当所述栅极电压供给电路提供栅极电压时在正向饱和或反向饱和中的一种状态下工作。

【专利技术属性】
技术研发人员：宋柏，刘秋实，
申请(专利权)人：成都知融科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51