本技术公开了一种可调谐低通滤波器，包括介质基板、置于所述介质基板两侧的接地层和微带线；所述微带线包括依次连接的第一激励端口、第一四分之一波长线、第二四分之一波长线、第三四分之一波长线和第二激励端口；所述第一激励端口和第一四分之一波长线的...

本发明公开了一种微带耦合器,包括方形的第一PCB板和通过过孔结构与第一PCB板电性连接的第二PCB板，第一PCB板上铺设有微带线结构；微带线结构包括第一微带线和第二微带线；第一微带线包括依次连接的直通输入段、第一耦合段、第一放射段、第一...

本发明公开了一种信号处理方法，包括以下步骤：获取至少两个影响因素下的数据组，所述数据组有2<supgt;n‑1</supgt;个，所述n为影响因素的个数，每个数据组包括2个数据且两个数据对应的影响因素仅一个影响因素不同，所有...

本发明提供一种低磁场深阻带可调带阻滤波器，属于微波磁学器件领域，包括谐振腔以及设于谐振腔内的平面化谐振电路，平面化谐振电路包括设于GGG衬底上的电路基板以及设于电路基板上的微波传输电路；电路基板采用YIG单晶材料制备；微波传输电路包括沿...

本技术公开了一种自动电平控制电路及设备，包括主链路和连接在主链路上的反馈环路，所述反馈环路包括依次连接的检波器、第一低通滤波放大电路、ADC电路、控制单元、DAC电路和第二低通滤波放大电路。其输出稳定度高且输出功率分辨率得到提升。

本实用新型涉及

本发明公开了一种PM调制方法、设备及介质,该调制方法适于具有斜坡的信号源调制，所述信号源包括斜坡段和非斜坡段；该方法包括以下步骤：确定信号源最终基带信号采样点数；根据信号源原始数据的采样率及最终基带信号的采样点数确定插值倍数；根据所述插...

本实用新型公开了一种多路相参信号源电路，包括：参考信号输出电路，所述参考信号输出电路用于提供一参考信号；信号倍频及分配电路，所述信号倍频及分配电路用于对所述参考信号进行倍频后进行分配，得到至少两路相位同步的第一输出信号和至少两路第二输出...

本发明提出了一种去本振源矢量网络分析仪校准电路及系统，其电路架构中去除了本振源。在整个系统矢量误差校准和器件散射参数测量的过程当中，四个射频通道链路上必需的本振信号均被一个上变频信号所取代，而该上变频信号是由激励源耦合一路之后并与固定中...

本发明公开了一种外部参考源信号识别同步设备，包括：电平驱动电路；检波电路；内参频率调节电路；用于产生第一晶振信号、实现第一晶振信号与电平驱动电路输出信号同步的第一锁相环电路；产生第二晶振信号、实现第一晶振信号与第二晶振信号同步的第二锁相...

本发明涉及射频微波技术领域，具体涉及是一种基于H桥的YTO驱动电路，包括YTO，其中还包括H桥驱动模块和控制模块；H桥驱动模块用于驱动YTO；控制模块用于调节H桥驱动模块的输出电压或输出电流。通过使用H桥驱动模块来驱动YTO，相较与传统...

一种定向耦合器，它包括壳体、耦合传输导体一、耦合传输导体二和绝缘固定块；所述耦合传输导体一和耦合传输导体二沿壳体的长度方向延伸，所述耦合传输导体一和耦合传输导体二间隔设置，并相互耦合，所述耦合传输导体一和耦合传输导体二固定设置在绝缘固定...

一种参考时钟信号生成系统，包括第一耦合器、选择开关控制模块、选择开关、晶振、第二耦合器、锁相模块和可调电阻；所述晶振的输入端与选择开关的输出端相连，所述晶振的输出端与第二耦合器的输入端相连；所述可调电阻的输入端与晶振的输出端相连，所述可...

本发明公开了一种悬置带状线滤波器，所述滤波器成中心对称结构，该滤波器包括介质基板、置于所述介质基板一侧的第一金属层和置于所述介质基板另一侧的第二金属层，所述第一金属层包括第一信号激励端口、第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器、...

本发明提供了一种耦合组件、定向耦合器、提高定向耦合器方向性的方法，其中所述耦合组件包括耦合传输导体一和耦合传输导体二，所述耦合传输导体一和耦合传输导体二之间设置有隔离件，所述隔离件用于使耦合传输导体一和耦合传输导体二的中部耦合，使耦合传...

本发明公开了一种衰减器和用于衰减器的开关组件，其中，衰减器包括壳体，壳体内设置有直通片、衰减片和簧片，壳体外设置有开关组件；衰减片固定设置在壳体的顶部，直通片固定设置在壳体的底部；簧片位于衰减片和直通片之间；开关组件包括直线舵机、升降杆...

本实用新型公开了一种YTF的S参数测试装置，包括：一矢量网络分析仪，所述矢量网络分析仪用于测量待测设备YTF；一控制单元，所述控制单元用于确定待测设备YTF的中心频率Fc以将所述矢量网络分析仪的测量中心设置为中心频率Fc后获取矢量网络分...

本发明涉及微波器件以及磁学技术领域，具体涉及是一种互补开口谐振环YIG限幅器，包括YIG薄膜，YIG薄膜一面接地，其中还包括中心金属平面和激励带线组；激励带线组蚀刻于YIG薄膜另一面；中心金属平面设于YIG薄膜另一面上方，中心金属平面上...

本发明涉及微波器件以及磁学技术领域，具体涉及是一种基于开口谐振环的YIG限幅器，包括YIG薄膜，其一面接地，其中还包括开口谐振环结构和激励带线组；开口谐振环结构和激励带线组蚀刻于YIG薄膜另一面，开口谐振环结构位于激励带线组中激励带线间...

本实用新型公开了一种16APSK的解映射电路，包括：第一支路，所述第一支路用于对待解映射基带数据的虚部信号进行处理以解析出该基带数据星座点信号对应二进制编码的最低位；第二支路，所述第二支路用于对待解映射的基带数据实部信号进行处理以解析出...