一种低磁场深阻带可调带阻滤波器制造技术

本发明专利技术提供一种低磁场深阻带可调带阻滤波器，属于微波磁学器件领域，包括谐振腔以及设于谐振腔内的平面化谐振电路，平面化谐振电路包括设于GGG衬底上的电路基板以及设于电路基板上的微波传输电路；电路基板采用YIG单晶材料制备；微波传输电路包括沿电路基板长度方向布置的第一微带线以及多个沿第一微带线长度方向在第一微带线两侧依次交错布置的第二微带线；第二微带线呈L型，其长臂平行于第一微带线且与第一微带线具有预定间隙，短臂垂直于长臂且朝向电路基板外侧布置，并通过连接谐振腔内壁实现接地。具有低磁场调谐、功耗小、阻带抑制深的优势，且结构紧凑、平面化，可以极大地减小传统可调谐带阻滤波器的体积、功耗以及装配难度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及微波磁学器件领域，尤其涉及一种低磁场深阻带可调带阻滤波器。

技术介绍

1、基于yig单晶材料的可低磁场深阻带可调带阻滤波器在微波领域里是一类十分重要的电子元器件，可调谐带阻滤波器具有调谐范围宽、抑制度高、调谐线性度好等优点，能够代替传统的滤波器组，实现极大地减小整机体积的功能。yig单晶材料介电常数高达15，据此得到的电路尺寸小，极大程度上减小滤波器体积，另外一个原因是yig单晶材料在外加偏置磁场的情况下，发生铁磁共振现象，使得滤波器阻带中心频率随着外加偏置磁场变化而呈现近似线性的变化。

2、通常，不可调谐的带阻滤波器频点是固定不可调谐的，而近年来的基于yig单晶材料设计的可调谐带阻滤波器大多是基于小球结构设计的，小球成品率极低，且整体腔体结构设计复杂，不易实现。除此之外，在现有的公开文献中，常常利用带通或者低通滤波器结合yig单晶材料的铁磁共振现象设计yig可调谐带阻滤波器，由于都是使用饱和磁化的方式，使得yig材料发生铁磁共振现象，所需磁场较大，进而功耗较大。

技术实现思路</p>

1、针对本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低磁场深阻带可调带阻滤波器，其特征在于，包括谐振腔（1）以及设于谐振腔（1）内的平面化谐振电路，平面化谐振电路包括设于GGG衬底（21）上的电路基板（22）以及设于电路基板（22）上的微波传输电路；

2.根据权利要求1所述的低磁场深阻带可调带阻滤波器，其特征在于，同侧的相邻两个第二微带线（4）之间的间隔距离与一个第二微带线（4）的长臂长度匹配，每个间隔处的位置均与另一侧的一个第二微带线（4）位置对应。

3.根据权利要求1所述的低磁场深阻带可调带阻滤波器，其特征在于，当任一侧具有偶数个第二微带线（4）时，该侧的第二微带线（4）关于最中间两个相邻第二微带线（4...

【技术特征摘要】

1.一种低磁场深阻带可调带阻滤波器，其特征在于，包括谐振腔（1）以及设于谐振腔（1）内的平面化谐振电路，平面化谐振电路包括设于ggg衬底（21）上的电路基板（22）以及设于电路基板（22）上的微波传输电路；

2.根据权利要求1所述的低磁场深阻带可调带阻滤波器，其特征在于，同侧的相邻两个第二微带线（4）之间的间隔距离与一个第二微带线（4）的长臂长度匹配，每个间隔处的位置均与另一侧的一个第二微带线（4）位置对应。

3.根据权利要求1所述的低磁场深阻带可调带阻滤波器，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凌彤，刘畅，王明，杜姗姗，
申请(专利权)人：成都威频科技有限公司，
类型：发明
国别省市：