一种基于开口谐振环的YIG限幅器制造技术

本发明专利技术涉及微波器件以及磁学技术领域，具体涉及是一种基于开口谐振环的YIG限幅器，包括YIG薄膜，其一面接地，其中还包括开口谐振环结构和激励带线组；开口谐振环结构和激励带线组蚀刻于YIG薄膜另一面，开口谐振环结构位于激励带线组中激励带线间，通过将YIG薄膜一面接地，另一面蚀刻出激励带线组的方式以YIG薄膜为介质形成微带线结构，能够将电磁场集中于YIG薄膜中能有效的实现自旋波的激励，使电磁波能量在薄膜内能够有效的进行传递，从而减小通带内插损，同时开口谐振环结构位于激励带线组中激励带线间可以实现YIG限幅器带内杂波的抑制同时能够有效的抑制带内谐振点，使得通带内的插损更平坦而且更有利于扩展频带。内的插损更平坦而且更有利于扩展频带。内的插损更平坦而且更有利于扩展频带。

【技术实现步骤摘要】
一种基于开口谐振环的YIG限幅器


[0001]本专利技术涉及微波器件以及磁学
，具体涉及是一种基于开口谐振环的YIG限幅器。

技术介绍

[0002]限幅器是一种当信号的功率大于其阈值功率时，信号产生大的衰减，其输出功率被限制在输出阈值功率附近。而当信号功率小于阈值功率时，信号以较低的衰减通过限幅器。限幅器能够抑制高功率信号保护后继电路，并抑制高功率信号对后继电路产生干扰。
[0003]常用的限幅器一般为半导体限幅器，半导体限幅器通常使用场景为高功率限幅，而针对卫星通信场景，普通的地面通信设备所产生信号便可能对卫星信号产生干扰，在该场景下需要对地面通信信号等小功率信号进行限幅，半导体限幅器无法对小功率信号产生限幅效果。
[0004]钇铁石榴石(YIG)限幅器使用YIG薄膜中的一致限幅特性，使得外界微波信号与YIG材料中的自旋波信号产生非线性耦合，从而实现限幅效果，其典型限幅功率可以低至
‑
20dBm，能够有效的实现对
‑
10dBm以下小功率信号的限幅作用。
[0005]现有文献MS本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于开口谐振环的YIG限幅器，包括YIG薄膜（1），所述YIG薄膜（1）一面接地，其特征在于，还包括开口谐振环结构和激励带线组；所述开口谐振环结构和激励带线组蚀刻于YIG薄膜（1）另一面，且开口谐振环结构位于激励带线组中激励带线间。2.根据权利要求1所述的一种基于开口谐振环的YIG限幅器，其特征在于，所述开口谐振环结构包括第一开口谐振环（7）和第二开口谐振环（8），所述第二开口谐振环（8）设于第一开口谐振环（7）内，且第一开口谐振环（7）和第二开口谐振环（8）几何中心重叠。3.根据权利要求2所述的一种基于开口谐振环的YIG限幅器，其特征在于，所述第一开口谐振环（7）的开口方向与第二开口谐振环（8）的开口方向不一致。4.根据权利要求1或2所述的一种基于开口谐振环的YIG限幅器，其特征在于，所述YIG薄膜（1）的接地一面设置有金属基板（2）。5.根据权利要求4所述的一种基于开口谐振环的YIG限幅器，其特征在于，所述激励带线组、YIG薄膜（1）和金属基板（2）形成微带线结构，且激励带线组用于进行静磁波激励。6.根据权利要求4所述的一种基于开口谐振环的YIG限幅器，其特征在于，所述激励带线组包括第一激励带线（3）和第二激励带线（4），...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘畅，樊鑫安，王明，杨青慧，
申请(专利权)人：成都威频科技有限公司，
类型：发明
国别省市：