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成都鸿芯纪元科技有限公司专利技术
成都鸿芯纪元科技有限公司共有8项专利
一种FPGA片上DLL电源制造技术
本实用新型公开一种FPGA片上DLL电源,包括依次连接的参考电压电路、单位增益缓冲器、低通滤波器和稳压器;参考电压电路用于提供1.2V和1.8V的双基准电压,单级增益缓冲器用于提高基准电压的输出反馈驱动和交流电压增益,低通滤波器用于去除...
一种FPGA上电复位系统技术方案
本实用新型公开一种FPGA上电复位系统,包括用于产生上电复位的POR脉冲信号的上电复位电路、用于确保POR信号的复位有效性的复位信号验证电路,上电复位电路和复位信号验证电路相连接,上电复位电路在芯片第一电源VDD上升到1.6V时发出上电...
一种FPGA片上低功耗系统技术方案
本实用新型公开一种FPGA片上低功耗系统,包括参考电压电路、上电复位模块、DLL电源模块、SRAM电源模块;所述参考电压电路提供1.2V和1.8V的双电压基准,上电复位模块包括一个在芯片电源上升到1.6V时发出上电复位的POR脉冲信号的...
一种FPGA片上SRAM电源制造技术
本实用新型公开一种FPGA片上SRAM电源:包括用于提供1.2V和1.8V的双基准电压的参考电压电路、用于检测SRAM电源电压值和1.2V基准电压并产生数字逻辑输出的电压检测器、用于抑制或补偿SRAM的电源电压并提高SRAM电源电压的驱...
一种FPGA片上低功耗系统技术方案
本发明公开一种FPGA片上低功耗系统,包括参考电压电路、上电复位模块、DLL电源模块、SRAM电源模块;所述参考电压电路提供1.2V和1.8V的双电压基准,上电复位模块包括一个在芯片电源上升到1.6V时发出上电复位的POR脉冲信号的上电...
一种FPGA片上SRAM电源制造技术
本发明公开一种FPGA片上SRAM电源:包括用于提供1.2V和1.8V的双基准电压的参考电压电路、用于检测SRAM电源电压值和1.2V基准电压并产生数字逻辑输出的电压检测器、用于抑制或补偿SRAM的电源电压并提高SRAM电源电压的驱动能...
一种FPGA片上DLL电源制造技术
本发明公开一种FPGA片上DLL电源,包括依次连接的参考电压电路、单位增益缓冲器、低通滤波器和稳压器;参考电压电路用于提供1.2V和1.8V的双基准电压,单级增益缓冲器用于提高基准电压的输出反馈驱动和交流电压增益,低通滤波器用于去除基准...
一种FPGA上电复位系统技术方案
本发明公开一种FPGA上电复位系统,包括用于产生上电复位的POR脉冲信号的上电复位电路、用于确保POR信号的复位有效性的复位信号检测电路,上电复位电路和复位信号检测电路相连接,上电复位电路在芯片第一电源VDD上升到1.6V时发出上电复位...
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