【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种FPGA片上SRAM电源，其特征在于：包括用于提供1.2V和1.8V的双基准电压的参考电压电路、用于检测SRAM电源电压值和1.2V基准电压并产生数字逻辑输出的电压检测器、用于抑制或补偿SRAM的电源电压并提高SRAM电源电压的驱动能力的电压比较器、用于产生电压泵输出电压的有效VCLK时钟信号的环形振荡器、用于为全芯片的SRAM单元提供3.3V的电源支持的电荷泵；所述参考电压电路连接电压检测器，所述电压检测器连接环形振荡器和SRAM单元，所述电压比较器连接电荷泵，所述环形振荡器连接电荷泵，所述电荷泵为SRAM单元提供工作电源。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何弢，
申请(专利权)人：成都鸿芯纪元科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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