成都恒远杰科技有限公司专利技术

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  • 本发明公开了一种片上波导集成硅化镁偏振分束型光电探测器的制备方法,属于光电探测器技术领域,本发明的制备方法为:刻蚀双层SOI基片形成定向耦合器形状;沉积二氧化硅至与顶层硅层平齐;部分刻蚀二氧化硅至上层二氧化硅埋氧层顶部,暴露出顶层硅层一...
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