本发明提供一种用于多MOCVD反应室的同步控制方法及装置，在串联式MOCVD反应室中，通过在当前反应室已完成其对应的外延层生长的工序，但负责下一工序的反应室尚未结束时，基于当前反应室的生长温度及下一反应室的生长温度，利用托盘径向上的温度...

本发明提供一种MOCVD反应腔室压力控制方法及装置，属于半导体气相沉积技术领域，本发明的MOCVD反应腔室压力控制方法，通过实时采集对MOCVD反应时反应腔室外的运行参数，并与更新后的对照表进行对比，可以避免这些间接参数存在的延时性影响...

本发明提供一种基板支撑装置，包括：承载盘，所述承载盘具有上表面、下表面和侧壁，其中上表面至少包括上表面边缘区，所述上表面边缘区与所述侧壁连接，所述侧壁位于所述上表面和所述下表面之间；多个口袋部，其至少设置在所述上表面边缘区内，用于支撑基...