本技术公开了一种反应腔室内部晶圆的升降机构，包括安装底座、气缸基座、双行程气缸、传动连接件、缓冲活塞组件和顶针，所述气缸基座安装在安装底座上，双行程气缸安装于气缸基座内部并作为升降动力源，所述传动连接件安装于双行程气缸的活塞杆上，所述缓...

本技术公开了一种等离子体刻蚀腔体电极冷却盘结构，涉及半导体制造领域，包括铸铝基座、用于循环冷却液的冷却液流道以及用于安装铸铝基座的腔体上盖，所述腔体上盖内部设置有上电极，上电极位于铸铝基座底部，所述冷却液流道由铸入铸铝基座内的内导流管以...