本发明提供了一种碳纳米管肖特基二极管及其制备方法

本发明提供一种微带天线和毫米波雷达

本发明公开了一种防静电芯片座，包括固定于带有电极和引脚的基板上的新材料芯片和防静电元件，所述新材料芯片固定于所述基板的第一表面且与所述电极连接，所述防静电元件固定于所述基板第一或第二表面且与所述电极连接，所述电极与所述引脚电连接。所述新...

本发明提供了一种基于碳纳米管肖特基二极管的单平衡混频器电路，包括如下结构：碳纳米管肖特基二极管一端与180

本发明提供基于碳纳米管肖特基二极管的倍频器电路，包括：碳纳米管肖特基二极管器件、低频带通滤波器、高频带通滤波器、输入阻抗匹配网络、输出阻抗匹配网络、射频输入端口和射频输出端口；碳纳米管肖特基二极管位于输入阻抗匹配网络与输出阻抗匹配网络之...

本发明提供了具有T型源漏电极的背栅场效应晶体管及其制备方法以及CMOS反相器。该背栅场效应晶体管包括第一介质层；背栅结构，包括栅介质层与背栅电极；半导体有源层，设置于栅介质层远离第一介质层的一侧；阈值调控层，设置于半导体有源层远离栅介质...

本公开提供了一种基底；至少一个第一电极，第一电极形成于基底之上；至少一个第二电极，第二电极形成于基底之上，且与第一电极间隔开；以及半导体沟道层，至少设置在第一电极和第二电极之间，其中，沟道层形成有第一类型掺杂区和第二类型掺杂区。本公开还...

本公开提供一种底栅自对准薄膜晶体管，包括：第一介质层；栅极，栅极设置在第一介质层之上；栅极绝缘层，栅极绝缘层设置在栅极之上；有源层，有源层设置在栅极绝缘层之上，有源层包括：源区层；漏区层；沟道层，沟道层设置在源区层与漏区层之间；第二介质...

本公开提供了一种碳纳米管表面聚合物的去除方法和电子器件。本公开的碳纳米管表面聚合物的去除方法包括：在超高真空环境中制备表面原子级平整的单晶金属基体；向所述单晶金属基体的表面转移碳纳米管的分散与筛选中制成的含有聚合物的碳纳米管溶液，使所述...

本公开提供了一种场效应晶体管及其制备方法。本公开的一些实施例中，场效应晶体管包括：衬底层；沟道层，通过在衬底层上沉积碳纳米管而形成；铁电栅介质层，位于沟道层的源漏沟道中间，通过在沟道层之上沉积掺杂氧化铪的铁电栅介质薄膜而形成；栅极，形成...

本公开提供了一种半导体晶体管及其制备方法。本公开的一些实施例中，半导体晶体管，包括：衬底层、沟道层、源极、漏极和栅叠层结构，栅叠层结构包括栅介质层和位于栅介质层之上的栅极，栅介质层形成于沟道层之上，半导体晶体管还包括：低k侧墙，低k侧墙...

本公开提供了一种碳纳米管背面双栅场效应晶体管，包括：碳纳米管有源层，碳纳米管有源层作为场效应晶体管的沟道层；源电极，源电极设置在碳纳米管有源层的第一侧；漏电极，漏电极设置在碳纳米管有源层的第一侧，且源电极与漏电极沿第一方向间隔地设置；背...

本公开提供了一种去除碳纳米管材料的表面聚合物的方法，包括：对碳纳米管材料进行退火处理，以使碳纳米管材料的表面聚合物转化为包括无定形碳在内的物质；将退火步骤处理之后的碳纳米管材料置于聚合物的良溶剂之中，以进行聚合物二次去除；以及对进行了聚...

本公开提供一种冷源晶体管器件，包括：基底层；冷源层，冷源层设置于基底层；条带层，条带层与冷源层连接，并通过相同材料制备；栅介质层，栅介质层的部分形成于冷源层的部分，栅介质层的部分覆盖条带层的部分；栅电极，栅电极设置于栅介质层；其中，冷源...

本公开提供了一种基于纳米材料的N型晶体管，包括：衬底层；半导体材料层，半导体材料层设置在衬底层上，以用于形成半导体沟道区；第一金属电极，第一金属电极设置在半导体材料层上以形成源电极；以及第二金属电极，第二金属电极设置在半导体材料层上以形...

本公开提供一种晶体管，其包括：衬底层；半导体沟道区，半导体沟道区形成于衬底层的上方；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成于半导体沟道区，并且第一电极和第二电极之间间隔预设距离；栅介质层，栅介质层至少形成于第一电极和第二电极的相对的...