晶体管及其制备方法技术

本公开提供一种晶体管，其包括：衬底层；半导体沟道区，半导体沟道区形成于衬底层的上方；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成于半导体沟道区，并且第一电极和第二电极之间间隔预设距离；栅介质层，栅介质层至少形成于第一电极和第二电极的相对的表面；以及栅电极，栅电极设置于第一电极和第二电极之间，并使得栅电极与第一电极之间，以及栅电极与第二电极之间均存在栅介质层；其中，衬底层形成有凹陷部，凹陷部具有底表面，半导体沟道区的下表面与凹陷部的底表面之间具有预设距离，或者半导体沟道区的部分与凹陷部的底表面接触。本公开还提供一种晶体管的制备方法。本公开还提供一种晶体管的制备方法。本公开还提供一种晶体管的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
晶体管及其制备方法


[0001]本公开涉及一种晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]在碳纳米管晶体管在制备过程中，由于采用了多种化学过程，导致碳纳米管和衬底间存在杂质残留，并且难以通过退火、化学清洗等常规手段去除，对晶体管的性能造成不利影响。
[0003]特别是目前集成电路实际应用所需的高纯度、高密度半导体碳纳米管阵列，首先基于聚合物包裹法分离出高纯度半导体碳纳米管溶液，再采用自组装方法在经化学过程处理的衬底上形成高密度阵列。由于碳纳米管表面包裹的聚合物和衬底上的修饰物，对晶体管的开态电流、跨导、阈值电压等关键参数产生不利影响。
[0004]因此，亟需设计一种晶体管结构及其制备方法来解决上述技术问题。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题之一，本公开提供了一种晶体管及其制备方法。
[0006]根据本公开的一个方面，提供了一种晶体管，其包括：
[0007]衬底层；
[0008]半导体沟道区，所述半导体沟道区形成于所述衬底层的上方；
[0009]第一电极和第二电极，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其特征在于，包括：衬底层；半导体沟道区，所述半导体沟道区形成于所述衬底层的上方；第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极形成于所述半导体沟道区，并且第一电极和第二电极之间间隔预设距离；栅介质层，所述栅介质层形成于所述半导体沟道区的至少部分上表面；以及栅电极，所述栅电极设置于所述第一电极和第二电极之间，并使得所述栅电极与所述第一电极之间，以及所述栅电极与所述第二电极之间均存在栅介质层；其中，所述衬底层形成有凹陷部，所述凹陷部具有底表面，所述半导体沟道区的下表面与所述凹陷部的底表面之间具有预设距离，或者所述半导体沟道区的部分与所述凹陷部的底表面接触。2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体沟道区的下表面为平面状或者大致为平面状，以便所述半导体沟道区与所述凹陷的底表面具有预设距离。3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述半导体沟道区的下表面的部分向下凸起，以使得所述半导体沟道区的部分位于所述凹陷部内。4.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述凹陷部形成于所述第一电极和第二电极之间的区域。5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，沿所述第一电极和第二电极的长度方向，所述凹陷部至少延伸超过所述半导体沟道区的一个端部。6.如权利要求1
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5之一所述的晶体管，其特征在于，所述栅介质层覆盖所述第一电极和第二电极相对的表面以及所述第一电极和第二电极之间的半导体沟道区；可选地，当半导体沟道区被设置于所述衬底层后，通过刻蚀工艺将半导体沟道区下方的衬底材料刻蚀一定深度，以便形成所述凹陷部；可选地，通过...

【专利技术属性】
技术研发人员：林艳霞，曹宇，张志勇，
申请(专利权)人：北京元芯碳基集成电路研究院北京华碳元芯电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：