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本公开提供一种晶体管，其包括：衬底层；半导体沟道区，半导体沟道区形成于衬底层的上方；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成于半导体沟道区，并且第一电极和第二电极之间间隔预设距离；栅介质层，栅介质层至少形成于第一电极和第二电极的相对的表面...该专利属于北京元芯碳基集成电路研究院北京华碳元芯电子科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京元芯碳基集成电路研究院北京华碳元芯电子科技有限责任公司授权不得商用。