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北京有色金属研究总院专利技术
北京有色金属研究总院共有2804项专利
一对扩增嗜酸硫杆菌属16S rRNA基因的引物以及实时PCR定量检测嗜酸硫杆菌的方法技术
本发明提供一对扩增嗜酸硫杆菌属16S?rRNA基因的引物以及实时PCR定量检测嗜酸硫杆菌的方法,所述的引物对包括:正向引物和反向引物,所述的正向引物的序列是(5’-GAGTTTGATCCTGGCTCAG-3’),反向引物的序列是5’-C...
多元素溅射靶材结构制造技术
本实用新型公布一种多元素溅射靶材结构,属薄膜材料制备领域。金属元素薄板靶材通过焊接层焊接在圆形的金属背板上,在靶材的溅射环区域内主元靶材和次元靶材各以6~12个扇形面交替等间隔镶嵌在靶材溅射环区域内。特别适用于贵金属靶材结构。本实用新型...
一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层均匀硒化装置制造方法及图纸
本实用新型公开一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层均匀硒化装置,属太阳能电池材料领域。装置由硒化腔和上盖两部分组成,两部分均用石英加工而成,并通过磨口密封。样品放置于硒化腔内的石英隔板中心的样品窗口上,冷却颈和上盖石英壁上的小孔通过焊接连...
一种12英寸硅片腐蚀机上装硅片用花篮制造技术
一种12英寸硅片腐蚀机装硅片用花篮,它包括:(1)正四边形的花篮主体;(2)位于花篮主体上方、并与花蓝主体相接的支架,支架上装有用来防止腐蚀过程中硅片飘出花篮的阻挡杆。硅片采用横放的方式,每次花篮装一片硅片进行腐蚀,可以改善硅片TTV。...
一种用于锗晶体平面电阻率测量的固定装置制造方法及图纸
本实用新型公开了属于材料测试设备技术领域的一种用于锗晶体平面电阻率测量的固定装置。导轨固定在底座上,轴承安装在导轨上,且沿导轨滑动,底板固定在轴承上,设置4个立臂,立臂通过压环固定在底板上,立臂在底板上沿压环旋转,每个立臂上端都有横臂,...
一种新型籽晶夹头制造技术
本实用新型属半导体材料制备设备领域,特别涉及一种新型籽晶夹头。籽晶夹头由夹头座和夹头嘴组成,夹头嘴的上部和夹头座的下连接孔螺纹连接,夹头嘴由左右对称的两个半圆块组成,每个半圆块的圆锥体一端中心有一个长方形卡槽,夹头嘴的两个半圆块合在一起...
一种锌阳极带低温脆性检测方法技术
本发明涉及一种锌阳极带低温脆性检测方法,包括如下步骤:(1)确定若干个试验温度点,制取相应规格和数量的试样;(2)试样冷却,保温4~5小时;(3)在某个试验温度点下,测出试样的最大弯曲直径;(4)改变冷却介质的温度为试验温度范围内的另一...
一种分布式熔焊实现靶材与背板连接的方法技术
本发明属一种分布式熔焊实现靶材与背板连接的方法。先对靶材与背板其中至少一个待连接表面进行粗化处理,后将靶材与背板压合在一起,再采用电子束、激光束等高能束流从背板表面进行分布式深熔焊,使得背板和靶材组件焊合在一起。本发明利用高能束能量密度...
一种非真空太阳光谱选择性吸收膜层及其制备方法技术
一种非真空太阳光谱选择性吸收膜层及其制备方法,该吸收膜层是在不锈钢或铜的基底上由里向外依次设有钛铝膜层、钛铝氮膜层、钛铝氧氮膜层和钛铝氧膜层;各膜层采用多弧离子镀进行制备,靶材采用钛和铝的原子比为50∶50的钛铝合金靶;通过控制多弧离子...
形状记忆合金位移叠加驱动机构制造技术
本发明属于驱动设备领域,涉及一种形状记忆合金位移叠加驱动机构。对形状记忆合金拉伸预变形后,将多根形状记忆合金丝材和多个圆筒组合相连,采用电流加热的方式使形状记忆合金丝材形状回复,由输出端输出多个丝材各自的回复位移的叠加值,实现位移动作。...
一种钛酸锶钡陶瓷电容器材料及其制备方法技术
本发明涉及一种钛酸锶钡陶瓷电容器材料及其制备方法,其特征在于:其组成和配比为:80vol%~98vol%的Ba↓[x]Sr↓[1-x]TiO↓[3],2vol%~20vol%的BaO-SiO↓[2]-B↓[2]O↓[3]系玻璃;所述Ba...
一种磷化镓多晶合成方法技术
本发明公开了一种磷化镓多晶合成方法,包括:合成炉室内充入氮气后加热,并使炉内氮气压力维持在20~30巴;磷炉升温至480~520℃,后炉升温至700~800℃,感应线圈中电流上升到40~150A且频率调制到10~20KHz,感应区域升温...
大直径硅片的制造方法技术
一种大直径硅片的制造方法,它包括以下的步骤:(1)将磨削后的硅片进行HF溶液漂洗,去除磨削后硅片表面的氧化层,提高双面抛光的去除速度;(2)将磨削片进行常规双面抛光;(3)将硅片进行单面精抛和清洗。本发明的工艺方法中用HF溶液去除磨削后...
一种硅片加工工艺制造技术
本发明公开了一种硅片加工工艺,它包括以下的步骤:(1)将倒角后的硅片用双面磨削机进行双面磨削;(2)用HF溶液和选自H↓[2]O↓[2]、O↓[3]中的一种组成混合溶液去除硅表面的微观凸起部分;(3)将硅片进行常规酸腐蚀;(4)将酸腐蚀...
一种从磨削废液中提取硅粉的方法技术
一种从磨削废液中提取硅粉的方法,该方法是往磨削废液加盐酸,控制pH在1.0-6.0之间,经静置、分离、干燥。盐酸浓度为0.1~37%,盐酸温度为15℃~60℃。可采用自然晾干的方法,自然晾干的过程中,盐酸和水都挥发掉了,因此硅粉里不含盐...
一种砷化镓晶片抛光后的清洗方法及甩干机技术
一种砷化镓晶片的清洗方法,它包括以下步骤:(1)超声波清洗:(2)浓硫酸清洗:抛光片放入70-100℃的浓硫酸(98%)中清洗,然后迅速提出放入常温的浓硫酸(98%)中清洗,清洗完后用去离子水冲洗;(3)碱液清洗:(4)将抛光片甩干;(...
萃取色层分离净化钴溶液的工艺方法技术
一种萃取色层分离净化钴溶液的工艺方法,它包括以下工序:色层柱萃取钴溶液;缓冲体系淋洗;反萃液淋洗-浓缩得到高纯钴溶液,所述的缓冲体系淋洗的淋洗液为pH值为2~3的HAc-NaAc缓冲溶液,用缓冲淋洗液把P507萃淋树脂柱中的镍淋洗到淋洗...
一种生产铜包铝排的挤压轧制复合法制造技术
一种生产铜包铝排的挤压轧制复合法,包括:第一步骤,选择壁厚均匀的铜管及与铜管内壁相过渡配合的铝棒,并清洗干净,去除油污及氧化层;第二步骤,将铝棒压入铜管内形成复合坯料,将复合坯料加热至400~540℃,保温30~60分钟,之后通过卧式挤...
一种生产铜包铝排的轧制法制造技术
一种生产铜包铝排的轧制法,包括:第一步骤,选择壁厚均匀的铜管及与铜管内壁相过渡配合的铝棒,并清洗干净,去除油污及氧化层;第二步骤,将铝棒压入铜管内形成复合坯料,两端封堵严密;第三步骤,加热至300~540℃,保温30~60分钟,然后进行...
锆铪分离用磷酸三丁酯萃淋树脂及其制备方法技术
本发明涉及一种锆铪分离用磷酸三丁酯萃淋树脂及其制备方法,其特征在于,在反应釜中加入溶剂,所述溶剂为水-醇类混合物,其混合重量比为100∶2~100;搅匀后,加入树脂,所述溶剂与所述树脂的重量比为100∶5~100;搅匀后加入磷酸三丁酯,...
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