北京有色金属研究总院专利技术

北京有色金属研究总院共有2804项专利

  • 本发明涉及一种在超导块材单轴模压成型过程中减小摩擦力的方法,该方法包括使用直径35~70mm、高80~100mm的圆柱形模具,在装料之前,先在模具内侧壁上涂覆一层脱模剂,然后把80~300g超导粉体装入该模具中,再采用单轴自动加压模压装...
  • 一种功率可达800kW的大功率电子枪,包括:一电子枪枪芯,置在枪室上筒上;枪芯上装有灯丝和阴极块;枪室上筒下装有阳极座,阳极座上装有阳极;阳极座和第一磁透镜的线圈固定为一体;在枪室下筒和底座之间装有带水冷的拦孔座,其上安装有拦孔;在枪的...
  • 本实用新型公开了一种多功能加热炉用水管连接器,其包括一内有直通水路的水嘴,该水嘴两端分别有水管接口,至少在水嘴的上侧管壁上开设有与水嘴内水路相通的排水、泄气接口,在水嘴的下侧壁上开设温度传感器接口,在排水、泄气接口有内螺纹,配设一平时用...
  • 本实用新型公开了一种电子束熔炼炉用整料进料装置,其由进料箱体、推料机构和进料辊道组成;进料箱体后端封闭,前端工作时与炉室连接并联通形成真空工作环境室;推料装置安装在进料箱体内的上部,其包括一由第一电机减速机驱动旋转的丝杠及套设在丝杠上的...
  • 本实用新型公开了属于形状记忆合金技术领域的一种提高形状记忆合金记忆稳定性的装置。该装置包括支座、夹具、时间继电器、恒流电源、钢丝线、滑轮、恒载荷和位移传感器,其中,夹具固定在支座上,形状记忆合金的一端固定在夹具上,形状记忆合金的另一端与...
  • 一种电解二氧化锰用大型全浸没钛锰合金涂层阳极板,由铸铝梁、拉杆单元、阳极条单元和筋板单元相互联接构成;其中,铸铝梁中内置有与电源连接的铜制接电耳或导电卡口及导电铜排;拉杆单元为一整排的钛拉杆,各钛拉杆的上端与导电铜排联接;阳极单元包括有...
  • 本实用新型公开了属于镁合金制备技术领域的一种镁合金机械移液泵熔剂夹杂屏蔽装置。熔剂夹杂屏蔽装置主要分成两部分:屏蔽套和悬挂支架,其中,屏蔽套为圆盆形状,悬挂支架由四根等长圆钢组成,组成悬挂支架的圆钢下端与屏蔽套外壁焊接相连。一种带有上述...
  • 本发明涉及一种铬二铝碳陶瓷靶材及其真空热压制备方法,包括将铬粉、铝粉和碳粉按照摩尔比2:(1~1.5):1配料,预压制坯;热压炉抽真空至10-1Pa,然后以5~10℃/min的速度升温到600~650℃,保温1~2小时;随后以10~20...
  • 高稳定度高压直流电源
    本实用新型公开了一种高稳定度高压直流电源,它包括震荡器,震荡器的输出端与功率推动级电路的输入端连接,功率推动级电路的输出端经由功率放大器与倍压电路的输入端连接,倍压电路的输出端与滤波电路的输入端连接,滤波电路的输出端分两路,一路与负载连...
  • 一种带有高温超导块材的低损耗微波腔体滤波器,其包括常导金属形成的外壳,以及由单畴高温超导块材加工成的内部部件。以及该微波腔体滤波器的制造方法。本实用新型利用高温超导块材在转变温度下的优良微波性能,替代原有常导金属制备的微波腔体滤波器中谐...
  • 一种大尺寸单畴稀土钡铜氧超导块材生长炉,其包括外炉壳,保温层,上炉盖,上加热盘,主加热丝,内炉膛壁,下加热盘,热电偶和精密控温仪;该外炉壳内设置保温层,保温层内为内炉膛壁,内炉膛壁外侧缠绕主加热丝,主加热丝的螺旋密度由下至上依次递减;该...
  • 一种用于粉体颗粒表面镀膜的对靶磁控溅射装置,该装置包括真空室、两端开口的滚筒、两个带限位斜面的支撑辊、电机及调速装置、两个磁控溅射靶架和溅射电源;支撑辊与调速装置相连,滚筒直接放在支撑辊上,通过支撑辊带动滚筒旋转,滚筒的两端开口处设有靶...
  • 本实用新型公开了一种电子束多晶硅提纯用铸锭坩埚,由坩埚外壳及位于其内的坩埚体组合构成,在两者之间夹置有隔水套;在坩埚体上套有螺旋槽水套,该螺旋槽水套紧夹置于坩埚体和隔水套之间。其冷却效率高,寿命长,易于更换和使用,是实现低成本、高品质的...
  • 一种薄金属长带焊接的辅助装置,包括:一个支撑底座,其上固定有至少一个手把,在一端面上开有和点焊机下电极部件宽度匹配的口;一个薄带限位台,固定在支撑底座上,在其整个长度方向上开有和薄带宽度一致的限位槽,限位槽底面与点焊机下电极上平面平齐,...
  • 本发明涉及一种烧结复合软磁材料及其制备方法,该材料由金属软磁、铁氧体软磁和低熔点的软磁合金所组成,金属软磁材料由Fe-Ni系、Fe-Co系、Fe-Co-V系、Fe-Al系、Fe-Al-Me系(Me是Co,Cr,Mo中的一种或两种以上)中...
  • 本实用新型公开了一种专用于锂硼合金熔炼的可拆卸坩埚,包括一底座和焊接在其上的坩埚炉体,所述坩埚炉体上端敞口,且为上端口大下端口小的斜壁炉体,一压座通过一垫片紧压在坩埚内的底座上并与其固定连接。底座呈正方体,四角位置开便于固定坩埚的U型孔...
  • 一种物理气相输运法生长碳化硅单晶用石墨坩埚,包括坩埚体和顶盖,该坩埚体内壁圆周上设有平台,该平台上设有导流锥,该导流锥为圆台状的筒体,其顶部尺寸与顶盖上籽晶片的尺寸相匹配;所述顶盖上设有提拉装置。该提拉装置包括提拉盘和提拉轴,该提拉盘与...
  • 本实用新型公开了一种曝气可调式三维电极反应器,包括有:一带有进气口的反应池,用于盛置目标溶液;反应池中置有与直流电源相接的一对阳极和阴极;在一对阳极和阴极的下方依序置有固定的细孔布气板和粗孔布气板;在所述的细孔布气板和粗孔布气板之间夹置...
  • 本实用新型涉及一种双重强制均匀化制备金属浆料的装置,包括控制杆、预制腔、主线圈、出料管、副线圈、热电偶、浆料出口、集渣槽、进液管、加热及保温层、热电偶、合金入口、液面高度传感器和气压管等,控制杆为径向对称体位于预制腔正中心,周围分布进液...
  • 一种半导体设备用高品质6061铝合金锻件的制备方法,包括(1)普通半连续铸造方法制坯;(2)6061铝合金的均匀化热处理采用双级均匀化工艺。第一级温度范围540~570℃,保温时间选择12~24h;第二级温度范围在570~620℃,保温...