一种３００ｍｍ硅片倒片装置，它包括：花篮固定底座、底座下部设两根导杆，底座的一侧装一推杆、推杆的下部设支架，支架上设滑动件，滑动件与导杆配合，在底座的两种花蓝之间设有两个滑移导轨，所述花篮固定底座上有四氟花篮固定销和ＰＰ花篮固定销。本实...

一种３００ｍｍ硅片倒片装置，它包括：花篮固定底座１，底座下部设两根导杆６，在导杆轴向的前后位置上各设一个推杆２，推杆的下部设支架，支架上设滑动件，滑动件与导杆上配合，在底座的两种花蓝之间设有两个滑移导轨３，所述花篮固定底座上有四氟花篮固...

本实用新型提供一种硅片适配器，它为一插板，插板的两侧边带凸条，凸条沿长度方向延伸，插板上与凸条平行位置设一长凹槽。本适配器结构简单、成本低、操作简便，硅片适配器由聚四氟乙烯加工而成，可以实现８英寸清洗设备对５英寸、６英寸硅片兼容。利用本...

一种用于硅片异丙醇干燥法中的异丙醇供应装置，它包括：阀门组；氮气供应管路；异丙醇吸附、释放装置；所述的阀门组、及氮气供应管路为并联安装的两条管路及阀门，且在其中一条氮气管路中串接一个文丘里，在文丘里侧壁接一条异丙醇供应管路，在文丘里与干...

本发明涉及二氧化锡透明导电膜的制造方法。以二氯二乙基锡为源，源蒸汽由惰性气体携带与氧化气体同时进入气体混合器中，再从喷头的喷口喷到４００－６００℃的衬底表面上，形成二氧化锡透明导电膜。该法省去了氟掺杂，节约了大量的稀释的氮气，简化了设备...

本发明涉及一种钙钛矿型稀土锰氧化物巨磁电阻材料、制备工艺及其用途。属于材料制造、传感及磁存储技术领域。本发明的巨磁电阻材料化学式为ＲＥ＃－［１－ｘ］Ｔ＃－［ｘ］ＤＯ＃－［３±ｙ］，其中ＲＥ＝Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｃｅ，Ｅｕ，Ｅｒ，Ｔ＝...

一种稀土超磁致伸缩材料的一步法制备工艺，其特征在于：该制备工艺包括下述步骤：　　　　（１）、采用其内设有熔炼坩埚、保温筒和可分离式的保温筒底座的真空室，其中，保温筒底座为中空状，并带进出水口，保温筒底座连接可使其上、下移动的驱动装置，将...

本发明公开了一种本发明采用以无机盐为前驱物的溶胶。凝胶法制备ＹＢＣＯ涂层导体用ＣｅＯ↓［２］隔离层。以Ｃｅ（ＮＯ↓［３］）↓［３］.６Ｈ↓［２］Ｏ和（ＮＨ↓［２］）↓［２］ＣＯ作为起始原料配成水溶液，利用水浴加热使其水解形成溶胶，把该溶...

本发明公开了一种低密度低热膨胀系数高热导率的Ｓｉ－Ａｌ合金封装材料及其制备方法，按重量百分比计，该合金成分为Ｓｉ５０～７０ｗｔ％，Ａｌ为余量。按合金成分配料，将原料熔化，浇铸成合金预制锭。在１６００～１７００℃将合金预制锭熔化，以惰性气...

一种生长立方织构氧化镍隔离层的方法，其特征在于：该方法包括下述步骤：　　　　（１）将具有高度立方织构的金属镍片进行清洁处理，表面不留水迹、污渍；　　　　（２）清洗后的金属镍片置于１１００－１２５０℃高温炉中，空气环境恒温２－３０分钟；　...

一种多层双轴取向隔离层结构，其特征在于：它是在立方织构金属镍表面上，通过氧化外延生长立方织构氧化镍种子层，其上生长钇稳定二氧化锆阻挡层和二氧化铈ＣｅＯ↓［２］帽子层。

一种消除硅单晶片器件制作区原生坑缺陷的方法，其特征是，包括以下步骤：　　　　（１）以通常直拉法法生长的硅晶体的硅单晶片为原始硅片，　　　　（２）通过低剂量重离子注入，将重离子Ｇｅ↑［＋］或Ｓｉ↑［＋］注入到经过清洗过的原始硅片表层中，使...

本发明公开了一种发光装置，其中包含一种紫外光、或紫光、或蓝光半导体发光芯片，以及可有效吸收半导体发光芯片的发光并释放出不同颜色光的荧光粉。其中紫外光、或紫光、或蓝光半导体发光芯片是指发光主峰波长位于３５０ｎｍ－５００ｎｍ的半导体发光元件...

一种晶圆氧化膜边缘的去除方法及装置，该方法包括以下几个步骤：将放有晶圆硅片的片架对准转轮，使硅片与转轮接触；转动转轮，带动片架内硅片转动，转轮上布袋浸有的氢氟酸与硅片氧化膜边缘作用；与电机转动的同时，开动位于片架上方的风机，调节箱体内空...

本发明涉及一种管式抛光压力环，其特征在于：所述管式抛光压力环为具有弹性且形成闭环的管，管内充有适量的液体。当所述压力环受压时，在陶瓷板变形的过程中，压力环中的水发生流动而使压力环也发生形变，这样，陶瓷板上的受力只是大小会发生变化，而作用...

本发明涉及一种对氢气敏感的半导体传感器敏感元件及其制作方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制作方法的特征在于：采用射频溅射工艺在Ｓｉ（１００）片上制备ｎ－ＳｎＯ↓［２－ｘ］薄膜层，再在二氧化锡层上制备Ｐｄ－Ｎｉ层，形成Ｐｄ－...

本发明公开了一种获得洁净区的硅片快速热处理工艺方法及其产品。该方法包括：（１）在Ａｒ／ＮＨ↓［３］／Ｈ↓［２］或Ｎ↓［２］／ＮＨ↓［３］／Ｈ↓［２］混合气的气氛中，将硅片加热到１１５０～１２５０℃，再将硅片在１１５０～１２５０℃条件下保...

本发明涉及米粒状荧光粉及其制造方法，以及使用这种荧光粉制成的器件。具体内容包括一种米粒状荧光粉，平均粒径长径为０．１－５μｍ，长宽比为１．２－５。该荧光粉的颗粒为米粒状，束腰状和无角圆柱状。其制备方法包含制造前驱物，前驱物中混入气体阻隔...

本发明提供了一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟，它包括固定片，舟脚棒，上料棒，下料棒，所述的下料棒为三个，其中，位于中间的下料棒开槽，槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，该硅片的下边缘不能与棒槽的槽底相接触，下料位于两侧的支撑用下料棒的...

一种可被紫外、紫光或蓝光ＬＥＤ有效激发而发可见光的荧光粉及其制造方法和所制成的电光源。该荧光粉同时含有稀土、硅、碱土金属、卤素、氧，以及铝或镓，其化学式为ａＬｎ↓［２］Ｏ↓［３］.ＭＯ.ｂＭ’↓［２］Ｏ↓［３］.ｆＳｉＯ↓［２］.ｃＡＸ...