【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于硅片清洗后使用异丙醇(IPA)干燥法对硅 片进行干燥时的一种异丙醇供应装置，特别是用于大直径硅片的异丙醇干 燥中。技术背景随着半导体技术的不断发展，硅片的直径在不断增大，而集成电路的 线宽在不断减小，由此来增加图形密度。因此对硅片表面的清洁度要求越 来越高。在典型的集成电路生产中要经过几十道的清洗工艺，硅片表面的 颗粒、有机物、金属、微粗糙度、自然氧化层等会严重影响器件性能，据 统计，清洗不佳引起的器件失效超过集成电路制造中总损失的一半。因此， 硅片清洗技术的发展在整个超大规模集成电路的制造中至关重要。而在硅 片清洗技术中，硅片的干燥又尤为重要，因为硅片干燥通常为整个清洗过 程的最后一步，如果处理不当，将会前功尽弃。在目前使用的硅片干燥法中，较为先进的是IPA干燥法，在该干燥法 中，IPA的供应为其核心技术，如何持续、稳定、适量的将IPA供应到干 燥槽中至关重要。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种硅片清洗后进行异丙醇干燥时异丙醇 的供应装置，该供应装置可以做到IPA持续、稳定、适量的供应到干燥槽 中，从而保证硅片清洗的效果。为达到上述目的，本技术采用以下技术方案这种用于硅片异丙醇干燥法中的异丙醇供应装置，它包括阀门组； 氮气供应管路；异丙醇吸附、释放装置；所述的阀门组、及氮气供应管路 为并联安装的两条管路及阀门，且在其中一条氮气管路中串接一个文丘 里，在文丘里侧壁接一条异丙醇供应管路，在文丘里与干燥槽之间接一异 丙醇吸附、释放装置。本技术所用的材料是符合集成电路制造要求(不会带来颗粒、 金属等沾污)的高纯材料，如高纯全氟代烷氧乙烯...
【技术保护点】
一种用于硅片异丙醇干燥法中的异丙醇供应装置，其特征在于：它包括：阀门组；氮气供应管路；异丙醇吸附、释放装置；所述的阀门组、及氮气供应管路为并联安装的两条管路及阀门，且在其中一条氮气管路中串接一个文丘里，在文丘里侧壁接一条异丙醇供应管路，在文丘里与干燥槽之间接一异丙醇吸附、释放装置。
【技术特征摘要】
1.一种用于硅片异丙醇干燥法中的异丙醇供应装置，其特征在于它包括阀门组；氮气供应管路；异丙醇吸附、释放装置；所述的阀门组、及氮气供应管路为并联安装的两条管路及阀门，且在其中一条氮气管路中串接一个文丘里，在文丘里侧壁接一条异丙醇供应管路，在文丘里与干燥槽之间接一异丙醇吸附、释放装置。2. 按照...
【专利技术属性】
技术研发人员：阎志瑞，库黎明，张国栋，盛芳毓，索思卓，葛钟，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，有研半导体材料股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
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