本申请公开了一种3D垂直互连功率模块制作方法及功率模块，属于半导体技术领域，该方法包括：根据电热仿真结果，制备三维互连的三维互连框架预制体；对基板进行预处理，通过贴片机将SiC MOSFET芯片贴装到所述基板上，形成芯片基板贴装体；将所...

本发明涉及一种降低导通电阻的碳化硅MOSFET，包括一碳化硅衬底，所述碳化硅衬底上具有一碳化硅漂移区，与所述碳化硅漂移区相对的一面具有一漏极；所述碳化硅漂移区上内嵌设置有两个台阶状的P型区域，所述P型区域的顶面内嵌有N+区；所述碳化硅漂...

本申请公开了一种具有半超结SBD的SiC MOSFET及其制备方法，涉及功率半导体器件技术领域，所述SiC MOSFET包括：自下而上层设置的漏极，n+SiC衬底，nSiC漂移区以及n+SiC漂移区；Pwell区，N+区和P+区；所述n...

本发明涉及一种沟槽栅型碳化硅MOSFET栅级氧化层的制备方法，包括：在碳化硅衬底上刻蚀形成栅沟槽后上载至高温炉管中；在第一温度和氧化性气体的氛围中，对形成栅沟槽的碳化硅衬底进行第一次氧化层生长；对碳化硅衬底进行第二次氧化层沉积，在第二温...

本发明涉及一种活性金属钎焊覆铜陶瓷基板制作方法，包括如下步骤：步骤1：根据铜层形状制作预制铜片，同时在陶瓷基板上进行钎焊料印刷；步骤2：将所述预制铜片贴敷至所述陶瓷基板的相应位置；步骤3：将贴敷有预制铜片的陶瓷基板进行高温真空钎焊；步骤...

本发明涉及一种电流谐波提取和抑制的方法，包括如下步骤：步骤1：采用数字带通滤波器对输出电流中目标阶次的谐波信号进行提取；步骤2：将所述谐波信号作为负向反馈信号，与正向参考信号共同引入至第一控制系统中输出电流谐波抑制调制分量；步骤3：将输...