北京微电子技术研究所专利技术

北京微电子技术研究所共有311项专利

  • 本发明属于电子设计自动化、静态时序分析领域,具体涉及一种用于FPGA静态时序分析的并行优化方法,旨在解决现有技术中静态时序分析计算效率低、编译时间长的问题。本发明方法包括:根据构建的面向FPGA的STA数据结构对时序图、时序约束进行内存...
  • 本发明提供了一种频率自适应的占空比调制电路,接收可变频率时钟、参考电压源,实现固定占空比的脉冲波形输出,解决了脉宽调制电路的占空比无法直接受控的技术难题,除必须的输入时钟信号外,无需接收额外数字控制信号对脉宽进行人为干预,具有输出波形毛...
  • 一种涂胶产品及台面涂胶方法,主要强调的是台面光刻胶的全覆盖性,主要步骤:(1)采用粘附性强的负性光刻胶;(2)选用合适旋转速度,利用旋转涂胶方法涂光刻胶;(3)选用高粘附性负性光刻胶和合适的选转速度进行涂胶、曝光、显影,然后再次重复涂胶...
  • 本发明属于电子器件领域,具体涉及了一种抗SET加固的鉴频鉴相器,旨在解决现有的SET注入会改变PFD的输出逻辑状态,后级电路得到错误的相位差指示信号的问题。本发明包括:第一级单元的输出UP信号和输出DOWN信号作为输入控制逻辑的输入,输...
  • 本发明提供的一种全介质共振增强型光电探测器及其制作方法,属于微纳加工和硅基光电探测器领域。该增强型光电探测器包括底层SOI衬底;置于所述衬底上方的第一Si掺杂层;置于所述第一Si掺杂层上方的半导体吸收层,所述半导体吸收层内部设计为周期性...
  • 本发明属于电路应用领域,具体涉及了一种针对陶瓷封装FPGA的封装阻抗压降的二级电压反馈系统,旨在解决现有的方法存在着无法补偿陶瓷封装芯片因封装产生的压降的问题。本发明包括:开关电源的反馈环路的采样点连接至FPGA芯片背面电源引脚;DAC...
  • 本发明公开了一种采用负反馈网络的全差分余量放大器,包括:两级全差分运放、共模信号放大电路、采样网络和负反馈网络;其中,采样网络与两级全差分运放串联;负反馈网络并联接入两级全差分运放;共模信号放大电路并联接入两级全差分运放的第一级运放。本...
  • 本技术属于半导体器件测试技术领域,具体涉及了一种用于热阻测试的MOS器件无损测试夹具,旨在解决现有技术测试效率低,无法进行批量快速测试,增加了人工及时间成本的问题。本技术包括:测试板、导线、测试座和插排;测试板与导线的一端电连接,导线的...
  • 本发明属于强辐照环境退化图像处理领域,具体涉及一种基于深度残差网络的固定模式噪声消除方法,旨在解决应用于辐照环境中的摄像设备普遍存在辐射引起的图像退化,而现有去噪方法难以去除动态存在的固定模式噪声,进而无法获取清晰图像的问题。本发明方法...
  • 本发明属于信号处理技术领域,具体涉及一种多通道高速采样的多级相位修正方法、系统,旨在解决高复杂度FPGA设计导致的延时值难以校正、采样误差大,无法保证高速ADC稳定可靠的工作的问题。本发明方法包括:使用FPGA芯片配置多通道模数转换器的...
  • 本发明属于高速信号采集输出技术领域,具体涉及了一种基于相位自反馈的AD片或DA片的同步方法及系统,旨在解决现有的系统中的两片难以保持同步且容易受环境温度的影响的问题。本发明包括:初始化两路的SYNC信号延时;对两路进行SYNC信号延时;...
  • 本发明提供一种面向Chiplet架构微系统的单粒子闩锁效应试验系统,Chiplet微系统测试板卡用于Chiplet微系统进行单粒子闩锁试验,由微系统所需外围供电电路、存储电路、通信电路等组成;多路可调供电模块用于向Chiplet微系统测...
  • 本发明属于通信技术领域,具体涉及了一种基于通用IO加载SPARC架构SoC的方法及系统,旨在解决现有的引导方法存在着为非易失存储器加载,更换程序较为繁琐,且具有风险项的问题。本发明包括:对ELF文件进行解析,得到加载代码段数据字节数组的...
  • 本发明提供一种面向空间紧凑型瞄具的异构信息处理微系统,采用微系统集成工艺在单个封装内集成:数据处理模组,用于数据计算处理和算法实现;多元混合存储模组,为微系统启动和运行提供大容量存储空间支持;信息交互接口模组,用于微系统内部及与外部的信...
  • 本发明公开了一种抗双节点翻转加固的锁存器电路结构,反相器电路用于反相输入数据信号D、产生时钟信号CLKNN以及输出Q;延时电路用于延时瞬态脉冲;C单元结构用于滤波;时钟控制输入结构用于控制信号在锁存器中的传播;锁存器电路用于保证电路在受...
  • 本发明属于器件检测与定位技术领域,具体涉及一种叠层封装半导体器件缺陷检测与定位方法、系统,旨在解决叠层封装半导体器件的缺陷难以定位的问题。本方法包括:获取失效的叠层封装半导体器件的结构参数、材料参数;若叠层封装半导体器件为陶瓷封装器件,...
  • 本发明涉及一种FinFET工艺的冗余反馈锁存多层次抗单粒子加固触发器,包括数据输入结构、时钟输入结构、四个时钟控制结构,延时结构、数据主锁存结构、数据从锁存结构和数据输出结构,触发器对数据主锁存结构和数据从锁存结构均使用冗余反馈电路锁存...
  • 本发明公开了一种更少敏感节点的抗单粒子翻转锁存器电路结构,包括:时钟滤波电路、延时滤波电路、锁存电路和堆叠反相器电路。时钟滤波电路用于过滤时钟端的单粒子瞬态脉冲并向所述的锁存电路提供时钟信号。延时滤波电路用于过滤数据端单粒子瞬态脉冲并向...
  • 本发明提出一种用于高速串行IO接口接收端的通用测试采样电路,包括第一低通滤波器、第二低通滤波器和第一RX测试采样电路、第二RX测试采样电路以及第一比较器、第二比较器和为两个RX测试采样电路和两个比较器提供参考电压及偏置电压的RX测试偏置...
  • 本发明涉及一种低压低电容双向瞬态抑制二极管,属于二极管设计领域;陶瓷管壳的内腔底部上表面设置有粘片区;N+NP+N+结构瞬态抑制二极管管芯和P+PN+P+结构瞬态抑制二极管管芯的底部电极共晶焊在粘片区上;压点设置在陶瓷管壳的内腔底部上表...
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