北京赛微电子股份有限公司专利技术

北京赛微电子股份有限公司共有5项专利

  • 本发明公开了一种毫米波传输线的制造方法,属于通信技术领域。所述制造方法包括:在衬底上形成依次堆叠的第一种子层、多个底部金属支撑柱、介电层、第二种子层、多个顶部金属支撑柱和第三种子层;对所述第三种子层进行图形化处理,以在所述第三种子层上形...
  • 本申请实施例提供一种硅基衬底刻蚀方法及电子器件,涉及半导体器件技术领域,可以减小硅基衬底内的凹槽和/或通孔的侧壁粗糙度,提高凹槽和/或通孔的垂直度,增大凹槽和/或通孔的深宽比,提高电子器件的集成度。硅基衬底刻蚀方法,包括:在反应腔室中通...
  • 本发明公开了一种基于空气芯微同轴的皮肤癌检测器及其制造方法,属于微波测量技术领域。该皮肤癌检测器,包括矩形外导体、内导体和多个支撑结构;矩形外导体为内部具有空气腔体的中空结构,多个支撑结构沿矩形外导体的轴向固定设置在空气腔体中;内导体位...
  • 本发明公开了一种基于硅通孔技术的片上功分器,属于无源器件技术领域。该功分器的硅基板内具有贯穿硅基板上下表面的多组TSV结构,每组TSV均包括一个射频TSV结构以及围绕射频TSV结构布置的多个接地TSV结构;功分器还包括位于射频TSV结构...
  • 本申请的实施例提供了一种硅转接板的制备方法、及硅转接板,所述方法包括:对硅晶圆进行刻蚀,以在所述硅晶圆中形成硅通孔,所述硅晶圆的厚度大于600um;对所述硅通孔进行预处理,以去除所述硅通孔内的杂质;在所述硅通孔预处理后,执行循环过程直至...
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