【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及无源器件，尤其涉及一种基于硅通孔技术的功分器。
技术介绍
1、功率分配器是功分器芯片应用电路中最常见的一种。它可以将输入信号均匀地分配到多个输出端口上。随着各种sip(系统级封装)系统的发展与成熟，多功能晶圆之间键合是必要选择，特别是需要将一个晶圆的底层或者顶层的功率输出，以一定的比例分配给晶圆另一侧的层，以方便整体设计和键合。
2、然而，目前所设计的功分器只是在单一平面进行布线，垂直部分纵向常采用垂直互连线。如将底层的能量，分别馈送给顶层的器件，平面功分器和垂直传输线两者往往独立设计，如此设计不仅增加一部分损耗，而且占用的面积比较大，且无法实现晶圆穿透，不便于晶圆之间的键合。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种基于硅通孔技术的功分器，设计不再局限于二维平面的束缚，几何尺寸小，同时输入和输出在硅基板的上下两侧，可以穿透晶圆，适用于晶圆键合，易于进一步集成。
2、本专利技术实施例提供了一种基于硅通孔技术的功分器，包括从上至下依次设置的上rdl布线层、上介质层、上金属层、硅基板、下金属层、下介质层和下rdl布线层；
3、所述硅基板内具有贯穿所述硅基板上下表面的多组tsv结构，每组tsv均包括一个射频tsv结构以及围绕所述射频tsv结构布置的多个接地tsv结构；
4、所述功分器还包括位于所述射频tsv结构两端的金属连接柱，所述上金属层和所述下金属层上均开设有
5、其中，所述上rdl布线层、所述上介质层和所述上金属层构成的输入微带线作为所述功分器的输入端口，所述下rdl布线层、所述下介质层和所述下金属层构成的输出微带线作为所述功分器的输出端口。
6、可选地，每个tsv结构均包括填充在tsv通孔内的金属柱和介质环，所述介质环位于所述金属柱和所述硅基板之间，所述介质环为绝缘环。
7、可选地，所述介质环的厚度为0.2～0.5um。
8、可选地，每组tsv结构均包括n个接地tsv结构，所述n个接地tsv结构围绕所述射频tsv结构等距间隔布置，n≥3。
9、可选地，相邻两组tsv结构中的所述n个接地tsv结构部分复用。
10、可选地，所述硅基板内具有两组tsv结构，每组所述tsv结构均包括6个接地tsv结构。
11、可选地，每个tsv结构的深宽比均小于5：1。
12、可选地，所述功分器的两个输出端口分别设有通过植入隔离薄膜电阻的方式形成的pad。
13、可选地，所述硅基板为高阻硅晶圆。
14、可选地，所述上介质层和所述下介质层均为二氧化硅层。
15、本专利技术实施例中提供的技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
16、本专利技术实施例提供的一种基于硅通孔技术的功分器，通过在硅基板内形成贯穿硅基板上下表面的多组tsv结构，其中，每组tsv结构均包括射频tsv结构以及多个接地tsv结构，射频tsv结构可以通过金属连接柱与上下rdl布线层连接，形成阻抗作为功分器的一部分。与现有技术相比，空间利用率更高，设计不再局限于二维平面的束缚，几何尺寸小。且输入和输出位于晶圆的两个相反的平面，可以穿透晶圆，方便的实现晶圆间键合，易于进一步集成，同时采用两层金属层隔离，输入输出端口隔离度增大。
17、上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。
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1.一种基于硅通孔技术的功分器，其特征在于，包括从上至下依次设置的上RDL布线层、上介质层、上金属层、硅基板、下金属层、下介质层和下RDL布线层；
2.根据权利要求1所述的功分器，其特征在于，每个TSV结构均包括填充在TSV通孔内的金属柱和介质环，所述介质环位于所述金属柱和所述硅基板之间，所述介质环为绝缘环。
3.根据权利要求2所述的功分器，其特征在于，所述介质环的厚度为0.2～0.5um。
4.根据权利要求1所述的功分器，其特征在于，每组TSV结构均包括N个接地TSV结构，所述N个接地TSV结构围绕所述射频TSV结构等距间隔布置，N≥3。
5.根据权利要求4所述的功分器，其特征在于，相邻两组TSV结构中的所述N个接地TSV结构部分复用。
6.根据权利要求5所述的功分器，其特征在于，所述硅基板内具有两组TSV结构，每组所述TSV结构均包括6个接地TSV结构。
7.根据权利要求1所述的功分器，其特征在于，每个TSV结构的深宽比均小于5：1。
8.根据权利要求1所述的功分器，其特征在于，所述功分器的两
9.根据权利要求1所述的功分器，其特征在于，所述硅基板为高阻硅晶圆。
10.根据权利要求1所述的功分器，其特征在于，所述上介质层和所述下介质层均为二氧化硅层。
...【技术特征摘要】
1.一种基于硅通孔技术的功分器，其特征在于，包括从上至下依次设置的上rdl布线层、上介质层、上金属层、硅基板、下金属层、下介质层和下rdl布线层；
2.根据权利要求1所述的功分器，其特征在于，每个tsv结构均包括填充在tsv通孔内的金属柱和介质环，所述介质环位于所述金属柱和所述硅基板之间，所述介质环为绝缘环。
3.根据权利要求2所述的功分器，其特征在于，所述介质环的厚度为0.2～0.5um。
4.根据权利要求1所述的功分器，其特征在于，每组tsv结构均包括n个接地tsv结构，所述n个接地tsv结构围绕所述射频tsv结构等距间隔布置，n≥3。
5.根据权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘燕春，杨云春，陆原，裘进，沈涛，
申请(专利权)人：北京赛微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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