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本发明公开了一种基于硅通孔技术的片上功分器，属于无源器件技术领域。该功分器的硅基板内具有贯穿硅基板上下表面的多组TSV结构，每组TSV均包括一个射频TSV结构以及围绕射频TSV结构布置的多个接地TSV结构；功分器还包括位于射频TSV结构两端...
该专利属于北京赛微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京赛微电子股份有限公司授权不得商用。

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