本发明提供了一种控制碳纳米管取向排列、分布及密度的方法，属于碳纳米管加工技术领域。其步骤包括：按照碳纳米管取向排列要求，制备电极，碳纳米管分散于有机溶剂中，并控制碳纳米管的浓度，将含有碳纳米管的溶液滴于预制有电极的硅衬底上，电极间施加交...

本发明提供一种制备碳纳米管交叉阵列的方法，属于碳纳米管的加工技术领域。该方法包括：将基片浸于碳纳米管溶液，碳纳米管可与基片表面或基片表面的分子吸附，待提拉基片，碳纳米管在液／固（溶液与基片）界面处，将同时受多种力作用，基片被提拉出液面时...

本发明公开了异径单壁碳纳米管的制备方法。本发明方法，包括如下步骤：１）将固定有催化剂的基片放入化学气相沉积系统的石英管中并使带有催化剂的一端正对着气流方向；将催化剂在Ａｒ／Ｈ↓［２］气氛中加热到８５０℃－１０００℃；２）通过Ａｒ载带乙醇...

本发明公开了一种氢化镁纳米颗粒材料及其制备方法和用途。采用电弧加热的方法制备纳米级镁粉，再氢化得到粒径为５０～６００ｎｍ的ＭｇＨ↓［２］颗粒产品。本发明的纳米级ＭｇＨ↓［２］颗粒纯度高，在用作储氢材料时具有十分优良的吸放氢动力学性质，因...

本发明提供一种对成本低、有广泛应用前景的锰矿山矿产品进行深加工，从而获得锰钾矿型八面体分子筛产品的方法：利用锰矿山现有粗产品ＭｎＳＯ↓［４］.Ｈ↓［２］Ｏ与过量的ＫＯＨ碱液曝气搅拌反应后，过滤、洗涤并干燥，然后５００℃～８００℃煅烧１小...

本发明的目的在于提供一种金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法，该金属性和半导体性单壁碳纳米管的同步分离与组装方法包括如下步骤：通过常规光刻在含二氧化硅的衬底上制备金电极的步骤；利用聚焦离子束在电极上刻出若干个间隙的步骤；将上...

本发明提供一种控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法，属于纳米结构制备和加工技术领域。该方法包括：（１）在生长基底上制备单壁碳纳米管阵列结构；（２）在其制有单壁碳纳米管阵列结构的生长基底表面旋涂一层聚酯溶液，置于烘箱中烘烤除去溶剂，形成聚酯...

本发明的目的在于提供一种单壁碳纳米管的表面组装方法，一种单壁碳纳米管的表面组装方法，包括：将单壁碳纳米管长管样品加入到浓硫酸和浓硝酸混酸液中对单壁碳纳米管进行处理的步骤，通过该步骤的处理对单壁碳纳米管进行裁剪与羧基功能化；自组装步骤，在...

本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：１）在基底上放置催化剂；２）将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上生长得到半导体性...

本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在１８０ｎｍ～１１...

本发明公开了一种合成薄壁碳纳米管的方法，是在催化剂的作用下，将含有含碳原料气的反应气在７００－１１５０℃的温度下催化分解，得到所述薄壁碳纳米管；其中，所述反应气还含有水气和／或乙醇气；所述反应气中，水气的分压为１１７－１６３８Ｐａ，乙醇...

本发明公开了一种孔洞有序排列的多孔硅的制备方法，属于微加工技术领域。该方法首先将硅衬底表面抛光或选择已经单面或双面抛光的硅衬底；在硅衬底表面预制若干个与多孔硅的孔洞宽度相匹配的凹槽，凹槽的排列与所述多孔硅的孔洞分布一致，对上述带有凹槽的...

本发明公开了一种可用作储氢材料的氨基镁纳米颗粒产品及其制备方法。采用电弧加热的方法制备纳米级氮化镁，再氨化即得到粒径为５０～２００ｎｍ的Ｍｇ（ＮＨ↓［２］）↓［２］颗粒产品。本发明的纳米级Ｍｇ（ＮＨ↓［２］）↓［２］颗粒纯度高，在用作储...

本发明公开了一种气流诱导制备碳纳米管的方法及其产品，属于碳纳米管技术领域。本发明方法采用化学气相沉积方法制备碳纳米管，并通过设置气流阻挡物改变流经基底上方的反应气流的平流流型，控制碳纳米管的生长取向。具体来说，本发明可通过下述方法实施：...

本发明发现在碳纳米管的生长温度下，由于Ｐｂ对碳有一定的溶解能力，将铅盐负载在载体上，先氧化成铅的氧化物，再还原为铅纳米颗粒即可催化碳纳米管的生长。由于Ｐｂ具有较低的熔点，在碳纳米管的生长温度下很容易挥发，而且铅与碳不能形成稳定的化合物，...

本发明公开了一种碳纳米管的制备方法。该制备方法是以金属钠和卤代非芳香烃为原料，所述金属钠和卤代非芳香烃的摩尔比为１－５∶５－１，先将原料和反应溶剂置于反应釜中，所述卤代非芳香烃和反应溶剂的体积比为１－５∶２０－１，然后通入保护气体，再将...

本发明公开了一种解理纳米线的方法，包括：将欲解理的纳米线放于清洁的基底上，再将基底连同纳米线放入装有纳米探针操纵系统的扫描电子显微镜的样品室中；纳米探针操纵系统上装有解理纳米线用的针尖；对扫描电子显微镜样品室抽真空，真空达到扫描电子显微...

本发明提供一种纳米宽度梁结构的加工方法，属于纳电子机械系统（ＮＥＭＳ）加工工艺领域。该方法的工艺流程包括：台阶刻蚀、纳米宽度侧墙形成、纳米宽度梁结构形成和纳米宽度梁结构释放四个步骤。本发明能够加工出纳米宽度的梁结构，准确控制梁结构的纳米...

本发明提供一种纳米厚度梁结构的加工方法，属于纳电子机械系统（ＮＥＭＳ）加工工艺领域。该方法的工艺流程包括：键合区制作、纳米厚度梁结构制作、硅与玻璃键合、纳米厚度梁结构释放四个步骤。本发明能够加工出纳米厚度的梁结构，准确控制梁结构的纳米级...

本发明属于纳米加工领域，提出了一种切断、削薄或连接纳米材料的方法：在两个具有良好导电性的纳米材料之间施加一定的电压，然后让两个纳米材料接触，利用它们在热导率、比热、密度及几何尺寸等因素中存在的差异，使其中一个纳米材料在接触处的温度首先到...