本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的复合电极，其包括导电基片、形成于所述导电基片上的多孔状半导体电极层，以及吸附于所述半导体电极层上的半导体纳米颗粒膜层。本发明的技术方案通过蒸发或溅射形成的Ｔｉ薄膜可以与透明导电波膜形成良好的界面接触，...

本发明公开了一种基于半导体纳米材料的纳电子器件及其制备方法。采用低功函数的金属钇作为接触电极材料，通过微加工技术使金属钇直接与一维半导体纳米材料的导带形成欧姆接触，由此可得到高性能的电子型场效应晶体管和其他以半导体纳米材料为基的纳电子器...

本发明公开了软骨寡聚基质蛋白（ＣＯＭＰ）在制备治疗血管钙化的药物中的应用。表达软骨寡聚基质蛋白的重组腺病毒也可应用于治疗血管钙化。实验证实：表达软骨寡聚基质蛋白的重组腺病毒抑制大鼠腹主动脉钙化。

本发明公开了一种低噪声的双偏振干涉式光纤陀螺，属于通信技术领域。本发明的光纤陀螺包括光源、两路线偏振光产生光路、两个环行器、偏振分／合束器、３×３保偏耦合器、两个光电探测器、相位调制器、保偏光纤环；光源与两路线偏振光产生光路的输入端通过...

本发明公开了一种抗ＮＭＯＳ器件总剂量辐照的新型集成电路，属于电子技术领域。本发明抗ＮＭＯＳ器件总剂量辐照的集成电路包括ＮＭＯＳ器件，也可包括ＰＭＯＳ器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，其特征在于，在和所述ＮＭＯＳ器件相邻的沟槽中，沟...

本发明公开了一种抗ＮＭＯＳ器件总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明抗ＮＭＯＳ器件总剂量辐照的集成电路包括ＮＭＯＳ器件，也可包括ＰＭＯＳ器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，其特征在于，在和所述ＮＭＯＳ器件相邻的沟槽中，沟槽填...

本发明公开了一种抗总剂量辐照的ＣＭＯＳ集成电路，属于电子技术领域。本发明抗总剂量辐照的ＣＭＯＳ集成电路包括ＮＭＯＳ器件和ＰＭＯＳ器件，器件之间通过沟槽隔离，其特征在于，所述沟槽用隔离材料一和隔离材料二的混合物填充，所述隔离材料一在总剂量...

本发明公开了一种基于高介电常数材料的抗ＮＭＯＳ器件总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明抗ＮＭＯＳ器件总剂量辐照的集成电路包括ＮＭＯＳ器件，也可包括ＰＭＯＳ器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，其特征在于，在和所述ＮＭＯＳ器件...

本发明公开了一种新型抗ＮＭＯＳ器件总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明抗ＮＭＯＳ器件总剂量辐照的集成电路包括ＮＭＯＳ器件，也可包括ＰＭＯＳ器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，其特征在于，在和所述ＮＭＯＳ器件相邻的沟槽中，沟...

一种基于用户评论文本特征的自动摘要方法及其自动摘要系统，该方法包括以下步骤：爬取并解析用户评论网页，并对用户评论进行一系列预处理；从用户评论中识别出被用户评价的特征；将用户评论句按其评价的特征进行分类，并根据评论句分类的结果过滤特征；以...

本发明公开了一种降解石油烃的方法及其专用菌株。该菌株为芽孢杆菌（Ｂａｃｉｌｌｕｓ　ｓｐ．）Ｚ３－Ｐ，其保藏编号为ＣＧＭＣＣ　Ｎｏ．３２５４。本发明的菌株具有很强的降解石油烃的能力。本发明的菌株、菌剂及其应用方法为我国进行石油污染土壤的生...

本发明公开了一株降解石油烃的菌株及其应用。该菌株为柠檬酸杆菌（Ｃｉｔｒｏｂａｃｔｅｒ？ｓｐ．）ＷＴＳ，其保藏编号为ＣＧＭＣＣ？Ｎｏ．３２５３。本发明的菌株具有很强的降解石油烃的能力。本发明的菌株、菌剂及其应用方法为我国进行石油污染土壤的...

本发明公开了一种生物修复石油污染的方法及其专用菌株。该菌株为木糖氧化产碱菌（Ａｌｃａｌｉｇｅｎｅｓ　ｘｙｌｏｓｏｘｙｄａｎｓ）Ｈ４－１，其保藏编号为ＣＧＭＣＣ　Ｎｏ．３２５２。本发明的菌株具有很强的降解石油烃的能力。本发明的菌株、菌剂及...

本发明公开了一种大规模恶意网页检测方法及系统，采用三层并行架构和分层控制保障方法：第一层，并行部署若干检测服务器通过网络互接，构建检测服务器机群，在某一检测服务器上设置待分析任务集；第二层，在各个检测服务器内并行部署多个分析节点，部署节...

本发明涉及一种小叶莲提取物，以及该提取物及其中的有效成分在制备治疗乳腺癌药物中的应用。所述的小叶莲提取物中含有鬼臼毒素、去氧鬼臼毒素、４′－去甲去氧鬼臼毒素、８－异戊烯基山柰酚和一个新化合物８，２′－二异戊烯基槲皮素３－甲醚。小叶莲提取...

本发明涉及一种异戊烯基黄酮，以及该化合物在制备治疗乳腺癌药物中的应用。所述的异戊烯基黄酮是从小叶莲中分离得到的一个新化合物，为８，２′－二异戊烯基槲皮素３－甲醚。对人乳腺癌细胞的抑制作用实验表明，其具有良好的抑制乳腺癌细胞的作用。

本发明公开了一种非掺杂红色有机电致发光材料及其制备和应用。该材料是一个三嗪基团和三个Ｎ位上接烷基的吩噻嗪基团结合而成的对称星状推拉电子结构的化合物。其具有三个分子内电荷转移通道，提高了材料的载流子传输能力；三个偶极矩形成对称的星状结构，...

本发明公开了一种宽带电子传输材料及其制备和应用。该材料是以１，２，４，５－四苯基苯为核，周围连接四个芳基基团得到的“卐”字型结构的化合物，较高的位阻使芳环之间相互扭曲排列，整个分子成非平面结构，避免分子间的聚集和相互作用，且具有较高的能...

本发明公开了一种新型的抗总剂量辐照的ＣＭＯＳ集成电路，属于电子技术领域。本发明ＣＭＯＳ集成电路包括ＮＭＯＳ器件和ＰＭＯＳ器件，器件之间通过沟槽隔离，ＰＭＯＳ和ＰＭＯＳ之间的沟槽用隔离材料一填充，所述隔离材料一在总剂量辐照下产生固定正电荷...

本发明公开了一种图形化碳纳米管薄膜或阵列的方法。该方法，包括如下步骤：１）在生长基底上制备碳纳米管薄膜或阵列；２）在石英基底上制备钛金属层；３）将所述步骤２）制备得到的钛金属层氧化为二氧化钛层；４）在石英基底上制备铬光掩膜；５）将所述铬...