本发明涉及一种用于治疗自身免疫性疾病和防止脏器移植排斥的免疫抑制剂的药物活性成份奇壬醇制备的技术方法以及制剂。该制剂包括作为药物活性成份的奇壬醇及其相关的制剂。本发明所用的奇壬醇采用本发明特定的方法制备，操作简便，生产成本低，环境污染低...

本发明提供了一种基于执行序列的ＪＵｎｉｔ测试用例化简方法，属于软件测试中的测试用例化简技术领域。本发明提出了一种ｋ－序列的表示方法来描述每条ＪＵｎｉｔ测试用例，用以体现每条ＪＵｎｉｔ测试用例对方法的调用顺序，并将所有ＪＵｎｉｔ测试用例包...

本发明公开了一种抗总剂量辐照的ＳＯＩ器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明的ＳＯＩ器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层中包括和衬底层材料相同的牺牲层，所述埋氧层在所述牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层和牺牲层的材料同为Ｐ型硅，所...

本发明公开了一种基于多晶硅的抗总剂量辐照的ＳＯＩ器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明所述的ＳＯＩ器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层中包括一多晶硅牺牲层，所述埋氧层在所述多晶硅牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层的材料为Ｐ型硅，...

本发明公开了一种抗总剂量辐照的ＳＯＩ器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明ＳＯＩ器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层和衬底层之间还包括牺牲层，所述牺牲层在ＳＯＩ器件经总剂量辐照后产生负电荷。所述牺牲层的材料为氮化硅。所述衬底层的...

本发明提供了一种实时监测晶体管温度的热表征方法及结构，属于表征晶体管热效应的监测技术领域。该方法通过在晶体管栅上设置一材料层，材料层与晶体管栅构成Ｐ－Ｎ结，利用Ｐ－Ｎ结的ＩＶ特性测得晶体管器件的温度。本发明将单个器件与高灵敏度的温控二极...

本发明提供了一种静电保护器件及其制备方法，属于ＣＭＯＳ超大规模集成电路（ＵＬＳＩ）技术领域。本发明包括一ＳＣＲ结构，为硅衬底上的Ｎ阱和Ｐ阱中分别进行Ｐ型注入和Ｎ型注入的横向ＰＮＰＮ结构，其中，在Ｎ阱中的Ｐ型掺杂作为器件的阳极，Ｐ阱中的Ｎ...

本发明涉及一种灯泵铷气体激光抽运铷泡输出标准频率的方法及铷原子钟，方法包括：将铷气体无极灯滤光后作为泵浦光源对原子汽室中的铷气体原子进行泵浦实现布局数反转后在激光谐振腔作用下形成灯泵铷气体激光；利用灯泵铷气体激光对设置在微波腔内的铷泡进...

本发明公开了一种用于人工视网膜的光电式微电极阵列，其包括透明衬底（１）、由下至上依次生长于所述透明衬底（１）上的第一重掺杂非晶硅层（２）、非掺杂非晶硅层（３）、第二重掺杂非晶硅层（２）和金属电极（４），以及覆盖于所述透明衬底（１）、第一...

本发明涉及一种减小阻变存储器阻值离散性的方法，该方法包括：Ｓ１、在Ｆｏｒｍｉｎｇ过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从初始态转为低阻态；Ｓ２、在ＳＥＴ过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从高阻态转为低阻态；Ｓ３、在Ｒ...

本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，所述中间有机功能层为钛氧酞菁膜，在钛氧酞菁膜内有金属Ｃｕ或者Ａｇ纳米细丝。本发明引入了两种阻变机制...

本发明公开了一种去除多环芳烃和／或降解多环芳烃菌株及其应用。本发明提供了微杆菌（Ｍｉｃｒｏｂａｃｔｅｒｉｕｍ?ｓｐ．）ＬＵ１，其保藏号为ＣＧＭＣＣ?Ｎｏ．３５８１，本发明提供了一种菌剂，其活性成分为微杆菌（Ｍｉｃｒｏｂａｃｔｅｒｉｕｍ?...

本发明公开了一种去除多环芳烃和／或降解多环芳烃的菌剂及其应用。本发明提供了一种菌剂，它的活性成分为红球菌（Ｒｈｏｄｏｃｏｃｃｕｓ?ｓｐ．）ＬＵ３?ＣＧＭＣＣ?Ｎｏ．３６１０、微杆菌（Ｍｉｃｒｏｂａｃｔｅｒｉｕｍ?ｓｐ．）ＬＵ１?ＣＧＭＣ...

本发明提供了一种有机阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该有机阻变存储器包括衬底，衬底上的底电极，中间有机功能层和顶电极，其中，中间有机功能层为金属掺杂的钛氧酞菁膜。本发明在钛氧酞菁薄膜生长过程中，引入均匀的金属的掺杂来...

本发明一种协议处理器设计的优化方法涉及协议处理器设计技术领域，本发明主要是为解决现有协议处理器在并发连接情况下吞吐率下降及在处理复杂协议时协议处理器整体性能不高的问题。本发明提供的优化方法，包括对所设计的协议处理器的应用层协议和应用模式...

本发明涉及一种数字图像中可逆水印的嵌入方法及其提取方法，属于信息技术领域。本嵌入方法为：首先划分载体图像并建立一位置标志序列ＬＭＣ，然后把所有的像素块分成Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３三部分；对Ｉ１和Ｉ３中的像素块进行水印嵌入；把Ｉ１中最低有效位记录...

本发明提供了一种纳米尺度间隙电极对阵列及其制备方法，属于分子电子器件制备技术领域。本发明利用氧化还原反应，在碳纳米管表面上形成金属颗粒阵列；然后用氧等离子体轰击，将金属颗粒之间的碳纳米管全部或部分去除掉，即可获得纳米尺度间隙电极对阵列。...

本发明提供了一种低电压阻变存储器及制备方法，属于超大规模集成电路技术领域。该阻变存储器包括顶电极，阻变材料层，底电极和衬底，其中，阻变材料层为氮氧硅（ＳｉｘＯｙＮｚ）。本发明通过对标准ＣＭＯＳ工艺中后端的等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ...

本发明公开了一种卫星通信系统中单跳模式下的用户终端越区切换方法，属于卫星通信技术领域。本发明方法包括：ａ）用户终端所属的无线网络控制器向卫星路由控制器发送单跳资源重配置消息，同时启动信令所需的双跳切换流程；ｂ）卫星路由控制器判断单跳资源...

本发明提供了一种十字形纳米尺度存储结构电路及其串扰问题的解决方法，属于纳电子器件制备技术领域。该方法基于十字形存储系统的结构，利用阻止或减弱信号由下往上传输即可消除或削减串扰信号的特性，提出在每个节点的中间介质串联一整流器件，此整流器件...