本发明提供一种基于异质转换机理制备的新型中空氧化铜改性铜集流体，属于电池技术领域。所述材料制备方法利用金属硫化物或硒化物在空气中加热转化为相应的氧化物，通过转化过程中的体积损失和气体释放而原位形成中空改性层。中空结构具有足够的空间提供金...

本发明属于锂离子电池电极材料技术领域，具体涉及一种使用TiNCl超导材料作为高性能锂离子电池电极负极材料的方法及改性措施。包括步骤(1)：制备超导材料TiNCl电极材料并提高其结晶度；步骤(2)：将步骤(1)制得的TiNCl进行氧化处理...

本发明公开了一种面向泄露检测的口令认证方法。本发明为每个用户设置t

本发明公开了一种单分散金属纳米颗粒

本申请属于医疗器械技术领域，公开了一种药物注射泵，包括上壳体和下壳体，所述上壳体和下壳体之间设置有薄膜，所述薄膜与上壳体之间构成药物储存腔，所述薄膜上开设有若干锥形孔，所述锥形孔的大直径端临近药物储存腔，所述薄膜背对药物储存腔的一侧设置...

本发明涉及一种摩尔纹图案的自动去除方法和装置。该方法包括：获取含摩尔纹图案的图像，对其作傅里叶变换，得到频谱图；对频谱图进行高斯滤波处理，得到平滑后的频谱图；在平滑后的频谱图中查找峰值点，并进行峰值过滤；对峰值过滤后的频谱图作中值滤波，...

本发明公开了一种分析知识资源与作者身份关系的方法，属于知识资源(例如：图书，论文，期刊，讲座音视频)的信息处理领域。本发明利用文本内容相似和姓名稀缺度计算，分析知识资源与作者身份关系，准确地得到资源内容的作者身份。本发明在可利用信息较少...

本发明涉及一种基于同位素工程进行光谱发射率调控的方法及其应用，其包括，对待调控器件的至少一个组件进行以下同位素工程优化设计：利用不同同位素配比来调节所述组件的材料光与物质相互作用的过程，以达到目标光谱发射参数。该方法适用于包括如热二极管...

本发明提出了一种全模拟向量矩阵乘法存内计算电路及其应用，属于半导体和CMOS超大规模集成电路中存内计算技术领域。该电路包括输入电路、阵列、输出钳位电路和模拟移位相加单元，输入电路对模拟输入进行采样并保持，然后输入阵列，阵列采用阻性器件，...

本发明公开了一种基于外延技术的三端铁电存储器及其制备方法。本发明利用外延技术实现高质量的铁电介质层和沟道；通过插入层、阻挡层和高阻缓冲层的引入，大大降低了铁电存储器的漏电问题，使得该器件具有更好的稳定性和耐受性，提升器件的寿命，降低器件...

本发明公开了一种基于固体粉末的爆轰管试验系统，该爆轰管试验系统采用固体粉末作为燃料，并包括依次连通的气源、流化器以及固体粉末爆轰管；所述气源用于向所述流化器提供高压气体；所述流化器用于提供固体粉末；所述固体粉末通过高压气体吹起，并在喷出...

本发明公开了一种基于易失性阈值阻变忆阻器的自适应人工脉冲神经元电路，包括基于易失性阈值阻变忆阻器的LIF电路和自适应控制电路，所述LIF电路由一个易失性阈值阻变忆阻器串联一个读出电阻R1，再并联一个模拟膜电容的电容C1组成；利用易失性阈...

本发明公开了一种具有过渡金属层超晶格结构的层状氧化物正极材料及制备方法。所述层状氧化物正极材料化学式为LiNi

本说明书实施例公开了一种电子器件的连接方法，该方法包括：在溶液环境中，将第一电子器件的第一连接部位与第二电子器件的第二连接部位对齐；对所述第一连接部位与所述第二连接部位进行干燥处理，从而使得对齐后的所述第一连接部位与所述第二连接部位之间...

本发明涉及一种基于阈值增量循环计数的混合STDP训练方法及系统，构建包括输入层、隐藏层和分类输出层的STDP网络架构，并对神经元的阈值电压增量进行计数控制对STDP网络架构的无监督学习进程，结合分类输出层的有监督学习进程调整神经元对应的...

本发明公开了一种Zn

本发明公开了一种基于线性光学采样的超高精度双向时间同步装置及方法。本发明用于解决双向时间同步测量精度受限及系统复杂的问题，其特点是通过同步、异步锁定方法直接将远近端时钟信号加载到光频梳上，实现微波信号精度向光频梳的传递；通过线性光学采样...

本发明提供一种用于粒子辐射探测器的前置放大器的量程扩展系统，包括粒子辐射探测器、扩量程电容和前置放大器；所述扩量程电容的第一端与所述粒子辐射探测器的第一输出端相连；第二端与所述粒子辐射探测器的第二输出端相连；所述前置放大器的负输入端与所...

本发明涉及生物传感器技术领域，具体公开一种DPP

本申请提供一种光学成像系统，所述光学成像系统包括：激光器、激光适配器及显微镜主机；其中，激光器用于向所述激光适配器发射激光；激光适配器用于接收激光器发射的激光，并对激光进行调整适配，然后将调整适配后的激光传输至显微镜主机；所述显微镜主机...