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巴斯夫欧洲公司专利技术
巴斯夫欧洲公司共有8950项专利
口腔护理组合物制造技术
本文公开的是一种口腔护理组合物,包含具有高薄膜清洁率(PCR)和低相对牙本质磨损率(RDA)的镁铝页硅酸盐磨料、使用所述口腔护理组合物的方法及其制备方法以及包含它的套件。组合物的方法及其制备方法以及包含它的套件。
用于浮选方法的捕收剂技术
本发明涉及非硫化物矿物和矿石的浮选。特别地,本发明涉及用于富集非硫化物矿物和矿石的捕收剂。的捕收剂。
制备CHA-AFT沸石共生COE-10的方法及其在非均相催化中的用途技术
一种制备沸石材料的方法,该沸石材料包含一种或多种具有包含SiO2和X2O3的CHA类型骨架结构的沸石和一种或多种具有包含SiO2和X2O3的AFT类型骨架结构的沸石的一个或多个沸石共生相,其中X是三价元素,并且其中所述方法包括:(1)制...
废水处理中脱氮过程的碳源替换方法技术
本发明涉及一种废水处理中脱氮过程的碳源替换方法。源替换方法。
润滑剂组合物制造技术
包含基础油、选自N
水性聚合物胶乳制造技术
本发明涉及通过单体M的水性乳液聚合可获得的成膜共聚物的水性聚合物胶乳,所述单体M包含基于单体M计至少80重量%的以下单体:
包含含有聚氨酯的水分散体的层压印刷油墨制造技术
本发明涉及一种包含聚氨酯水分散体粘结剂、颜料、水性载体和任选地添加剂的层压印刷油墨,其中聚氨酯由多异氰酸酯、特定的聚酯二醇、聚四氢呋喃二醇、单羟基聚氧化烯、二氨基酸化合物、多胺化合物和任选地一种或多种低分子量多元醇制备。量多元醇制备。
生产2,2,6,6-四甲基-4-哌啶酮的非均相催化方法技术
本发明涉及一种生产2,2,6,6
用于激光焊接应用的具有高激光透射率的黑色聚酰胺组合物制造技术
聚酰胺组合物,包括(i)至少一种脂族聚酰胺或半芳族聚酰胺或其混合物;(ii)玻璃纤维;(iii)最高达8重量%的量的至少一种非纤维增强材料;(iv)至少一种单偶氮络合物类型的黑色染料;(v)任选地一种或多种其他添加剂。(v)任选地一种或...
用于激光焊接应用的具有高激光透射率的黑色聚酰胺组合物制造技术
聚酰胺组合物,包括(i)至少一种脂族聚酰胺或半芳族聚酰胺或其混合物;(ii)圆形玻璃纤维;(iii)扁平玻璃纤维;(iv)至少一种单偶氮络合物类型的黑色染料;(v)任选地一种或多种其他添加剂。他添加剂。
增强植物中基因表达的调节性核酸分子制造技术
本发明属于植物分子生物学领域并且提供了用于产生高表达性启动子和产生核酸表达增强的植物的方法,其中增强核酸表达的核酸(NEENAs)与所述启动子功能性连接和/或引入植物中。物中。物中。
水性表面活性剂组合物和皂条制造技术
本发明涉及表面活性剂组合物,其包含:一种或多种通式(I)的α
个人洗涤组合物和实现改善的调理效益的方法技术
本发明涉及一种个人洗涤组合物,所述组合物包含去污表面活性剂、至少一种流变改性聚合物、至少一种阳离子调理聚合物、至少一种有益试剂和聚磺酸的阴离子聚合物。所述组合物是不含硫酸盐或基本上不含硫酸盐的个人洗涤组合物。本发明进一步涉及一种实现改善...
由环状单硫代碳酸酯合成聚碳酸酯的方法技术
提供了一种合成包含至少一个非环状碳酸酯基的化合物的方法,其中使包含至少一个5元环状单硫代碳酸酯基的化合物A)与化合物B)或化合物A)本身的至少一个羟基反应。化合物A)本身的至少一个羟基反应。
包含银纳米片的组合物制造技术
本发明涉及包含银纳米片的组合物,其中组合物中存在的银纳米片的数量平均直径在50至150nm的范围内,其中标准偏差小于60%,且组合物中存在的银纳米片的数量平均厚度在5至30nm的范围内,其中标准偏差小于50%,其中银纳米片的平均纵横比高...
包含溶于水相中的烷氧基化醇的农化悬浮液浓缩物制造技术
本发明涉及一种包含农药颗粒形式的农药和至少5重量%溶于水相中的助剂的农化含水悬浮液浓缩物,其中助剂具有如本文所定义的式(I)。本发明还涉及如在式(I)中所定义的助剂。此外,本发明涉及一种通过使水、农药和助剂接触而制备所述悬浮液浓缩物的方...
聚酰胺组合物和包括所述聚酰胺组合物的管状或管道多层结构制造技术
本发明涉及一种聚酰胺组合物和包括所述聚酰胺组合物的管状或管道多层结构。聚酰胺组合物的管状或管道多层结构。
通过高度磺化木素磺酸盐稳定悬浮浓缩物制造技术
本发明涉及一种含水农业化学组合物,包含a)活性成分的悬浮颗粒;和b)木素磺酸盐。它还涉及该木素磺酸盐在稳定包含活性成分的悬浮颗粒的含水农业化学组合物中的用途。其他目的是一种稳定包含活性成分的悬浮颗粒的含水农业化学组合物的方法;一种处理、...
通过乙氧基化甘油三蓖麻油酸酯稳定悬浮浓缩物制造技术
本发明涉及一种含水农业化学组合物,包含a)活性成分的悬浮颗粒;和b)乙氧基化甘油三蓖麻油酸酯;其中该活性成分在25℃下具有至少1g/l的水溶性;以及其中该乙氧基化甘油三蓖麻油酸酯以聚合形式含有35
在低k材料、铜、钴和/或钨层存在下选择性蚀刻硬掩模和/或蚀刻终止层的组合物和方法技术
描述了清洁组合物与一种或多种氧化剂组合的用途,用于从半导体衬底表面除去蚀刻后或灰化后的残余物和/或用于氧化性蚀刻或部分氧化性蚀刻包含选自TiN、Ta、TaN、Al和HfOx的材料或由其组成的层或掩模和/或包含选自碳化钨(WC
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