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浜松光子学株式会社专利技术
浜松光子学株式会社共有2224项专利
光学元件及其制造方法技术
本发明的光学元件(1)具备于表面(2a)形成有凹部(3)的基材(2),及配置于基材(2)上的成形层(4)。成形层(4)具有自凹部(3)的深度方向观察的情形下位于凹部(3)内的本体部(5)、及在与本体部(5)连接的状态下位于基材(2)的表...
受激发射损耗显微镜装置制造方法及图纸
STED显微镜装置(1A)包括输出STED光(LS1)的STED光源(11)、输出激励光(LE1)的激励光源(12)、呈现用于通过相位调制将STED光(LS1)成形为圆环状的相位图案的相位调制型的SLM(13)、用于向观察对象区域照射激...
闪烁器面板制造技术
本发明的闪烁器面板(1)是响应于透过了对象物(A)的放射线的入射而使闪烁光放射的平板状的构件,在对闪烁光进行聚光并摄像的图像取得装置所使用的闪烁器面板中,具备:使放射线透过的平面状的隔板(2)、配置在隔板(2)的一个面(2a)上且将放射...
法布里-珀罗干涉滤光器制造技术
本发明提供一种法布里‑珀罗干涉滤光器(10A)包括:固定镜(31);和可动镜(41),其经由空隙(S)与固定镜(31)相对而配置,通过静电力来调整光透过区域(11)中的与固定镜(31)的距离。在可动镜(41)中的包围光透过区域(11)的...
放射线影像传感器制造技术
放射线影像传感器(1A)包含电荷产生部(4)、将电荷产生部(4)中产生的电荷存储并传送的电路基板(3)。电路基板(3)具有半导体基板(10)、存储电荷产生部(4)中产生的电荷的电容部(5)、及配置于半导体基板(10)上的MOS型晶体管(...
分光器制造技术
本发明的分光器(1A)具有分光单元(2A)、(2B)、(2C)。分光单元(2A)具有的光通过部(21A)、反射部(11A)、共通反射部(12)、分光部(40A)和光检测部(22A),从Z轴方向看时,沿着基准线(RL1)排列。分光单元(2...
分光器及分光器的制造方法技术
分光器(1A)包括:光检测元件(20),其设置有光通过部(21)、第1光检测部(22)及第2光检测部(26);支撑体(30),其以形成空间(S)的方式固定于光检测元件(20);第1反射部(11),其设置于支撑体(30),且在空间(S)内...
分光器及分光器的制造方法技术
分光器(1A)具备:光检测元件(20),其设置有光通过部(21)及光检测部(22);支撑体(30),其以在与光通过部(21)及光检测部(22)之间形成空间(S)的方式固定于光检测元件(20);第1反射部(11),其设置于支撑体(30),...
分光器、及分光器的制造方法技术
本发明的分光器(1A)具备:光检测元件(20),其具有由半导体材料构成的基板(24)、设置于基板(24)的光通过部(21)、及嵌入至基板(24)的光检测部(22);支撑体(30),其具有与光检测元件(20)相对的底壁部(31)、及与底壁...
分光器制造技术
分光器(1A)包括:封装体(2),其具有底座(4)及盖(5);光学单元(10A),其配置于底座(4)上;及引线销(3),其将光学单元(10A)固定于底座(4)。光学单元(10A)包含:分光部(21),其将自盖(5)的光入射部(6)入射的...
膜厚测量方法及膜厚测量装置制造方法及图纸
膜厚测量装置(1A)包括:光照射部(10),其向测量对象物(100)照射光;光检测部(20A),其对反射光的各波长的强度进行检测;及膜厚算出部(30A),其通过对实测分光反射率与理论分光反射率进行比较而决定第1膜(102)的膜厚,上述实...
电子倍增体、光电倍增管及光电倍增器制造技术
一种电子倍增体、光电倍增管及光电倍增器。本发明提供一种电子倍增体,其具备:主体部、在主体部的一端面开口的电子入射部、在主体部的另一端面开口并且达到电子入射部放出二次电子的通道,通道具有相互相对的第一内面及第二内面,第一内面包含凸状的第一...
电子倍增体的制造方法、光电倍增管和光电倍增器技术
本发明提供电子倍增体的制造方法、光电倍增管和光电倍增器,该电子倍增体包括主体部以及在主体部的一个端面和另一个端面开口并且放出二次电子的通道,该电子倍增体的制造方法包括:准备具有表面和背面的第一板状部件和一对第二板状部件的工序;在第一板状...
光检测装置制造方法及图纸
光检测装置(1)具备:半导体光检测元件(10A),其具有半导体基板(1N);以及搭载基板(20),其与半导体光检测元件(10)相对配置。半导体光检测元件(10A)包含:多个雪崩光电二极管(APD),其以盖革模式动作并且形成在半导体基板(...
图像处理方法、图像处理装置、图像处理程序及存储有图像处理程序的存储介质制造方法及图纸
观察系统(101A)中的图像处理方法包括:获取以半导体设备(S)为对象而测定的测定图像(G1B)、及对应于测定图像(G1B)且表示半导体设备(S)的图案的第1图案图像(G2B)的步骤;获取以半导体设备(S)或与半导体设备(S)不同的半导...
图像处理方法、图像处理装置、图像处理程序及存储有图像处理程序的存储介质制造方法及图纸
观察系统(1A)中的图像处理方法包括:第1步骤,其获取以半导体设备(S)为对象而测定的测定图像(G1)、及对应于测定图像(G1)的表示半导体设备(S)的图案的第1图案图像(G2);第2步骤,其获取表示半导体设备(S)的图案的第2图案图像...
显微观察用光学装置制造方法及图纸
显微观察用光学装置(4)是使来自样本(S)的红外光入射至摄像机(3)的光学装置,具备:冷屏(13),其是具有对应于低倍率的显微光学系统(5)的开口(13d、13e)且使来自样本(S)的光通过至摄像机(3)的配置于真空容器(12)内的光圈...
测量装置和测量方法制造方法及图纸
眨眼测量系统(10)是对被验者的眼睑位置进行测量的测量装置,具有:照明装置(1),照射从被验者的眼睛区域(E)的上睑遍及到下睑而延伸的光;和图像测量装置(2),在使包括光的照射光轴(La)的面以沿着向被验者照射的光的轴(A1)为中心仅旋...
飞行时间测定型质量分析装置制造方法及图纸
本实施方式涉及在高吞吐量下可以进行试样的质量分析的TOF-MS。该TOF-MS具备使离子加速的加速部、检测加速后的离子到达的现象的检测器、基于离子的飞行时间进行试样的质量分析的分析部。检测器的第一结构包含MCP、倍增极及阳极。在第一结构...
扫描型电子显微镜制造技术
本实施方式涉及可以进行高吞吐量下的试样的表面分析的SEM。该SEM具备电子枪、照射部和检测器。作为检测器的第一结构,包括MCP、阳极和倍增极。倍增极设定为比MCP输出面高的电位,阳极设定为比倍增极高的电位。阳极配置在比MCP输出面和倍增...
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