光模块具备反射镜单元、磁铁部以及具有凹部的封装。磁铁部包含第一磁铁及第二磁铁。凹部具有固定有磁铁部的上表面的底壁部和与磁铁部的侧面相向的侧壁部。凹部具有由侧壁部划定且向下侧开口的开口部。反射镜单元配置在底壁部中的与固定有磁铁部的第一表面...

本发明的激光加工装置的控制部执行如下处理：第1处理，一边使照射部沿着线相对移动，一边以第2激光的照射位置位于追随开始位置时为起点而取得位移数据和驱动数据；第2处理，一边使照射部沿着线相对移动，一边控制第1激光的照射从而在对象物形成改质区...

本发明的试样观察装置

光检测装置具备背面入射型的受光元件

光检测装置具备背面入射型的受光元件

共聚焦显微镜单元

扫描型显微镜单元具备：输出照射光的光源；光检测器，检测响应于照射光的照射而从观察对象物产生的观察光；

本公开的面发光激光元件具备：第1电极；下部包层；活性层；上部包层；缓和层；接触层，其具有与上部包层不同的带隙；第2电极；以及光子晶体层，其设置于下部包层和活性层之间

本发明的控制装置

本发明的发光二极管元件具备：第1元件部，其具有：第1导电类型的第1半导体层、第2导电类型的第2半导体层、以及第1活性层；以及第2元件部，其具有：第1导电类型的第3半导体层、第2导电类型的第4半导体层以及第2活性层。第1元件部和第2元件部...

本发明的控制装置

本发明涉及晶圆及晶圆的加工方法。晶圆是在沿线形成了改质区域后通过实施扩展工序而得到多个半导体芯片的晶圆，具有由作为线的芯片划分线划分的多个芯片化区域，芯片化区域具有：芯片部，其构成半导体芯片；以及切割部，其是从芯片部切割的部分，经由开口...

本公开的发光器件是具备相位调制层的

本发明的激光加工装置所实施的激光加工方法包含：第1工序，其中，对在表面侧具有功能元件层的对象物的表面或背面照射激光，通过激光退火进行照射面的平坦化；以及第2工序，其中，对在第1工序中平坦化的照射面照射激光，而在对象物的内部形成改质层，激...

X

激光加工装置具备：支承部、照射部、移动机构、控制部及摄像部。控制部实行第1前处理，该第1前处理是沿着具有并排配置的多条并行线的加工用线将激光照射于对象物，而在对象物形成改质区域。摄像部取得第1图像，该第1图像呈现通过第1前处理而沿着具有...

检查方法具备：接触步骤，其使导电性带与形成有多个发光元件的样品接触；及第1测量步骤，其在接触步骤之后，在导电性带与样品接触的状态下，对样品照射光，并测量样品所产生的发光。发光。发光。

半导体光检测元件具有：半导体部，其具有包含受光区域的表面，该受光区域是接收入射光的区域，半导体部对入射到所述受光区域的入射光进行光电转换；设置在所述表面上的金属部；和碳纳米管膜，其设置在受光区域上，由多个碳纳米管堆积而成。碳纳米管膜从受...

本公开的受光元件具备具有至少一个受光区域和供被检测光入射的光入射面的光检测基板、和由排列成格子状的多个单位结构体构成且以将被检测光进行聚光的方式配置于光入射面上的超透镜。从光检测基板的厚度方向观察时，在包含超透镜的中心的区域设置有未形成...

半导体器件的制造方法具备：第1步骤，其通过在蓝宝石基板上使晶体生长而形成层叠膜，且在层叠膜上形成绝缘膜，在绝缘膜中的n