一种MOSFET晶体管结构，其包括：具有第一掺杂剂极性的阱区；源极区；漏极区；沟道区；该沟道区上方的栅极结构；该源极区或该漏极区中的具有第二掺杂剂极性的混和型接触注入物；及该源极区、该栅极结构及该漏极区中的每一者上或内的各别金属接触。该...