安捷伦科技有限公司专利技术

安捷伦科技有限公司共有1064项专利

  • 一种宽带二元相控天线,包括对称天线元件的阵列,每个对称天线元件连接到各自的对称开关。对称天线元件的每个关于该天线元件的镜像轴对称,并且包括在镜像轴两侧的馈电点,这些馈电点能够在对称天线元件上创建相反的对称场分布。相反的对称场分布相对于彼...
  • 本发明公开了一种用于反射电磁辐射的器件。反射阵列利用具有非理想阻抗特性的开关器件以改变反射元件的阻抗。反射元件的天线被配置为非理想开关器件的阻抗的函数,以提供最佳的相幅性能。具体地,天线被配置成使得每个天线的阻抗与非理想开关器件在开状态...
  • 本发明公开了将例如微电路的电路与IC接口的方法和装置。所述电路形成在由衬底支持的厚膜电介质结构上,所述衬底具有用于接纳IC的切除部分。在衬底上形成接地面。厚膜电介质结构以具有形成至少一个凹入部分的至少两个凸出部分的区邻接切除部分,所述凹...
  • 本发明公开了使用厚膜元件制造微波电路的方法,所述厚膜元件包括:沉积在接地面上的第一多层厚膜电介质;沉积在所述第一厚膜电介质上的厚膜导体;沉积在所述第一电介质和所述导体上以密封所述导体的第二多层厚膜电介质;沉积在所述第一和第二电介质上的厚...
  • 本发明提供了将信号引入屏蔽射频电路的方法与装置。所述方法与装置提供了到在支撑接地平面的衬底上形成的微电路的接口。衬底支撑一个电介质结构,该电介质结构具有电连接到接地平面的金涂覆倾斜侧壁。该电介质结构支撑连接到微电路的传输线。同轴电缆连接...
  • 本发明公开了一种在衬底上沉积厚膜电介质的方法。该方法首先在衬底上沉积第一层厚膜电介质,接着将所述第一层风干,让溶剂逸出,从而增加第一层的孔隙度。然后将所述第一层烘干。接着,在第一层之上沉积另外的厚膜电介质层,并在每层被沉积之后将其烘干。...
  • 本发明涉及一种准同轴传输线。在电介质层上沉积多个导线,所述电介质层位于第一接地屏蔽上方。然后,在每一导线上面沉积电介质堆。此后,第二接地屏蔽被沉积在所述电介质堆上面。准同轴传输线因此形成。沉积在所述电介质堆“下面”的所述导线可以以比密封...
  • 第一和第二电介质堆分别包封有第一和第二导体。第三电介质填充在第一和第二电介质堆之间的凹部,并且包封有第三导体。第一接地屏蔽至少被沉积在所述第一和第二电介质堆侧面,与第三电介质紧靠。第二和第三接地屏蔽可以分布在所述导体上方和下方。以这种方...
  • 本发明提供了一种微波电路。在一个实施例中,微波电路包括第一和第二微波模块,其中每一个都包括夹在上厚膜电介质和下厚膜电介质之间的导线以及围绕所述电介质的接地屏蔽。在每一个导线的第一端部,所述导线从其上厚膜电介质的下面延伸,并在其微波模块的...
  • 一种转接器包括连接器接口,该连接器接口具有第一同轴结构和第二同轴结构,其中第一同轴结构被构造成耦合到第一同轴传输线的第一中心导体上,而第二同轴结构被构造成耦合到第二同轴传输线的第二中心导体上。螺母围绕第一同轴结构和第二同轴结构。
  • 本发明公开了一种自支撑带线耦合器。该耦合器组件具有第一和第二导体和第一和第二电介质支撑物,第一和第二电介质支撑物沿耦合部分延伸,并在支撑部分处支撑第一和第二导体。
  • 本发明公开了一种多端口开关的RF组件。RF组件包括RF腔壳和盖子。RF腔壳包括由RF腔壳的表面中的腔所限定的共用端口和至少另一个由RF腔壳的表面中的槽所限定的端口。槽连接到腔。当被盖子覆盖时,槽限定在一个末端处连接到腔的沟道。RF腔壳和...
  • 本发明提出将一种燃料电池集成于光学导引设备中以延长运行寿命。一种水循环燃料电池被用来降低燃料需求以使得与计算机一起的遥控光学导引设备能够运行接近六个月或更长时间。
  • 一种光检测器,包括:    第一光电晶体管,包含锗,被配置成响应入射光产生输出电流信号;    第二光电晶体管,与所述第一光电晶体管电耦合,所述第二光电晶体管被配置成产生参考电流信号;和    不透明层(402),位于所述第二光电晶体管...
  • 本发明公开了一种晶片级封装和形成晶片级封装的方法。该晶片级封装包括:第一晶片,所述第一晶片包括焊盘;所述第一晶片上的光电子器件;和包括衬垫的第二晶片。所述第二晶片通过所述衬垫和所述焊盘之间的焊接连接到所述第一晶片。
  • 本发明提供了用于旋转和角度位置传感的器件和方法。一种监视角度位置的器件包括介质盘和磁阻传感器。介质盘包括被编码在介质盘表面上的数据磁道。磁阻传感器位于介质盘附近,并且被放置使得磁阻传感器内的磁阻器件的电阻受介质盘旋转的影响。
  • 本发明公开了一种荧光体组合物以及利用该组合物的发光器件。所述组合物包括均匀分布在透明介质中的荧光体粒子的悬浮物,所述透明介质包括环氧树脂以及包含透明材料的分散粒子的分散剂。在一个实施例中,分散粒子具有在1μm-5μm之间的中值粒子大小。...
  • 本发明公开了一种发射输出光的器件和方法,它们利用基于副Ⅱ族元素硒化物的磷光体材料和/或基于硫镓化物的磷光体材料将器件光源所发出的至少一些初始光转换为波长更长的光,以改变输出光的光谱。于是,该器件和方法可以被用来产生白光。
  • 本发明公开了一种发射输出光的器件和方法,它们利用基于副Ⅱ族元素硒化物的磷光体材料将器件光源所发出的至少一些初始光转换为波长更长的光,以改变输出光的光谱。于是,该器件和方法可以被用来产生白光。基于副Ⅱ族元素硒化物的磷光体材料被包括在光耦合...
  • 本发明公开了一种使用深紫外线产生白光的方法和器件。光生成器件包括发射波长在160nm到290nm范围内的光的发光器件。白光发射磷光材料被放置在发光器件附近。