一种电池系统，其中包括用于在电池功率接收设备（例如移动电话）的电池工作过程中提供工作电能的电池装置以及作为与该电池装置（例如，以所谓的用于移动电话的电池组的形式）形成为一个整体用于与该电池功率接收设备相组合的电池信息电路。所述电池信息电...

通过电子器件（１０２）和所附电池（１０３）之间的接口进行数字串行通信包括由多个比特组成的字节（３００）传输。每个比特由一个高电平和一个低电平定义，每个字节的第一个比特（３０４）是所述高和低电平的第一个。本方法包括在紧邻所述第一个比特（３...

一种通过一接口在一电子设备（１０２）和附在其上的一电池（１０３）之间实现数字串行通信的方法。该数字串行通信包括由若干比特组成的字节（３００）的发射。该方法包括从所述电子设备和所述电池的第一个中发射一个字节，在所述电子设备和所述电池的另外...

公开了一种装置，它能够支持电池类型识别和通过电池跟电子装置之间的接口进行通信。这种电子装置包括一个处理器，用于跟电池的通信电路进行通信。处理器的识别电路能够确定跟电子装置连接的电池的类型。如果它是能够跟电子装置进行串行通信的“智能”电池...

一种用于调整在便携式装置（２３）中的可再充电的电池（２）的充电的电压／电流调整器（１），它包括晶体管（６）以及与晶体管（６）连接、用于控制电池（２）的充电电流的控制装置（９）。而且所述控制装置（９）能够：确定调整器（１）的晶体管（６）中...

公开一种电池充电的方法和装置。使用传统的ＣＣ－ＣＶ技术将电池完全充电，然后通过在第一预定时段向电池施加第一维持电压进行维持充电。如果需要，可以在第二预定时段向电池施加第二维持电压。用于对电池进行维持充电的装置利用计时器和充电控制器在预定...

公开了一种当诸如移动台、寻呼机、便携式计算机、摄像机、或个人数字助理等的便携式电子装置（１０）的剩余的电池容量降低到预定的水平以下以及便携式电子装置（１０）位于相应的充电单元（３０）附近时，把电池低的条件通知用户的设备、系统和方法。便携...

提供了一种可用作移动通信设备如移动电话中电池监测器的监测设备。该监测设备包含输出寄存器，处理器单元可以从这些寄存器中读出参数值。有利地，读设备进行频繁地测量，并根据这些测量值来更新参数值。所更新的保存的参数值可由处理器读出。这就具有这样...

一种用于便携式电装置的可充电电池具有至少一个电池芯（１０）及与该电池芯相串联的一个熔丝装置（１２；１３），此外，该电池具有一个电压控制有源装置（２０），它与电池芯（１０）相并联，并被设计成，响应控制输入端（２２）上的电压分别呈现基本的非...

本发明涉及在遭受不同类型的机械超负荷后如何使电缆设施保持功能有效或至少使损坏尽可能小的问题。这些问题通过如下方法和设施来解决，其中将紧固部件和紧固部件的接触材料设置成使得电缆能够在遭受机械超负荷时通过紧固部件滑动。

本发明涉及一种在电缆分支领域内的装置和用于制造电缆分支的方法。在主电缆（１）中的一个或几个主导体（４１－４４）被切断并从主电缆中放出。被切断和放出的主导体和从分支电缆（２）的端部（６３）伸出的分支导体（５３－５６）拼接。主电缆的一部分被...

本发明涉及到一种组合式电缆悬挂装置和电缆托架。为了将电缆悬挂装置（１）兼用做电缆托架，为悬挂装置设有一个可旋转的电缆支撑装置（２），它在悬挂装置被当作电缆托架时可以在上述装置中向上移动，在电缆与悬挂装置的电缆支撑面（３）脱离接触时用来旋...

本发明涉及电缆支架，可应用在放置电子设备（１９），如辅助构架上的印刷电路板，的结构上。支架包括带有沿所述结构引导电缆（２０）的电缆导引表面（１１，１２）的细长导轨（１０），和至少一对具有共有间隔的弯曲的凸片（１３，１４），其设置在与所述...

一种制作激光放大器３的方法，包括在半导体衬底（６）上制作有源区（５），制作有源区包括交替地生长势阱层（１３、１４、１５、１６）和势垒层（１２），势阱层包括具有张应变的第一类型势阱层（１４、１５、１６），同时包括或不包括具有压应变的第二类...

一个外延生长半导体异质结构有一个基本上被限制区域（９）侧面限制的内部区域，还有被增强的横向限制层（３，７）增强地横向限制。后一类层通过在下部增强的横向限制层（３）的上面停止产生侧面限制的蚀刻，并在制造侧面限制区域（９）之后生长这样一个上...

异质结双极型晶体管ＨＢＴ和激光二极管ＬＤ由包括多个半导体层（１－９）的公用外延结构制作。晶体管可以由外延步骤结束之后得到的材料直接制作。为制作激光二极管，需要通过向材料中扩散（２１）锌来改变结构，这样最顶层材料层的掺杂剂类型将由ｎ－型转...

在包括台结构（１１）的半导体激光器中；为了减小靠近激活发射层（１５）的台壁处的电流，通过在台结构内设置一带有宽度小于台结构（１１）的、处于台结构（１１）中央的缝隙（１４）的电流阻挡层（１３），使台结构（１１）中的侧向电流分布受到控制。

本发明涉及半导体激光器，该激光器可以与光纤对接耦合，是凭借如下事实，即在激光器装置的端部区域，功率被从有源波导耦合到无源波导，所述有源波导具有窄模式，所述无源波导具有宽模式。有源波导具有非对称楔形，在制造过程中通过沿对角线刻蚀活化层形成。

在ＢＨ－类型的半导体激光器中，包括由ｎ－ｐ－ｎ－ｐ或者ｎ－ＳＩ－ｎ－ｐ序列膜层（５，９，１１，３）构成的侧面电流阻挡结构，位于掩埋有源区的两侧。在第二ｎ型掺杂膜层和第二ｐ型掺杂膜层之间加入一个或多个薄膜层（１３，１５）。薄附加膜层（１３...

１．３μｍ波段的ＩｎＰ－基多量子阱激光器具有至少一个，最好几个，夹持在具有更大带隙的势垒层之间的阱层。阱层和势垒层都具有大体相同的Ⅲ族元素组份，但Ⅴ族元素组份不同。阱层与衬底的晶格常数的差别在可能的电压极限之内，即所谓的失配，其中阱层具...