提供了一种屏蔽栅极沟槽MOSFET装置结构。该装置结构包括在覆盖n+硅衬底的n型外延硅层中形成的MOS栅极沟槽和p体接触沟槽。每个MOS栅极沟槽包括栅极沟槽堆叠体，该栅极沟槽堆叠体具有由中间多晶硅氧化物(IPO)层与上n+栅极多晶硅层分...

本发明提供了具有能够阻挡电压的超结漂移区域的半导体器件。超结漂移区域是位于半导体器件的顶部电极与底部电极之间的外延半导体层。超结漂移区域包括多个在超结漂移区域中形成的具有P型导电性的柱，这些柱被超结漂移区域的N型材料围绕。

一种MOSFET器件结构，该MOSFET器件结构在半导体晶片上形成。所述结构包括形成在p本体区中的多个MOS栅极沟槽和自对准p+接触沟槽的阵列。MOS栅极沟槽的沟槽深度比所述自对准p+接触沟槽的沟槽深度深。在每个MOS栅极沟槽下方形成P...

提供了一种垂直IGBT器件。垂直IGBT器件包括具有第一导电型的衬底。在衬底的顶表面上形成第一导电型的漂移区。衬底的底表面被图案化以具有台面和凹槽的阵列。台面和凹槽以交替的方式形成，使得每个台面被包括凹槽表面的凹槽彼此隔开。在凹槽表面中...

在制造前侧IGBT结构后没有背侧激光掺杂物激活或任何温度超过450℃的工艺的情况下制造的场终止绝缘栅双极型晶体管(IGBT)提供具有受控制的掺杂浓度的激活注入区。注入区可以通过外延生长或者离子注入和扩散形成在衬底上或衬底中，然后生长N场...

诸如沟槽MOSFET或IGBT的屏蔽沟槽功率器件采用具有下面的多晶硅屏蔽区域的栅极结构，该多晶硅屏蔽区域与器件的外延层或结晶层中的屏蔽区域接触。

公开了一种垂直IGBT器件。垂直IGBT结构包含形成在第一导电性类型的半导体衬底的正侧的有源区域中的有源MOSFET单元阵列。一个或多个第二导电性类型的柱结构同心地围绕有源MOSFET单元阵列。每个柱结构包含柱沟槽和深柱区域。通过将第二...