【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种线切碎硅片杂质的处理方法,其特征在于:所述方法包括以下步骤:S1、用马弗炉对碎硅片烘烤1~2小时,设定烘烤温度为550~800度;S2、烘烤完成后,快速将高温的碎硅片取出并用自来水反复冲洗;S3、冲洗完成后,用浓度10~30%的氢氧化钠碱液清洗碎硅片,清洗过程中不断搅拌,时间控制在10~30分钟;清洗完成后,用纯水反复冲洗碎硅片,直至PH试纸测试PH6为止;S5、将酸液清洗后的碎硅片放入超声波清洗器中进行超声波清洗,时间保持20分钟;从超声波清洗器中取出碎硅片,用烘箱烘烤20~40小时,烘箱温度设定为100~120度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:颜玉峰,张冰蕾,付振东,张玉亮,刘存国,闫广宁,李永峰,
申请(专利权)人:河北宁晋松宫半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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