本发明专利技术公开了一种双荧光薄膜双面出光平面薄片式LED阵列光源，包括平面薄片式衬底、LED芯片和两片荧光薄膜，所述平面薄片式衬底上设计有一个以上LED结合区，LED芯片排布在LED结合区上构成LED贴片结构，两片荧光薄膜塑封在LED贴片结构的外侧。本发明专利技术提供的双荧光薄膜双面出光平面薄片式LED阵列光源，采用整版式结构，同时提高了产品的散热能力，有效避免了硅胶与荧光粉混合不均导致的低散热能力；透明软基板或镂空无基板衬底结构的使用，实现了双面出光，有效提高了产品的出光效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED光源，尤其涉及一种具有良好散热效果的LED阵列光源，为多个LED芯片成阵列排布结构的阵列式光源。
技术介绍
由于发光二极管为一种可将电能转换为光能的高效率冷光发光兀件，并具有耗电量低、寿命长等优点，故发光二极管多半用于电子产品指示用途。但如何将发光二极管用于商业及家庭照明或装饰仍然有很大的空间需要填补。台湾新型专利1229948揭露了一种倒装式发光二极管封装阵列及其封装单元，主要揭露一发光二极管芯片设置于一陶瓷基板上，并连接该陶瓷基板上的金属连线层；该瓷 基板是利用导热胶附与一金属本体的凹穴内的。在这种做法下，由于该发光二极管芯片与金属连线层两者，与该金属本体之间还隔着该陶瓷基板与该导热胶等两层，因此，该发光二极管芯片与金属连线层上的热，是无法很快地传导到该金属本体上进行散热的。因而该案中有关散热部份的做法，仍有再加以改进的空间，以符合高功率LED产品对散热质量上的高要求。同时传统的单颗封装自动化程度仍有较大的提升空间，在解决散热问题的基础上如何大幅提高LED的出光效率也十分重要。
技术实现思路
专利技术目的为了克服现有技术中存在的不足，本专利技术提供一种在使用过程中具有良好散热效果的双荧光薄膜双面出光平面薄片式LED阵列光源。技术方案为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为一种双荧光薄膜双面出光平面薄片式LED阵列光源，包括平面薄片式衬底、LED芯片和两片荧光薄膜，所述平面薄片式衬底上设计有一个以上LED结合区，LED芯片排布在LED结合区上构成LED贴片结构，两片荧光薄膜塑封在LED贴片结构的外侧。由于采用平面式衬底结构，因而最终形成的LED器件能够具有良好的散热效果；同时，由于其为薄片式衬底结构，因而最终形成的LED器件为软材质，可以根据需要卷曲成各种形状，且不损坏LED芯片的电路连接，满足不同行业对灯芯结构的要求。总之，该LED芯片与衬底之间没有隔着现有技术中的绝缘层(胶)、导热胶或间隙，所以该LED芯片及导电层上的热都可以很快地传导到衬底上进行散热。优选地，所述荧光薄膜为含有荧光物质的透明有机材料，如硅胶或者树脂；由于荧光薄膜内含有荧光粉，因而其配合相应颜色的LED芯片，即可方便地实现白光LED ;所述荧光物质可以均匀分布在透明有机材料中，或非均匀分布在透明有机材料中，配合LED芯片出光结构，以提高荧光物质的使用率和整个光源的出光效率。优选地，所述荧光薄膜和LED贴片结构之间通过真空或者惰性气体封接，具体可以通过真空冷裱膜塑封技术实现。所述平面薄片式衬底可以为覆有导电图案的透明柔性薄膜；具体的，所述透明柔性薄膜可以为聚酯类薄膜、聚酰亚胺类薄膜或PMMA材质；所述导电图案可以使用铜、银、金等导电材质；该种平面薄片式衬底可称之为软基板衬底；由于采用透明柔性薄膜，因而可以提高透光效率，增大透光角度。上述结构的衬底可以通过干膜一曝光一显影一蚀刻一去膜一镀锡铅工艺制得，这是一种类似FPCB的制备工艺，但不同点是本案的制备工艺过程减少了覆盖膜层的工序，这是为了增加整个衬底的透光性。所述平面薄片式衬底还可以仅为形成导电图案的金属箔片，如铜箔、铝箔或其他材质的导电箔片，该种平面薄片式衬底可称之为无基板衬底，由于无其他材料，因而其镂空处能够完全透光，依然实现了双面透光的目的。上述形成导电图案的金属箔片可以由相应材质的箔片材料经过刻蚀、雕刻或冲压加工工艺制得。 在形成导电图案的金属箔片的表面印刷有阻焊层，以制得尺寸精确的LED结合区。软基板衬底的导电图案和无基板衬底的形成导电图案的金属箔片的形状可以采用计算机模拟方法来优化设计，以提高整个LED器件的光学、电学和热学性能。优选地，所述LED芯片通过焊接或者胶合的方式固定在LED结合区上。有益效果本专利技术提供的双荧光薄膜双面出光平面薄片式LED阵列光源，采用整版式结构，打破了传统的单颗封装LED的概念，有利于快速、高效生产，自动化程度高，可以整版快速封装，封装产品的可靠性高、一致性好；导电图案通过印刷电路或直接使用导电图案的铜箔即可实现，同时导电图案的采用省去了单颗产品需要跳线的问题；并且，整版结构有利于提高产品的散热能力，避免硅胶与荧光粉混合不均导致的低散热能力，提高LED器件的使用寿命；透明软基板或镂空无基板衬底结构的使用，实现了双面出光，有效提高了产品的出光效率。附图说明图I为本专利技术的结构示意图；图2为软基板衬底的LED贴片结构示意图；图3为无基板衬底的LED贴片结构示意图。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术作更进一步的说明。如图I所示为一种双荧光薄膜双面出光平面薄片式LED阵列光源，包括平面薄片式衬底I、若干LED芯片3和两片突光薄膜4,所述突光薄膜4为含有突光物质的透明有机材料；所述平面薄片式衬底I上设计有和LED芯片3数目相同的LED结合区，LED芯片3通过焊接或者胶合的方式排布在LED结合区上，LED芯片3和衬底I共同构成LED贴片结构，两片荧光薄膜4通过真空冷裱膜塑封技术塑封在LED贴片结构的外侧。如图2所示，所述平面薄片式衬底I可以为软基板衬底，通过在透明聚酯类(PET)薄膜或聚酰亚胺类(PI)薄膜2表面覆上(铜)导电图案即可实现，这种衬底可以通过干膜一曝光一显影一蚀刻一去膜一锻锡铅工艺制得。如图3所示，所述平面薄片式衬底I还可以为无基板衬底，其仅仅包括形成导电图案的铜箔；所述形成导电图案的铜箔是由铜箔材料经过刻蚀、雕刻或冲压加工工艺制得，在其表面印刷阻焊层即可制得LED结合区。软基板衬底的导电图案和无基板衬底的形成导电图案的铜箔的形状都可以采用计算机模拟方法来优化设计，以提高整个LED器件的光学、电学和热学性能。具体的制得上述双荧光薄膜双面出光平面薄片式LED阵列光源的步骤如下(I)选用PET材料制备透明聚酯类薄膜，再在薄膜材料上使用压延的方法覆铜，然后再进行导电图案2的曝光一显影一蚀刻一去膜一镀锡铅步骤，得到预定的导电图案2，该导电图案2上具有LED结合区，即用于连接LED芯片3的P、N电极的焊盘； (2)将LED芯片3通过导热胶或焊锡，固定在LED结合区，使LED芯片3的P、N电极通过Au金属化扩展层直接连接到焊盘上，形成LED贴片结构；所述LED芯片3可以选用红光、绿光或蓝光LED芯片，如果希望发出白光，可以使用高功率的蓝光LED芯片进行适配；(3)将两片荧光薄膜4通过真空冷裱膜塑封技术塑封在LED贴片结构的外侧；与传统工艺相比，硅胶层的厚度选择以封装固定为准则，避免了因混杂荧光粉及涂附厚度不一致制等问题带来的导热能力差的缺陷。上述步骤采用的是软基板衬底，如使用无基板衬底，则步骤(I)可以更换为将铜箔材料进行刻蚀、激光雕刻或冲压加工，制得导电图案2，再在导电图案上印刷阻焊层，形成LED结合区。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双荧光薄膜双面出光平面薄片式LED阵列光源，其特征在于该阵列光源包括平面薄片式衬底(1)、LED芯片(3)和两片荧光薄膜(4)，所述平面薄片式衬底(I)上设计有一个以上LED结合区，LED芯片(3)排布在LED结合区上构成LED贴片结构，两片荧光薄膜(4)塑封在LED贴片结构的外侧。2.根据权利要求I所述的双荧光薄膜双面出光平面薄片式LED阵列光源，其特征在于所述荧光薄膜(4)为含有荧光物质的透明有机材料。3.根据权利要求2所述的双荧光薄膜双面出光平面薄片式LED阵列光源，其特征在于所述荧光物质均匀分布在透明有机材料中或非均匀分布在透明有机材料中。4.根据权利要求I所述的双荧光薄膜双面出光平面薄片式LED阵列光源，其特征在于所述荧光薄膜(4)和LED贴片结构之间通过真空或者惰性气体封接。5.根据权利要求I所述的双荧光薄膜双面出光平面薄片式LED阵列...
【专利技术属性】
技术研发人员：高鞠，王媛，
申请(专利权)人：苏州晶品光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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