一种纳米高阻浆料的配方及其制备工艺组成比例

本发明专利技术公开了一种纳米高阻浆料的配方及其制备工艺，所述的制备工艺为：（1）按重量百分比为氧化硅12.5%-13.5%、氧化锌37.5%-40%、氧化铋25%-30%、氧化铬5%-10%、氧化锑12.5%-17.5%的配方配料1000g并倒入瓷质球筒内；（2）按照配料：聚乙烯醇胶水=1:0.9-1.1的重量比称取聚乙烯醇胶水并倒入瓷质球筒内；（3）按照配料：消泡剂=1000g:1-3ml的质量体积比量取消泡剂并滴入瓷质球筒内；（4）将瓷质球筒密闭并放置在球磨机上，球磨18-24h后即制得纳米高阻浆料。本发明专利技术的浆料均匀度高、流动性好、易喷涂且涂层均匀细腻，在大电流冲击下的耐受水平可提高50%以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种无机非金属材料及其产品，具体地说是一种纳米高阻浆料的配方及其制备工艺。
技术介绍
氧化锌电阻片具有非常优越的非线性特性，作为避雷器的核心部件被广泛地应用于电力系统中，保护电器设备免受雷电等过电压的破坏。近年来，随着经济的发展，对输运电容、电压的要求不断提高，对输变电设备的安全性、可靠性要求也越来越高，因此对金属氧化物避雷器的运行安全可靠性、重量轻质化和体积小型化提出了更高的要求。现有氧化锌电阻片由于侧面绝缘强度不够，在大电流下易发生侧面闪络、小孔击穿等侧面放电现象，导致电阻片失效，失去保护能力。为了提高电阻片侧面能量耐受能力， 常采取的方式是在侧面涂敷高阻绝缘涂层，作为侧面绝缘材料。目前常用的侧面绝缘材料有环氧釉、玻璃釉和无机高阻层。环氧釉是由绝缘性能良好的环氧树脂加入一定量的无机填料、稀释剂、着色剂等组成，其绝缘性能好；但由于其附着力差，且膨胀系数与阀片相差大，受热冲击时易产生微裂纹等缺陷，导致绝缘性能下降。玻璃釉的绝缘能力和耐污能力好，是较为理想的侧面保护材料，但是玻璃釉的膨胀系数不一致，在电阻片承受大电流冲击时，易开裂，甚至脱落等；此外根据环保的要求，一般采用无铅玻璃釉，而大部分的无铅玻璃釉烧结温度较高地超出了电阻片的热处理温度，导致电阻片的性能裂化，限制了适用范围。目前较为常用的是无机高阻层，其是与电阻片胚体一起经高温烧结而成的绝缘陶瓷。一般来说，无机高阻层均勻致密，与电阻片在热性能和机械性能方面有很大的相似性， 与基体之间存在一定厚度的过渡层，耐热冲击性能较高。因此，无机高阻绝缘层一直是国内外研究的热点。但现有制取无机高阻层的浆料由于所选用的氧化物原料组合及配比不合适，普遍存在绝缘能力较差、流动性不好的缺陷，使得电阻片的耐受水平受到较大的局限。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有的制取无机高阻层的浆料存在的问题，提供一种均勻度高、流动性好并能大大提高电阻片的大电流耐受水平的纳米高阻浆料的配方及其制备工艺。本专利技术的目的是通过以下技术方案解决的一种纳米高阻浆料的配方，所述配方的重量百分比为氧化硅12. 5%-13. 5%、氧化锌 37. 5%-40%、氧化铋 25%-30%、氧化铬 5%_10%、氧化锑 12. 5%-17. 5%。所述的制备工艺为(1)按配方的重量百分比称取各原料共计lOOOg，并将配制的混合配料倒入瓷质球筒内；(2)按照配料聚乙烯醇胶水=1:0.9-1. 1的重量比称取聚乙烯醇胶水，并将聚乙烯醇胶水倒入瓷质球筒内；0按照配料消泡剂10008 1-301的质量体积比量取消泡剂，并将消泡剂滴入瓷质 球筒内；(“将瓷质球筒密闭并将瓷质球筒按规定放置在球磨机上，球磨18-241！后即制得纳米 高阻浆料。〔000幻 所述步骤〔3〉中的消泡剂为草酸。 〔0009〕 本专利技术相比现有技术有如下优点本专利技术的纳米高阻浆料具有均勻度高、流动性好的优点，便于喷涂、喷枪不易堵塞且涂 层均勻细腻；且在4/10118大电流冲击下的耐受水平相比传统浆料可提高5096以上。具体实施例方式〔0010〕 下面结合具体实施例对本专利技术作进一步的说明。 〔0011〕 实施例1首先取1288氧化硅、3858氧化锌、2628氧化铋、728氧化铬和1538氧化锑进行混合配 料，并将配制的混合配料倒入瓷质球筒内；接着将9508的聚乙烯醇胶水倒入瓷质球筒内， 用以增加电阻片涂层的表面电阻，即增强电阻片的侧面绝缘；然后将1.5-的草酸作为发 泡剂滴入瓷质球筒内，草酸主要用于去除磨料过程中产生的泡沫，起到消饱和稀释作用；最 后密闭瓷质球筒并将瓷质球筒按规定放置在球磨机上，球磨201！后即制得纳米高阻浆料。 〔0012〕 实施例2首先取1328氧化硅、3758氧化锌、2728氧化铋、878氧化铬和1348氧化锑进行混合配 料，并将配制的混合配料倒入瓷质球筒内；接着将11008的聚乙烯醇胶水倒入瓷质球筒内， 用以增加电阻片涂层的表面电阻，即增强电阻片的侧面绝缘；然后将1. 401的草酸作为发 泡剂滴入瓷质球筒内，草酸主要用于去除磨料过程中产生的泡沫，起到消饱和稀释作用；最 后密闭瓷质球筒并将瓷质球筒按规定放置在球磨机上，球磨2处后即制得纳米高阻浆料。 ^001 本专利技术的纳米高阻浆料的性能，分别以030 ！11111和042讓的电阻片作为样品和 原先采用的浆料进行4/10118大电流冲击耐受测试，其中相同外径的电阻片所采用的涂层 厚度相同，测试的结果如表1所示。其中采用原有浆料的0 30 ！11111电阻片在4/10118大电流 冲击下的耐受水平不超过40以，而采用本专利技术浆料的030讓电阻片在4/10118大电流冲 击下的耐受水平不小于65 ^ ；采用原有浆料的042111111电阻片在4/10118大电流冲击下的 耐受水平不超过65以，而采用本专利技术浆料的042讓电阻片在4/10118大电流冲击下的耐受 水平不小于100以，即采用本专利技术纳米高阻浆料制成的电阻片相比传统浆料制成的电阻片 在4/10118大电流冲击下的耐受水平可提高5096以上。另外，本专利技术的纳米高阻浆料还具有 均勻度高、流动性好的优点，便于喷涂、喷枪不易堵塞且涂层均勻细腻。权利要求1.一种纳米高阻浆料的配方，其特征在于所述配方的重量百分比为氧化硅 12. 5%-13. 5%、氧化锌 37. 5%_40%、氧化铋 25%_30%、氧化铬 5%_10%、氧化锑 12. 5%-17. 5%。2.如权利要求1所述的纳米高阻浆料的制备工艺，其特征在于所述的制备工艺为(1)按配方的重量百分比称取各原料共计lOOOg，并将配制的混合配料倒入瓷质球筒内；(2)按照配料聚乙烯醇胶水=1:0.9-1. 1的重量比称取聚乙烯醇胶水，并将聚乙烯醇胶水倒入瓷质球筒内；(3)按照配料消泡剂=IOOOg:l-3ml的质量体积比量取消泡剂，并将消泡剂滴入瓷质球筒内；(4)将瓷质球筒密闭并将瓷质球筒按规定放置在球磨机上，球磨18-24h后即制得纳米高阻浆料。3.根据权利要求2所述的纳米高阻浆料的制备工艺，其特征在于所述步骤(3)中的消泡剂为草酸。全文摘要本专利技术公开了一种纳米高阻浆料的配方及其制备工艺，所述的制备工艺为(1)按重量百分比为氧化硅12.5%-13.5%、氧化锌37.5%-40%、氧化铋25%-30%、氧化铬5%-10%、氧化锑12.5%-17.5%的配方配料1000g并倒入瓷质球筒内；(2)按照配料聚乙烯醇胶水=1:0.9-1.1的重量比称取聚乙烯醇胶水并倒入瓷质球筒内；(3)按照配料消泡剂=1000g:1-3ml的质量体积比量取消泡剂并滴入瓷质球筒内；(4)将瓷质球筒密闭并放置在球磨机上，球磨18-24h后即制得纳米高阻浆料。本专利技术的浆料均匀度高、流动性好、易喷涂且涂层均匀细腻，在大电流冲击下的耐受水平可提高50%以上。文档编号C04B35/622GK102531569SQ20121006081公开日2012年7月4日 申请日期2012年3月9日 优先权日2012年3月9日专利技术者朱才良, 许贤明 申请人:江苏新澳电力技术有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱才良，许贤明，
申请(专利权)人：江苏新澳电力技术有限公司，
类型：发明
国别省市：