【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶体生长炉,属于晶体生长装置领域。
技术介绍
目前,现有的晶体生长装置一般采用单室结构,例如美国专利(us6200917)采用石英玻璃作为真空生长室,感应线圈位于石英玻璃外, 由密封圈、下法兰、石英管及顶盖构成真空生长室;例如中国专利 (CN200310113521.X)采用放置了感应线圈的金属腔体作为单一的真 空生长室。每次晶体生长前的装料及生长结束后取出晶体都要打开真 空生长室,引起真空生长室接触大气,极易受到大气的污染和氮吸附, 很难实现晶体生长以及对杂质精确控制的晶体生长。
技术实现思路
本技术的目的是克服在先技术的缺点,提出一种晶体生长炉。本技术的关键在于考虑到生长晶体时,晶体生长室和送样室 形成双室结构可有效避免晶体生长体系在装料及取样时暴露在大气 中,最大程度地减少生长室对污染物的吸附,有效降低生长晶体中非故意掺杂浓度。本技术包括晶体生长室(1)、送样室(2)、真空插板阀(3)、生长坩埚(4)、保温材料(5)、真空系统(5)、进气系统(6)、传递装置(7);晶体生长室(1)和送样室(2)之间相互为上下排列方式或左右 排列方式排列;所述的排列方式优选上下排列;真空插板阀(3)位于晶体生长室(1)与送样室(2)之间并连 接晶体生长室(1)与送样室(2),真空插板阀(3)可开启或关闭;传递装置(7)连接于送样室上;生长坩埚(4)通过传递装置(7) 由送样室(2)经真空插板阀(3)送入晶体生长室(1);所述晶体生长室(1)和送样室(2)分别连接有真空系统(5)和进气系统(6);所述的进气系统(6)优选多路进气系统;所述晶体生长室(1)和/或送样 ...
【技术保护点】
晶体生长炉,包括晶体生长室(1)、送样室(2)、真空插板阀(3)、生长坩埚(4)、真空系统(5)、进气系统(6)、传递装置(7),其特征在于: 晶体生长室(1)和送样室(2)之间相互为上下排列方式或左右排列方式排列; 真空插板阀(3)位于晶体生长室(1)与送样室(2)之间并连接晶体生长室(1)与送样室(2),真空插板阀(3)可开启或关闭; 传递装置(7)连接于送样室上;生长坩埚(4)通过传递装置(7)由送样室(2)经真空插板阀(3)送入晶体生长室(1);所述晶体生长室(1)和送样室(2)分别连接有真空系统(5)和进气系统(6)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈之战,施尔畏,严成锋,肖兵,
申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所,
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]
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