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【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体工艺,尤其涉及一种磁控管装置及半导体工艺设备。
技术介绍
1、溅射,又称为物理气相沉积,被广泛使用在晶片或其他基板上沉积目标材料层。磁控溅射技术是通过在靶阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法。
2、在相关技术中,在驱动磁控管装置转动进行溅射的过程中,靶材存在腐蚀程度不均匀的问题,会使得靶材的溅射均匀性不够好。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种磁控管装置及半导体工艺设备,以解决如何提升靶材的溅射均匀性的问题。
2、第一方面,本申请实施例提供了一种磁控管装置。
3、本申请实施例提供的磁控管装置用于半导体工艺设备中,所述磁控管装置包括:基座、第一滑动座、磁控管组件、旋转驱动器和传动组件;
4、所述第一滑动座与所述基座滑动连接,所述磁控管组件包括第一磁控管和第二磁控管,所述第一磁控管设置于所述基座,所述第二磁控管设置于所述第一滑动座,
5、所述旋转驱动器与所述基座驱动连接,所述旋转驱动器用于驱动所述基座转动,所述旋转驱动器还通过所述传动组件与所述第一滑动座驱动连接,所述传动组件具有传动连接状态和传动切断状态,
6、在所述传动组件处于所述传动连接状态的情况下,所述传动组件用于带动所述第一滑动座相对所述基座滑动;在所述传动组件处于所述传动切断状态的情况下,所述第一滑动座与所述基座相对静止。
7、第二方面,本申请实施例提供了一种半导体工艺设备。
...【技术保护点】
1.一种磁控管装置,用于半导体工艺设备中,其特征在于,包括:基座(110)、第一滑动座(121)、磁控管组件、旋转驱动器(140)和传动组件(150);
2.根据权利要求1所述的磁控管装置,其特征在于,所述传动组件(150)包括第一传动轮(151)、第二传动轮(1521)、传动轴(1522)和第一缠绕带(1531);
3.根据权利要求2所述的磁控管装置,其特征在于,所述传动组件(150)还包括第一复位件(1541),所述第一复位件(1541)分别与所述第一滑动座(121)和所述基座(110)连接,所述第一复位件(1541)用于向所述第一滑动座(121)施加第一复位驱动力,所述第一复位驱动力的方向与所述第一缠绕带(1531)施加至所述第一滑动座(121)的驱动力的方向相反。
4.根据权利要求3所述的磁控管装置,其特征在于,所述传动组件(150)还包括第一限位件和第二限位件,所述第一限位件和所述第二限位件分别设置于所述基座(110),
5.根据权利要求2所述的磁控管装置,其特征在于,所述磁控管装置还包括第二滑动座(122)和第三滑动座(
6.根据权利要求5所述的磁控管装置,其特征在于,所述传动组件(150)还包括第一滑块(155)、第一滑轨、第一传动件(1561)和第二传动件(1562);
7.根据权利要求6所述的磁控管装置,其特征在于,所述传动组件(150)还包括第二复位件(1542)和第三复位件(1543),
8.根据权利要求2所述的磁控管装置,其特征在于,所述磁控管装置还包括第四滑动座(124)和第五滑动座(125),所述第四滑动座(124)和所述第五滑动座(125)分别与所述基座(110)滑动连接;
9.根据权利要求8所述的磁控管装置,其特征在于,所述传动组件(150)还包括第二缠绕带(1532)、第二滑块(157)、第二滑轨、第三传动件(1581)和第四传动件(1582);
10.根据权利要求9所述的磁控管装置,其特征在于,所述传动组件(150)还包括第四复位件(1544)、第五复位件(1545)和第六复位件(1546);
11.一种半导体工艺设备,其特征在于,所述半导体工艺设备包括权利要求1至10中任意一项所述的磁控管装置。
...【技术特征摘要】
1.一种磁控管装置,用于半导体工艺设备中,其特征在于,包括:基座(110)、第一滑动座(121)、磁控管组件、旋转驱动器(140)和传动组件(150);
2.根据权利要求1所述的磁控管装置,其特征在于,所述传动组件(150)包括第一传动轮(151)、第二传动轮(1521)、传动轴(1522)和第一缠绕带(1531);
3.根据权利要求2所述的磁控管装置,其特征在于,所述传动组件(150)还包括第一复位件(1541),所述第一复位件(1541)分别与所述第一滑动座(121)和所述基座(110)连接,所述第一复位件(1541)用于向所述第一滑动座(121)施加第一复位驱动力,所述第一复位驱动力的方向与所述第一缠绕带(1531)施加至所述第一滑动座(121)的驱动力的方向相反。
4.根据权利要求3所述的磁控管装置,其特征在于,所述传动组件(150)还包括第一限位件和第二限位件,所述第一限位件和所述第二限位件分别设置于所述基座(110),
5.根据权利要求2所述的磁控管装置,其特征在于,所述磁控管装置还包括第二滑动座(122)和第三滑动座(12...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈春伟,杨玉杰,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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