【技术实现步骤摘要】
InAs/GaAs1‑
x
Sb
x
量子点结构
[0001]本专利技术涉及半导体量子点器件领域,具体涉及一种
InAs/GaAs1‑
x
Sb
x
量子点结构
。
技术介绍
[0002]目前,
InAs
量子点因其独特的电学和光学性能在量子点激光器
、
量子点近红外探测器
、
中间能带太阳能电池
、
量子点场效应晶体管等光电
、
光伏和微电子领域极具应用前景
。
现有技术主要利用
GaAsSb
作为
InAs
量子点和
GaAs
盖层之间的缓冲材料,从而能够拓展量子点结构的吸收波段,但是由于此时电子和空穴波函数发生空间分离,量子点结构的光吸收系数较小,不利于量子点结构在光电和光伏器件中的应用,因此如何在拓展量子点结构的吸收波段的同时提高光吸收系数是亟待解决的问题
。
技术实现思路
[0003](
一
)
技术方案
[0004]鉴于此,为了克服上述问题的至少一个方面,本专利技术的实施例提供一种
InAs/GaAs1‑
x
Sb
x
量子点结构,其特征在于,包括
n
个叠加生长的
InAs/GaAs1‑
x
Sb
x
量子点层,其中,每个
I
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种
InAs/GaAs1‑
x
Sb
x
量子点结构,其特征在于,包括
n
个叠加生长的
InAs/GaAs1‑
x
Sb
x
量子点层,其中,每个所述
InAs/GaAs1‑
x
Sb
x
量子点层包括:
InAs
量子点层
(10)
;
GaAs1‑
x
Sb
x
梯度调制盖层
(11)
,生长在所述
InAs
量子点层
(10)
表面,用以调制所述
InAs
量子点层
(10)
的应力和光吸收,所述
GaAs1‑
x
Sb
x
梯度调制盖层
(11)
中
Sb
的含量沿所述
GaAs1‑
x
Sb
x
梯度调制盖层
(11)
在所述
InAs
量子点层
(10)
上的生长方向线性递减;
GaAs
间隔层
(12)
,生长在所述
GaAs1‑
x
Sb
x
梯度调制盖层
(11)
表面,其中,
n
为大于等于1的整数
。2.
根据权利要求1所述的结构,其特征在于,每个所述
InAs/GaAs1‑
x
Sb
x
量子点层中,所述
GaAs1‑
x
Sb
x
梯度调制盖层
(11)
包括:
GaAs1‑
x
Sb
x
底缓变单元
(111)
:为所述
GaAs1‑
x
Sb
x
梯度调制盖层
(11)
在所述
InAs
量子点层
(10)
生长方向上的底层单元,生长在所述
InAs
量子点层
(10)
表面;
GaAs1‑
x
Sb
x
中间缓变单元
(112)
:为所述
GaAs1‑
x
Sb
x
梯度调制盖层
(11)
在所述
InAs
量子点层
(10)
生长方向上的中间单元,生长在所述
GaAs1‑
x
Sb
x
底缓变单元
(111)
表面;
GaAs1‑
x
Sb
x
顶缓变单元
(113)
:为所述
GaAs1‑
x
Sb
x
梯度调制盖层
(...
【专利技术属性】
技术研发人员:王晓东,包怡迪,刘雯,毛旭,刘庆,陈啸岭,杨富华,
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所,
类型:发明
国别省市:
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