太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种太阳能电池及其制备方法，所公开的太阳能电池包括依次叠置的

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种太阳能电池及其制备方法
。

技术介绍

[0002]太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置
。
在相关技术中，太阳能电池的采光面为平面结构，并在采光面上设置栅线
(
电极结构
)
，由于，太阳能电池的采光面的面积本身就有限，栅线的设置会进一步遮挡部分太阳能电池的采光面，从而使得相关技术中的太阳能电池发电能力较低，无法满足用户对太阳能电池的发电能力的要求越来越高的问题
。

技术实现思路

[0003]本专利技术公开一种太阳能电池及其制备方法，以解决相关技术中的太阳能电池的发电能力较低的问题
。
[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术是这样实现的：
[0005]第一方面，本申请公开一种太阳能电池，包括依次叠置的
P
型硼扩散层
、PN
结层
、N
型硅基层
、
隧穿层和电子聚集层，其中，
[0006]所述
N
型硅基层具有第一凹陷部，所述
PN
结层的与所述第一凹陷部相对的区域具有第一凸起部和第二凹陷部，所述第一凸起部和所述第二凹陷部位于所述
PN
结层的相背的两侧，所述第一凸起部位于所述第一凹陷部内，所述
P
型硼扩散层的与所述第二凹陷部相对的区域具有第二凸起部和第三凹陷部，所述第二凸起部与所述第三凹陷部位于所述
P
型硼扩散层的相背的两侧，所述第二凸起部位于所述第二凹陷部内；
[0007]所述
P
型硼扩散层所在的一侧为迎光侧，所述隧穿层用于仅供电子穿过
。
[0008]第二方面，本申请还公开一种太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池为第一方面所述的太阳能电池，所述制备方法包括：
[0009]在硅主体上开设凹槽；
[0010]对所述硅主体的开设有所述凹槽的一侧进行硼扩散工艺，以使所述硅主体形成依次叠置的
P
型硼扩散层
、PN
结层和
N
型硅基层，其中，所述
N
型硅基层在所述凹槽对应的位置处形成第一凹陷部，所述
PN
结层在所述凹槽对应的位置形成第一凸起部和第二凹陷部，所述
P
型硼扩散层在所述凹槽对应的位置处形成第二凸起部和第三凹陷部；
[0011]在所述
N
型硅基层的背离所述
PN
结层的一侧设置隧穿层；
[0012]在所述隧穿层的背离所述
N
型硅基层的一侧设置电子聚集层
。
[0013]本专利技术采用的技术方案能够达到以下技术效果：
[0014]本申请实施例公开的太阳能电池通过将
N
型硅基层设置为具有第一凹陷部，
PN
结层的与第一凹陷部相对的区域具有第一凸起部和第二凹陷部，第一凸起部和第二凹陷部位于
PN
结层的相背的两侧，第一凸起部位于第一凹陷部内，
P
型硼扩散层的与第二凹陷部相对的区域具有第二凸起部和第三凹陷部，第二凸起部与第三凹陷部位于
P
型硼扩散层的相背
的两侧，第二凸起部位于第二凹陷部内，从而使得太阳能电池在第三凹陷部的位置处相对于相关技术中的太阳能电池采用平面结构来说可以增大接收光线的面积，从而可以提升太阳能电池的发电能力
。
附图说明
[0015]图1为本专利技术实施例公开的太阳能电池的结构示意图；
[0016]图2为本专利技术实施例公开的太阳能电池的制备流程图
。
[0017]附图标记说明：
[0018]110
‑
第一电极
、120
‑
第二电极
、
[0019]130
‑
P
型硼扩散层
、131
‑
第二凸起部
、132
‑
第三凹陷部
、
[0020]140
‑
PN
结层
、141
‑
第一凸起部
、142
‑
第二凹陷部
、
[0021]150
‑
N
型硅基层
、151
‑
第一凹陷部
、
[0022]160
‑
隧穿层
、170
‑
电子聚集层
、180
‑
钝化层
、190
‑
第一减反层
、210
‑
第二减反层
。
具体实施方式
[0023]为使本专利技术的目的
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚
、
完整地描述
。
显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围
。
[0024]以下结合附图，详细说明本专利技术各个实施例公开的技术方案
。
[0025]请参考图1至图2，本专利技术实施例公开一种太阳能电池，所公开的太阳能电池包括依次叠置的
P
型硼扩散层
130、PN
结层
140、N
型硅基层
150、
隧穿层
160
和电子聚集层
170。
[0026]P
型硼扩散层
130、PN
结层
140、N
型硅基层
150
可以通过对硅主体进行硼扩散工艺，以使硅主体形成依次叠置的
P
型硼扩散层
130、PN
结层
140
和
N
型硅基层
150
，
P
型硼扩散层
130、PN
结层
140、N
型硅基层
150
为一体式结构
。
需要说明的是，
N
型硅基层
150
为含磷层，
P
型硼扩散层
130
在受到光照的情况下，
P
型硼扩散层
130
中的硼原子的电子不稳定，从而电子可以穿过
PN
结层
140
和
N
型硅基层
150
，再穿过隧穿层
160
到达电子聚集层
170
，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种太阳能电池，其特征在于，包括依次叠置的
P
型硼扩散层
(130)、PN
结层
(140)、N
型硅基层
(150)、
隧穿层
(160)
和电子聚集层
(170)
，其中，所述
N
型硅基层
(150)
具有第一凹陷部
(151)
，所述
PN
结层
(140)
的与所述第一凹陷部
(151)
相对的区域具有第一凸起部
(141)
和第二凹陷部
(142)
，所述第一凸起部
(141)
和所述第二凹陷部
(142)
位于所述
PN
结层
(140)
的相背的两侧，所述第一凸起部
(141)
位于所述第一凹陷部
(151)
内，所述
P
型硼扩散层
(130)
的与所述第二凹陷部
(142)
相对的区域具有第二凸起部
(131)
和第三凹陷部
(132)
，所述第二凸起部
(131)
与所述第三凹陷部
(132)
位于所述
P
型硼扩散层
(130)
的相背的两侧，所述第二凸起部
(131)
位于所述第二凹陷部
(142)
内；所述
P
型硼扩散层
(130)
所在的一侧为迎光侧，所述隧穿层
(160)
用于仅供电子穿过
。2.
根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述
N
型硅基层
(150)
具有多个所述第一凹陷部
(151)
，所述
PN
结层
(140)
具有多个所述第一凸起部
(141)
和多个所述第二凹陷部
(142)
，所述
P
型硼扩散层
(130)
具有多个所述第二凸起部
(131)
和多个所述第三凹陷部
(132)
，多个所述第一凹陷部
(151)、
多个所述第一凸起部
(141)、
多个所述第二凹陷部
(142)、
多个所述第二凸起部
(131)
和多个所述第三凹陷部
(132)
一一对应设置
。3.
根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一电极
(110)
和第二电极
(120)
，至少部分所述第三凹陷部
(132)
内设有所述第一电极
(110)
，且所述第一电极
(110)
与所述
P
型硼扩散层
(130)
电连接，所述第二电极
(120)
与所述电子聚集层
(170)
电连接
。4.
根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述
P
型硼扩散层
(130)
的背离所述
PN
结层
(140)
所在的一侧的表面具有多个间隔设置的减反凸部
。5.
根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括钝化层
(180)
，所述钝化层
(180)
设于所述
P
型硼扩散层
(130)
的背离所述
PN
结层
(140)
的一侧，所述钝化层
(180)
的朝向所述
P
型硼扩散层
(130)
的一侧具有多个间隔设置的减反凹部，多个所述减反凸部对应地设于多个所述减反凹部内
。6.
根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括第一减反层
(190)
，所述第一减反层
(190)

【专利技术属性】
技术研发人员：许元飞，付少剑，张明明，郭世成，范洵，毛雨，彭高攀，吕佳丽，
申请(专利权)人：淮安捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：