【技术实现步骤摘要】
电流镜组的共质心布局及其布局方法
[0001]本专利技术涉及一种对电流镜组电路的共质心布局进行优化的方案
。
技术介绍
[0002]电流镜是模拟集成电路中普遍存在的一种标准部件,它也出现在一些数字电路中
。
在传统的电压模式运算放大器设计中,电流镜用来产生偏置电流
。
在新型电流模式模拟集成电路设计中,电流镜除了用来产生偏置电流外,还被广泛用来实现电流信号的复制或倍乘,极性互补的电流镜还可以实现差动-单端电流信号的变换
。
电流镜不仅是设计集成电路的基本单元电路,而且它本身就是一种典型的电流模式电路,在一些电流模式系统
(
例如高频连续时间滤波器
、
人工神经网络
)
中得到直接应用
。
[0003]一般而言,电流镜组
(CMB
:
Current Mirror Bank)
具有多个晶体管,其布局模式包括共质心布局
、
镜像布局
、
叉指布局等
。
图
1A
是示出晶体管的数量为4个时的一般的共质心布局的示意图
。
图
1B
是示出晶体管的数量为3个时的镜像布局的示意图
。
图
1C
是示出晶体管的数量为7个时的叉指布局的示意图
。
[0004]此外,图
2A
是电流镜组的原理图,图
2B
是示
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种电流镜组的共质心布局,其特征在于,包括:第一晶体管组,该第一晶体管组包括虚拟晶体管和第1晶体管;第二晶体管组,该第二晶体管组包括第2晶体管和第3晶体管;第三晶体管组,该第三晶体管组包括第4晶体管
、
第5晶体管
、
第6晶体管和第7晶体管;第四晶体管组,该第四晶体管组包括第8晶体管
、
第9晶体管
、
第
10
晶体管
、
第
11
晶体管
、
第
12
晶体管
、
第
13
晶体管
、
第
14
晶体管和第
15
晶体管;第五晶体管组,该第五晶体管组包括第
16
至
23
晶体管和第
24
至
31
晶体管;以及第六晶体管组,该第六晶体管组包括第
32
至
47
晶体管和第
48
至
63
晶体管,所述第一晶体管组中的所述第1晶体管和所述虚拟晶体管分别配置于第四行第四列和第五行第五列,所述第二晶体管组中的所述第2晶体管和所述第3晶体管分别配置于第五行第四列和第四行第五列,所述第三晶体管组中的所述第4晶体管和所述第5晶体管分别配置于第四行第二列和第四行第三列,所述第三晶体管组中的所述第6晶体管和所述第7晶体管分别配置于第五行第六列和第五行第七列,所述第四晶体管组中的所述第8晶体管
、
所述第9晶体管
、
所述第
10
晶体管和所述第
11
晶体管分别配置于第四行第一列
、
第五行第一列
、
第五行第二列和第五行第三列,所述第四晶体管组中的所述第
12
晶体管
、
所述第
13
晶体管
、
所述第
14
晶体管和所述第
15
晶体管分别配置于第四行第六列
、
第四行第七列
、
第四行第八列和第五行第八列,所述第五晶体管组中的所述第
16
至
23
晶体管分别配置于第三行第一至第八列,所述第五晶体管组中的所述第
24
至
31
晶体管分别配置于第六行第一至第八列,所述第六晶体管组中的第
32
至
47
晶体管分别配置于第一行第一至第八列和第二行第一至第八列,所述第六晶体管组中的第
48
至
63
晶体管分别配置于第七行第一至第八列和第八行第一至第八列
。2.
如权利要求1所述的电流镜组的共质心布局,其特征在于,所述第一晶体管组中的所述第1晶体管与第一布线连接,所述第一晶体管组中的所述虚拟晶体管与虚拟布线连接,所述第二晶体管组中的所述第2晶体管和所述第3晶体管都与第二布线连接,所述第三晶体管组中的所述第4晶体管
、
所述第5晶体管
、
所述第6晶体管和所述第7晶体管都与第三布线连接,所述第四晶体管组中的所述第8晶体管
、
所述第9晶体管
、
所述第
10
晶体管
、
所述第
11
晶体管
、
所述第
12
晶体管
、
所述第
13
晶体管
、
所述第
14
晶体管和所述第
15
晶体管都与第四布线连接,所述第五晶体管组中的所述第
16
至
23
晶体管和所述第
24
至
31
晶体管都与第五布线连接,所述第六晶体管组中的所述第
32
至
47
晶体管和所述第
48
至
63
晶体管都与第六布线连接,
所述虚拟晶体管和所述第1至
63
晶体管设置于第一层,所述虚拟布线
、
所述第一布线
、
所述第二布线
、
所述第三布线
、
所述第四布线
、
所述第五布线设置于与所述第一层不同的第二层,所述第六布线设置于与所述第一层和所述第二层不同的第三层
。3.
如权利要求2所述的电流镜组的共质心布局,其特征在于,在俯视时,所述虚拟布线
、
所述第一布线
、
所述第二布线
、
所述第三布线
、
所述第四布线
、
所述第五布线位于第三行和第四行之间以及第五行和第六行之间,所述第六布线位于第一行和第二行之间以及第七行和第八行之间
。4.
如权利要求1至3中任一项所述的电流镜组的共质心布局,其特征在于,所述第一晶体管组中的所述第1晶体管的类型为第1类型,所述第二晶体管组中的所述第2晶体管和所述第3晶体管的类型为相同的第2类型,所述第三晶体管组中的所述第4晶体管
、
所述第5晶体管
、
所述第6晶体管和所述第7晶体管的类型为相同的第3类型,所述第四晶体管组中的所述第8晶体管
、
所述第9晶体管
、
所述第
10
晶体管
、
所述第
11
晶体管
、
所述第
12
晶体管
、
所述第
13
晶体管
、
所述第
14
晶体管和所述第
15
晶体管的类型为相同的第4类型,所述第五晶体管组中的所述第
16
至
23
晶体管和所述第
24
至
31
晶体管的类型为相同的第5类型,所述第六晶体管组中的所述第
32
至
47
晶体管和所述第
48
至
63
晶体管的类型为相同的第6类型,所述第1类型
、
所述第2类型
、
所述第3类型
、
所述第4类型
、
所述第5类型
、
所述第6类型彼此不同
。5.
如权利要求2所述的电流镜组的共质心布局,其特征在于,所述虚拟晶体管和所述虚拟布线不进行动作
。6.
一种电流镜组的共质心布局的布局方法,所述电流镜组的共质心布局包...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖陈贵,唐力,赖荣钦,郑龙权,胡杰,
申请(专利权)人:东芯半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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