【技术实现步骤摘要】
一种垂直GaN基的发光二极管结构及制作方法
[0001]本专利技术涉及GaN基的发光二极管
,尤其涉及一种垂直GaN基的发光二极管结构及制作方法。
技术介绍
[0002]现有技术的发光二极管结构,如果是绝缘衬底,则发光二极管结构采用水平结构,制作n接触电极时需要蚀刻牺牲发光层,露出N型层,常规的水平接触往往是GaN的镓面,接触问题较少。发光二极管结构如果是导电衬底,则发光二极管结构一般采用垂直结构,制作n接触电极时不需要牺牲发光层,但是在GaN的氮极性面制作电极,电性往往不稳定,为了获得稳定的电性就需要制作大面积的n接触电极,而大面积的n接触电极,就会遮光而影响亮度。如图1所示,现有的发光二极管结构包括n型GaN层101、发光活性层102、P型GaN层103。金属电极层105是平面电极,金属电极层105面积的大小影响器件的电压,为了降低电压现有技术需要增大金属电极层105的面积,增大金属电极层105的面积就会遮光而影响亮度。
技术实现思路
[0003]基于此,本专利技术的目的在于提供一种垂直GaN基的发光二极管结构,增加了n电极的接触面积,提高散热效果和出光效率。为实现上述目的,本专利技术的技术方案如下:
[0004]一种垂直GaN基的发光二极管结构,包括由上往下依次设置的n型GaN层、发光活性层、P型GaN层,所述n型GaN层的镓极性面连接所述发光活性层,所述n型GaN层的氮极性面的上表面开设有条形凹槽,或者,所述n型GaN层的氮极性面的上表面凸出有多段条状凸起部;
[0005 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种垂直GaN基的发光二极管结构,其特征在于,包括由上往下依次设置的n型GaN层(101)、发光活性层(102)、P型GaN层(103),所述n型GaN层(101)的镓极性面连接所述发光活性层(102),所述n型GaN层(101)的氮极性面的上表面开设有条形凹槽,或者,所述n型GaN层(101)的氮极性面的上表面凸出有多段条状凸起部(1011);当所述n型GaN层(101)的氮极性面的上表面开设有条形凹槽时,所述条形凹槽的纵截面形状为倒梯形或倒三角形,所述条形凹槽内填充有金属电极层(105),所述金属电极层(105)的纵截面形状也为倒梯形或倒三角形;或者,所述条形凹槽的纵截面形状为矩形,所述条形凹槽处设置有金属电极层(105),所述金属电极层(105)的纵截面形状为T形,所述T形的横边置于所述n型GaN层(101)的氮极性面的上表面,所述T形的竖边嵌入所述条形凹槽内;当所述n型GaN层(101)的氮极性面的上表面凸出有多段条状凸起部(1011)时,多段所述条状凸起部(1011)顺次首尾连接形成多边形结构,所述条状凸起部(1011)的纵截面形状为正梯形状;所述条状凸起部(1011)与所述n型GaN层(101)的材料相同,所述条状凸起部(1011)的顶面和侧面覆设有金属电极层(105),带有所述金属电极层(105)的所述条状凸起部(1011)的纵截面形状也为正梯形状;或者,所述条状凸起部(1011)的纵截面形状为矩形;所述条状凸起部(1011)与所述n型GaN层(101)的材料相同,所述条状凸起部(1011)的顶面和侧面覆设有金属电极层(105),带有所述金属电极层(105)的所述条状凸起部(1011)的纵截面形状也为矩形状。2.根据权利要求1所述的垂直GaN基的发光二极管结构,其特征在于,所述条形凹槽包括第一条形凹槽和第二条形凹槽,所述第一条形凹槽和所述第二条形凹槽的数量均为两个,两个所述第一条形凹槽平行设置,两个所述第二条形凹槽平行设置,两个所述第一条形凹槽与两个所述第二条形凹槽围成一个四边形;所述金属电极层(105)包括第一段金属电极层(1051)和第二段金属电极层(1052),所述第一段金属电极层(1051)和所述第二段金属电极层(1052)的数量均为两个,两个所述第一段金属电极层(1051)分别置于两个所述第一条形凹槽内,两个所述第二段金属层(1052)分别置于两个所述第二条形凹槽内,使得两个所述第一段金属电极层(1051)与两个所述第二段金属电极层(1052)也围成一个四边形。3.根据权利要求2所述的垂直GaN基的发光二极管结构,其特征在于,所述第一条形凹槽与所述第二条形凹槽的深度相同或不同。4.根据权利要求2所述的垂直GaN基的发光二极管结构,其特征在于,所述n型GaN层(101)的氮极性面的上表面还设置有至少一个金属焊盘,所述金属焊盘位于所述第一段金属电极层(1051)与所述第二段金属层(1052)的连接处,所述金属焊盘与所述金属电极层(105)电性连接。5.根据权利要求1所述的垂直GaN基的发光二极管结构,其特征在于,所述倒梯形为倒立的等腰梯形或所述倒三角形为倒立的等腰三角形,或者,...
【专利技术属性】
技术研发人员:阚钦,
申请(专利权)人:安徽格恩半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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