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本发明提供一种垂直GaN基的发光二极管结构及制作方法，包括由上往下依次设置的n型GaN层、发光活性层、P型GaN层，n型GaN层的氮极性面的上表面开设条形凹槽或者凸出有多段条状凸起部；条形凹槽的纵截面形状为倒梯形或倒三角形，条形凹槽内填充有...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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