【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的先进封装结构和电子设备
[0001]本申请涉及封装领域,尤其涉及一种晶圆的先进封装结构和电子设备。
技术介绍
[0002]先进封装是相对传统封装所提出的概念。传统封装,通常是指先将圆片切割成单个芯片,再进行封装的工艺形式,主要包含系统级封装(System inPackage,SIP)、双列直插式封装(Dual In
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line Package,DIP)、小外型封装(SmallOutline Package,SOP)、小外形晶体管(Small Out
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Line Transistor,SOT)、晶体管外形(Transistor Out
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line,TO)、方形扁平式封装(Quad Flat Package,QFP)、方形扁平无引脚封装(Quad Flat No
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lead Package,QFN)、球栅阵列封装(Ball GridArray Package,BGA)等封装形式。传统的封装形式主要是利用引线框架作为载体,采用引线键合互连的形式。在市场需求的推动下,传统封装不断创新、演变,出现了各种新型的封装结构。随着电子产品及设备的高速化、小型化、系统化、低成本化的要求不断提高,传统封装的局限性也越来越突出。先进封装是处于当时最前沿的封装形式和技术,目前,带有倒装芯片(Flip Chip,FC) 结构的封装、圆片级封装(Wafer Level Package,WLP)、2.5D封装、3D封装等被认为属于先进封装的范畴。
[0003] ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆的先进封装结构,其特征在于,所述先进封装结构包括晶圆和绝缘材料层;所述晶圆包括硅层、功能层、功能层对应的钝化层以及封装条;所述功能层设置于所述硅层的上表面;所述功能层对应的钝化层设置于所述功能层的上表面;所述封装条设置于所述功能层中并且围绕所述功能层中的内部电路设置,用于保护所述功能层中的内部电路;所述绝缘材料层围绕所述功能层的切割截断面设置;所述功能层的切割截断面到所述封装条的距离不小于5um并且不大于20um;所述硅层的边缘为台阶结构,所述台阶结构包括第一表面和第二表面,所述第一表面上方设置有所述绝缘材料层,所述第二表面上方设置有所述功能层;所述第二表面为平面,所述第一表面为弧面或者平面。2.根据权利要求1所述的晶圆的先进封装结构,其特征在于,还包括:所述第一表面的最低点与第二表面的距离不小于3um并且不大于5um。3.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构,其特征在于,还包括:所述功能层对应的钝化层的上表面与所述第一表面的最低点的距离不小于15um并且不大于20um。4.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构,其特征在于,还包括:所述功能层的切割截断面到所述封装条的距离不小于5um并且不大于10um。5.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构,其特征在于,还包括:所述功能层的切割截断面到所述封装条的距离等于5um。6.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构,其特征在于,还包括:所述台阶结构的第一表面的长度不小于15um,并且不大于45um。7.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构,其特征在于,还包括:所述台阶结构的第一表面的长度为35um。8.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构,其特征在于,所述先进封装结构还包括第一封装钝化层;所述第一封装钝化层设置于所述功能层对应的钝化层的上表面;所述绝缘材料层与所述第一封装钝化层一体化设置。9.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构,其特征在于,所述先进封装结构还包括第一封装钝化层和第二封装钝化层,所述第二封装钝化层设置于所述功能层对应的钝化层的上表面,所述第一封装钝化层设置于所述第二封装钝化层的上表面;所述绝缘材料层与所述第二封装钝化层一体化设置,或者所述绝缘材料层与所述第一封装钝化层一体化设置。10.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构,其特征在于,所述绝缘材料层为树脂层;所述功能层对应的钝化层包含二氧化硅。11.根据权利要求1或2所述的晶圆的先进封装结构,其特征在于,所述先进封装结构还包括封装线路层、封装焊盘和封装锡球;所述封装线路层与所述硅层连接;所述封装焊盘设置于所述晶圆上方,用于连接所述封装线路层和所述封装锡球。12.一种晶圆的先进封装结构,其特征在于,所述先进封装结构包括第一晶圆、第二晶圆和绝缘材料层;所述第一晶圆和所述第二晶圆分别包括硅层、功能层、功能层对应的钝化
层以及封装条;所述第一晶圆...
【专利技术属性】
技术研发人员:冷寒剑,
申请(专利权)人:深圳市汇顶科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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