一种单向施密特缓冲器替代电路制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种单向施密特缓冲器替代电路，包括供电单元以及与所述供电单元连接的硬件晶体管开关电路，所述硬件晶体管开关电路集电极连接有第一输出端，所述硬件晶体管开关电路基极连接有非门晶体管开关电路，所述非门晶体管开关电路与所述硬件晶体管开关电路基极连接并共同连接有第二输出端，所述非门晶体管开关电路基极连接有逻辑非门电路，且所述逻辑非门电路输入端与槽型光电开关输出端连接。本实用新型专利技术通过单向逻辑门与晶体管开关电路相结合的方式解决了传统的光电开关需要双向逻辑门来解码模拟信号为数字信号的问题，不仅降低了电路成本，同时还降低了电路的故障率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种单向施密特缓冲器替代电路


[0001]本技术涉及电子电路领域，特别是涉及一种单向施密特缓冲器替代电路。

技术介绍

[0002]槽型光电开关其实对射式光电开关的一种，又被叫做U型光电开关，是一款红外线感应光电产品，由红外线发射管和红外线接收管组合而成，而槽宽则决定了感应接收型号的强弱与接收信号的距离，以光为媒介，由发光体与受光体间的红外光进行接收与转换，检测物体的位置。槽型光电开关于接近开关同样是无接触式的，受检测体的制约少，且检测距离长，可进行长距离的检测检测精度高能检测小物体。应用非常的广泛。
[0003]传统的槽型光电开关需要双向逻辑门来解码模拟型号为数字信号形成2路开关电路，存在成本昂贵，故障率高等缺陷。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于，提供一种单向施密特缓冲器替代电路，通过单非门代替双非门，降低电路成本以及故障率。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供一种单向施密特缓冲器替代电路，包括供电单元以及与所述供电单元连接的硬件晶体管开关电路，所述硬件晶体管开关电路集电极连接有第一输出端，所述硬件晶体管开关电路基极连接有非门晶体管开关电路，所述非门晶体管开关电路与所述硬件晶体管开关电路基极连接并共同连接有第二输出端，所述非门晶体管开关电路基极连接有逻辑非门电路，且所述逻辑非门电路输入端与槽型光电开关输出端连接。
[0006]进一步的，所述供电单元采用LDO稳压电路。
[0007]进一步的，所述硬件晶体管开关电路以及所述非门晶体管开关电路均采用NPN三极管。
[0008]进一步的，所述NPN三极管基极均设置有下拉电阻。
[0009]进一步的，所述逻辑非门电路输出端设置有二极管指示灯。
[0010]进一步的，所述硬件晶体管开关电路基极以及所述非门晶体管开关电路集电极均设置有续流二极管。
[0011]相比于现有技术，本技术至少具有以下有益效果：
[0012]本技术通过单向逻辑门与晶体管开关电路相结合的方式解决了传统的光电开关需要双向逻辑门来解码模拟信号为数字信号的问题，不仅降低了电路成本，同时还降低了电路的故障率。
附图说明
[0013]图1为本技术单向施密特缓冲器替代电路一个实施例的整体电路结构示意图。
具体实施方式
[0014]下面将结合示意图对本技术的单向施密特缓冲器替代电路进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术，而仍然实现本技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本技术的限制。
[0015]在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本技术。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。
[0016]如图1所示，本技术实施例提出了一种单向施密特缓冲器替代电路，包括供电单元以及与所述供电单元连接的硬件晶体管开关电路，所述硬件晶体管开关电路集电极连接有第一输出端，所述硬件晶体管开关电路基极连接有非门晶体管开关电路，所述非门晶体管开关电路与所述硬件晶体管开关电路基极连接并共同连接有第二输出端，所述非门晶体管开关电路基极连接有逻辑非门电路，且所述逻辑非门电路输入端与槽型光电开关输出端连接。
[0017]在本实施方式中，供电单元在提供稳定工作电压的情况下，槽型光电开关在有光或无光感应时，分别输出低电平以及高电平，槽型光电开关输出经过逻辑非门电路后，在有光或无光感应时分别输出高电平和低电平，在逻辑非门电路高电平或低电平输出时，硬件晶体管开关电路以及非门晶体管开关电路交替导通，并通过两路进行输出，实现单非门代替双非门来控制两路开关动作，大大降低了电路成本。
[0018]以下列举所述单向施密特缓冲器替代电路的较优实施例，以清楚的说明本技术的内容，应当明确的是，本技术的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本技术的思想范围之内。
[0019]所述供电单元采用LDO稳压电路。在本实施方式中，LDO是一种线性稳压器，使用在其饱和区域内运行的晶体管或场效应管，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下100mV之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值，能够为电路提供稳定的工作电压。
[0020]所述硬件晶体管开关电路以及所述非门晶体管开关电路均采用NPN三极管。在本实施方式中，通过NPN三极管工作在饱和区以及截止区来实现开关功能，并且开关的通断由三极管的基极电流进行控制。接收管DP1接收到信号给单非门，单非门输出高电平，Q1三极管截止，Q2三极管基极高电平饱和导通。接收管DP1未接收到信号给单非门，单非门输出低电平，Q2截止，Q1三极管基极高电平饱和导通，形成Q1，Q2往复开关。
[0021]所述NPN三极管基极均设置有下拉电阻。在本实施方式中，NPN三极管基极连接下拉电阻，能够在基极无触发信号时始终保持低电平，有效地避免了电路误动作。
[0022]所述逻辑非门电路输出端设置有二极管指示灯。在本实施方式中，逻辑非门电路输出端设置二极管指示灯，能够在槽型光电开关输出时点亮，能够直观地观察出槽型光电开关的输出信号。
[0023]所述硬件晶体管开关电路基极以及所述非门晶体管开关电路集电极均设置有单向二极管。在本实施方式中，三极管做开关时，当基极没有控制信号或信号达不到三极管导通条件时，三极管处截止状态，而这时负载(如继电器、电机会产生反向电动势)还是有很高
的电压，只要电压高于0.7V，三极管一端的PN结导通，续流二极管单向导通，则能保护三极管不被击穿，起到了一定的保护作用。
[0024]综上所述，本技术通过单向逻辑门与晶体管开关电路相结合的方式解决了传统的光电开关需要双向逻辑门来解码模拟信号为数字信号的问题，不仅降低了电路成本，同时还降低了电路的故障率。
[0025]显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单向施密特缓冲器替代电路，其特征在于，包括供电单元以及与所述供电单元连接的硬件晶体管开关电路，所述硬件晶体管开关电路集电极连接有第一输出端，所述硬件晶体管开关电路基极连接有非门晶体管开关电路，所述非门晶体管开关电路与所述硬件晶体管开关电路基极连接并共同连接有第二输出端，所述非门晶体管开关电路基极连接有逻辑非门电路，且所述逻辑非门电路输入端与槽型光电开关输出端连接。2.如权利要求1所述的单向施密特缓冲器替代电路，其特征在于，所述供电单元采用LDO稳压电路。3.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴江，
申请(专利权)人：芯宙集成电路上海有限公司，
类型：新型
国别省市：